Quantenpunktleuchtdioden (QLED) als wichtige Richtung der neuen Anzeigetechnologie verwenden in der Regel Zinkoxid (ZnO) als Elektronentransportschicht (ETL). Jedoch kann die übermäßige Elektronenmobilität von ZnO zu einer Ungleichgewicht der Ladungsinjektion in der excitonenleuchtenden Schicht (EML) führen, während Oberflächendefekte von ZnO wie Sauerstoffleerstellen nichtstrahlende Rekombination verursachen können. Diese Studie stellt innovativ das hexagonale Bornitrid (h-BN) als typisches zweidimensionales Material vor, um eine Elektronenblockierschicht zwischen EML und ZnO aufzubauen. Experimentelle Ergebnisse zeigen, dass die Einführung von h-BN das Ladungsgleichgewicht im Inneren des Geräts effektiv verbessert und die Lichtauslöschung, die durch ZnO-Defekte verursacht wird, signifikant hemmt. Nach der Modifizierung der h-BN-Schnittstelle erreichten die externe Quanteneffizienz (EQE) und die Stromeffizienz (CE) des QLED-Geräts jeweils 17,31 % und 18,80 cd/A, was eine Steigerung von 12,4 % bzw. 7,43 % im Vergleich zum Referenzgerät bedeutet. Diese Studie offenbart nicht nur den innovativen Wert zweidimensionaler Materialien in QLED-Geräten, sondern bietet auch neue Forschungsansätze für deren tiefgreifende Entwicklung im Bereich der Anzeigetechnologie.

QLED; hexagonales Bornitrid; Elektronenblockierschicht; Ladungsinjektionsgleichgewicht; Schnittstellenmodifikation