Quantenpunkt-Leuchtdioden (QLED) sind eine wichtige Entwicklung im Bereich der neuen Displaytechnologien, wobei die Elektronentransportschicht (ETL) üblicherweise aus Zinkoxid (ZnO) besteht. Allerdings führt die hohe Elektronenbeweglichkeit von ZnO zu einem Ungleichgewicht der Ladungsträgereinleitung in der Leuchtschicht (EML), und Defekte wie Oberflächen-Sauerstoffvakanzien verursachen nichtstrahlende Rekombination. Diese Studie führt innovativ sechseckiges Bornitrid (h-BN), ein typisches zweidimensionales Material, als elektronische Barrierschicht an der Schnittstelle zwischen EML und ZnO ein. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass die Einführung von h-BN die Ladungsträgerbalance im Gerät effektiv verbessert und die durch ZnO-Defekte verursachte Lichtlöschung deutlich unterdrückt. Nach der h-BN-Schnittstellenmodifikation erreichten die QLEDs eine externe Quanteneffizienz (EQE) von 17,31 % und eine Stromeffizienz (CE) von 18,80 cd/A, was einer Steigerung von 12,4 % bzw. 7,43 % gegenüber der Referenz entspricht. Diese Studie zeigt nicht nur den innovativen Wert der Anwendung zweidimensionaler Materialien in QLED-Geräten auf, sondern bietet auch neue Forschungsansätze für deren Weiterentwicklung im Bereich der Displaytechnologien.

QLED; sechseckiges Bornitrid; Elektronenbarriere; Ladungsträgereinflussbalance; Schnittstellenmodifikation