Quantum-Dot-Leuchtdioden (Quantum dot light-emitting diodes, QLEDs) sind aufgrund ihrer hohen Farbreinheit, ihres niedrigen Energieverbrauchs und ihrer guten Lösungprozessierbarkeit starke Anwärter für die nächste Generation der Display-Technologie. Allerdings stehen QLED-Geräte im herkömmlichen Gleichstrombetrieb vor dem Problem einer unausgewogenen Ladungsträgerinjektion, was zu starker nichtstrahlender Rekombination, Effizienzabbau und unzureichender Stabilität führt und ihre Anwendung im Displaybereich einschränkt. Daher wird in dieser Arbeit eine dreipolige QLED-Geräte-Struktur basierend auf der Steuerung des Wechselstromfeldes vorgeschlagen, die durch dynamische Modulation des elektrischen Feldes das Ladungsträger-Gleichgewicht optimiert und die Geräteleistung signifikant verbessert. Im Vergleich zu herkömmlichen QLED-Geräten stieg der externe Quanteneffizienzwert des dreipoligen QLED-Geräts von 7,5 % auf 18,3 %, die Helligkeit erhöhte sich von 6842 cd/m² auf 10374 cd/m², was Verbesserungen von 143,7 % bzw. 51,6 % entspricht. Experimentelle Ergebnisse zeigen, dass dreipolige QLED-Geräte die synergistische Steuerung von Wechselstrom-Wellenform, Spannung und Frequenz nutzen, um die Elektronenmobilität präzise zu kontrollieren und so die nichtstrahlende Rekombination effektiv zu unterdrücken. Dieser Ansatz löst nicht nur das technische Problem der Elektron-Loch-Mobilitätsmismatchs in herkömmlichen QLEDs wirksam, sondern bietet auch einen neuen technischen Weg für das Design von Hochleistungs-QLED-Geräten und verspricht, die breite Anwendung von QLEDs im Displaybereich zu fördern.

Quantum-Dot-Leuchtdiode;dreipoliges Gerät;Wechselstromfeld-Steuerung;Ladungsträgereinjektion;externe Quanteneffizienz