Lutetiumoxid (Lu2O3) wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit, niedrigen Phononenergie und starken Kristallfeldstärke als vielversprechendes Laserkristallmaterial angesehen. Allerdings führt der hohe Schmelzpunkt von bis zu 2450 ℃ zu erheblichen Temperaturgradienten, die zahlreiche Defekte verursachen. Die Forschung zu Defekten in diesem Kristall ist noch unzureichend, was die Verbesserung der Kristallqualität behindert. In dieser Studie verwendeten wir die chemische Ätzmethode, um die Ätzeffekte auf Lu2O3-Kristalle unter verschiedenen Bedingungen zu untersuchen und die besten Bedingungen für die Untersuchung von Versetzungsdefekten in Lu2O3-Kristallen festzulegen (Massenanteil 70 % H3PO4, 160 ℃, 15~18 min). Die Morphologie der Versetzungstäler auf (111)- und (110)-orientierten Lu₂O₃-Wafern wurde mittels Mikroskop, Rasterelektronenmikroskop und Rasterkraftmikroskop charakterisiert. Diese Studie schließt die Wissenslücke bezüglich der Liniendefekte in Lu2O3 und bietet Leitlinien zur Optimierung des Kristallwachstumsprozesses und zur Verbesserung der Kristallqualität.