CsPbBr₃-Quantenpunkte (QDs) zeigen aufgrund ihrer hohen photolumineszenten Quantenausbeute und ihrer schmalbandigen Emission großes Potenzial im Bereich der QLEDs. Die Oberfläche von CsPbBr₃-QDs weist viele Br-Vakanzstellen (V_Br) und unkoordinierte Pb²⁺-Ionen auf, die Fallen im Energiebereich einführen, nichtstrahlende Rekombination von Ladungsträgern fördern und die Geräteeffizienz reduzieren. In diesem Artikel wird eine kombinierte Passivierungsstrategie mit DDAB und DOTA verwendet, die durch Synergieoberflächen-V_Br-Stellen füllt und mit freiliegenden Pb²⁺ koordiniert, Oberflächenfehler reduziert und die Leuchtleistung der Quantenpunkte verbessert. Durch TEM-, XRD- und FT-IR-Analysen wurde festgestellt, dass die photolumineszente Quantenausbeute (PLQY) der mit dieser Strategie behandelten Quantenpunkte auf 99,65 % steigt, mit verbesserter Wärmebeständigkeit und Filmbildung. Die hergestellten QLEDs erreichen eine maximale Helligkeit von 8.000 cd·m^-2 und eine Spitzen-EQE von 5,29 %, was dem 1,48-fachen der nicht passivierten QLED-Geräte entspricht.

Perowskit; Quantenpunkte; kombinierte Passivierung; Oberflächenfehler