Derzeit stehen hochauflösende Quantendot-Leuchtdioden (Quantum dot light-emitting diode, QLED), die mittels verschiedener Quantendot-Musterungstechnologien hergestellt werden, häufig vor dem Problem der niedrigen Effizienz, deren Hauptursache der hohe Leckstrom zwischen den Pixeln ist. Zur Lösung dieses Problems wurde in dieser Arbeit eine bienenwabenförmige Poly(methyl methacrylate) (PMMA)-Schicht mittels Nano-Prägung hergestellt und als Ladungssperrschicht in der Leuchtschicht von QLED angewendet. Dadurch wurde erfolgreich ein rotes QLED-Gerät mit einer Auflösung von 8467 Pixel pro Zoll (Pixel per inch, PPI) erzielt. Aufgrund der guten Isoliereigenschaften von PMMA blockierte die Ladungssperrschicht den direkten Kontakt zwischen der Elektronentransportschicht und der Lochtransportschicht erfolgreich, wodurch der Leckstrom im Vergleich zu Geräten ohne Blockierschicht deutlich reduziert wurde und die externe Quanteneffizienz (External quantum efficiency, EQE) erheblich verbessert wurde, wobei die maximale EQE 15,31% und die maximale Helligkeit 100274 cd/m² erreichte.

Quantendot-Leuchtdioden (QLED); Nano-Prägung; hohe Auflösung; Ladungssperrschicht