Die relativ niedrige Lichteffizienz von AlGaInP-basierten roten Micro-LEDs begrenzt die Leuchtstärke des Geräts. In diesem Artikel wird eine selbstorganisierte Ni-Metall-Nanomaske und eine Nassätztechnik vorgeschlagen, um eine GaP-Oberflächentextur mit hoher Dichte und hoher Gleichmäßigkeit zu erhalten. Die Oberflächentextur erhöht den kritischen Winkel und reduziert den Effekt der totalen internen Reflexion, wodurch die Lichteffizienz des Geräts effektiv verbessert wird. Verschiedene Morphologien der Oberflächentextur wurden mit Nickelschichten unterschiedlicher Dicke erzielt. Die Ergebnisse zeigen, dass bei einer Stromdichte von 20 A/cm² die Leuchtintensität und der externe Quanteneffizienz des Micro-LEDs, das mit einer 1 nm dicken Nickel-Nanomaske nassätztechnisch behandelt wurde, im Vergleich zu Micro-LEDs ohne Oberflächentextur um 21,04 % bzw. 23,58 % erhöht wurden. Eine Kombination aus ICP-Trockenätzung und Nassätzung wurde vorgeschlagen, um eine sechseckige zylindrische Oberflächentextur herzustellen. Nach der ICP-Ätzung desselben Prozesses wurde die GaP-Schicht unterschiedlich lange nasskorrodiert. Bei einer Stromdichte von 20 A/cm² wurden bei Micro-LEDs, die dreimal für jeweils 10 s ICP- und Nassätzung durchliefen, die Leuchtintensität und die externe Quanteneffizienz um 81,61 % bzw. 48,40 % gegenüber Micro-LEDs ohne Oberflächentextur erhöht.

AlGaInP;invertiert;Lichtausbeute;Micro-LED;Oberflächentextur