Miniaturisierte, energieeffiziente und leistungsstarke fotoelektrische Sensoren werden zu einem wichtigen Forschungsbereich auf dem Gebiet integrierter photonischer Schaltungen und intelligenter Sensoren. Unter diesen zeichnen sich die thermoreflektierten fotoelektrischen Detektoren unter Steuerung von Polarisationsfeldern durch Vorteile der Selbstversorgung, schnelle Reaktion, hohe Empfindlichkeit und breites Frequenzband aus und sind zu einem neuen Forschungsschwerpunkt auf dem Gebiet der fotoelektrischen Sensoren geworden. In diesem Artikel wird zunächst das grundlegende Prinzip des thermoreflektiven fotoelektrischen Effekts erläutert und die Schlüsselrolle der gleichmäßigen Induktion des Polarisationsfeldes bei der Verbesserung der fotoelektrischen Reaktionsleistung von Detektoren verschiedener Strukturtypen herausgestellt. Es werden auch verschiedene Optimierungsstrategien für verschiedene thermoreflektierende fotoelektrische Detektoren und ihre charakteristischen Anwendungen zusammengefasst. Auf dieser Grundlage wird der Mechanismus zur Verbesserung des thermoreflektiven fotoelektrischen Effekts im PN-Übergangsbereich durch ein ungleichmäßiges Polarisationsfeld und seine Konstruktionsmethoden vertieft; durch die Einführung eines graduellen Polarisationsfelds wurde ein PN-Übergangs-Typ fotoelektrischer Detektor mit exzellenter Antwortleistung im breiten Spektralbereich realisiert. Abschließend werden die Perspektiven der Entwicklung von fotoelektrischen Sensoren aus den Bereichen Designprinzip, Gerätestruktur und charakteristische Anwendungen betrachtet. Forschungsarbeiten zu fotoelektrischen Detektoren unter Kontrolle von Polarisationsfeldern werden flexible Designkonzepte für die Entwicklung von thermoreflektiven fotoelektrischen Sensoren liefern und deren praktische Anwendung in den Bereichen intelligente Sensoren, Kommunikation und ultraschnelle Bildgebung aktiv fördern.