Lutetiumoxid (Lu2O3) als ein Laser-Kristallmaterial mit großem Anwendungspotenzial zeichnet sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit, niedrige Phononenenergie und starke Kristallfeld-Eigenschaften aus, die ihm Vorteile im Lasersektor verleihen. Der hohe Schmelzpunkt von bis zu 2450℃ erschwert jedoch die Aufrechterhaltung eines stabilen Temperaturgradienten bei solch hohen Kristallwachstumstemperaturen, was zu lokal ungleichmäßigen Wachstumsraten führt und eine drastische Zunahme von Kristalldefekten verursacht, was die Kristallqualität erheblich beeinträchtigt. In dieser Arbeit wurden mittels fokussiertem Ionenstrahl-Scanning-Elektronenmikroskopie und Transmissionselektronenmikroskopie Kleinwinkelkorngrenzdefekte in Lu2O3-Kristallen nachgewiesen; die Auswirkungen dieser Defekte auf die Kristallqualität wurden durch hochauflösende Röntgenbeugung und Laue-Beugung charakterisiert; mit hochwinkeliger ringförmiger Dunkelfeld-Transmissionselektronenmikroskopie und inverser Fourier-Transformation wurden die Ursachen der Versetzungsetchpits in der Nähe der Korngrenzen untersucht, was theoretische Hinweise zur Optimierung der Kristallwachstumsprozesse und zur Verbesserung der Kristalleigenschaften liefert.