摘要
Galliumnitrid besitzt Vorteile wie eine hohe Absorptionseffizienz für niederenergetische Röntgenstrahlen, ein hohes Arbeitsfeld, einen niedrigen Dunkelstrom und eine hohe physikalisch-chemische Stabilität und ist eines der wichtigen Kandidatenmaterialien für direkt umwandelnde Röntgendetektoren. Dieser Artikel gibt eine ausführliche Übersicht über die Röntgendetektionseigenschaften von Galliumoxid und den Forschungsfortschritt bei dessen Geräten, einschließlich Material, Geräteaufbau, photoelektrischer Umwandlungsmechanismus und Geräteanwendungen. Bisher wurden Röntgendetektoren aus amorphen Galliumoxid-Filmen, polykristallinen (einschließlich Mikrokristall- und Nanokristall) Galliumoxid-Filmen, hochorientierten epitaktischen einkristallinen Galliumoxid-Filmen, einkristallinen Galliumoxid-Blocks und einkristallinen Galliumoxid-Mikrodrahtmaterialien hergestellt und ihre Detektionseigenschaften untersucht. Die verwendeten Geräteaufbauten umfassen Metall-Halbleiter-Metall (MSM), Schottky-Dioden, Heterojunctions und Vakuumstrukturen, und es wurden verschiedene photoelektrische Umwandlungsmechanismen wie photoleitender Gewinn, Lawinenverstärkung und durch Elektronenbeschuss induzierter photoleitender Effekt vorgeschlagen. Im Bereich der Geräteanwendungen wurden Galliumoxid-Röntgendetektoren in Röntgendosimetern, Röntgenbildgebung und tragbaren Röntgensensoren gezeigt. Auf Grundlage dieser Forschungsergebnisse werden die zukünftigen Forschungsrichtungen für Galliumoxid-Röntgendetektoren diskutiert.
关键词
Galliumoxid;Röntgendetektor;Kristallinität;Film;photoelektrischer Umwandlungsmechanismus
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