Fortschritte bei der strukturellen Kontrolle, den optischen Eigenschaften und den Anwendungen von photonischen Geräten aus Kupfer (Ⅰ) -Halogidmaterialien
Kupfer (Ⅰ) -Halogidmaterialien, als eine neue Art von bleifreien photonischen Materialien, haben in den letzten Jahren aufgrund ihrer einzigartigen physikalisch-chemischen Eigenschaften, ihrer strukturellen Vielfalt und ihrer hervorragenden photonischen Leistung im Bereich photonischer Geräte viel Aufmerksamkeit erregt. In diesem Artikel wird ein systematischer Überblick über die neuesten Forschungsfortschritte bei Kupfer (Ⅰ) -Halogidmaterialien gegeben, wobei von der Kristallstruktur ausgehend ihre elektronischen Eigenschaften, optischen Eigenschaften und kontrollierten Synthesestrategien eingehend diskutiert werden. Es wurde festgestellt, dass Kupfer (Ⅰ) -Halogidmaterialien durch strukturelle Kontrolle (wie die Auswahl von A-Kationen und die Optimierung der Halogenzusammensetzung) nicht nur die hohe Fluoreszenzquantenausbeute und die spektrale Abstimmbarkeit von bleibasierten Perowskits erben, sondern auch die Stabilität und Umweltverträglichkeit des Materials erheblich verbessern, was die Probleme der Giftigkeit und Instabilität von bleibasierten Perowskitmaterialien wirksam löst. Im Allgemeinen wird angenommen, dass ihre breitbandige Emissionseigenschaft durch den Mechanismus der selbstlokalisierten Exzitonemission entsteht, der sich in einem großen Stokes-Verschiebung, einer langen Emissionslebensdauer und einer starken Exziton-Phonon-Kopplung zeigt. In diesem Artikel werden ihre Einzelkristall-, Nanokristall- und Dünnschichtsynthesetechniken vorgestellt und die Fortschritte dieses Materials im Bereich photonischer Geräte wie LEDs, photonische Detektoren, Röntgenblinkern usw. zusammengefasst. Zum Beispiel hat die externe Quanteneffizienz einer grünen LED auf der Basis von Kupfer (Ⅰ) -Halogidmaterialien 13% überschritten, ein tiefblaues UV-Photonendetektor basierend auf einem Cs3Cu2I5-Dünnschichtfilm eine hohe Empfindlichkeit von 17,8 A W-1 erreicht und die Lichtausbeute des Röntgenblinkers Cs3Cu2I5 erreicht 79279 Photonen/MeV. In Zukunft könnten Kupfer (Ⅰ) -Halogidmaterialien durch präzise Steuerung der Materialabmessungen, Optimierung des Gerätegrenzflächendesigns und Erkundung neuer Anwendungszenarien die Entwicklung von photonischen Geräten in Richtung hoher Effizienz, Umweltschutz und Multifunktionalität fördern.