CsPbBr₃-Quantenpunkte (QDs) zeigen aufgrund ihrer hohen photolumineszenten Quantenausbeute und der schmalbandigen Emission ein großes Potenzial im Bereich der QLEDs. Die Oberfläche der CsPbBr₃-QDs weist zahlreiche Br-Leerstellen (V_Br) und unkoordinierte Pb²⁺-Ionen auf, die Fallen im Energiebereich einführen, nichtstrahlende Rekombination von Ladungsträgern fördern und die Effizienz des Geräts reduzieren. In dieser Arbeit wird eine kombinierte Passivierungsstrategie mit DDAB und DOTA angewandt, die durch synergistische Wirkung effektiv die oberflächlichen V_Br auffüllt und mit den freiliegenden Pb²⁺-Ionen koordiniert, die Oberflächendefekte reduziert und die Leuchteigenschaften der Quantenpunkte verbessert. Durch TEM-, XRD- und FT-IR-Analysen wurde festgestellt, dass diese Passivierungsstrategie die photolumineszente Quantenausbeute (PLQY) der Quantenpunkte auf 99,65 % erhöht und eine bessere Wärmebeständigkeit sowie Filmbildung aufweist. Die hergestellten QLEDs erreichten eine maximale Leuchtdichte von 8000 cd·m^-2 und eine maximale externe Quanteneffizienz (EQE) von 5,29 %, was das 1,48-fache von QLEDs mit nicht passivierten Quantenpunkten ist.

Perowskit; Quantenpunkte; gemeinsame Passivierung; Oberflächendefekte