Aufgrund seiner Vorteile wie einfacher Struktur, hoher Integrationsdichte und geringem Energieverbrauch hat der resistive Speicher gute Anwendungsaussichten in Bereichen wie effiziente Informationsverarbeitung, Simulation der synaptischen Funktion usw. Die Materialien aus Zinkoxid weisen Vorteile wie einfache Herstellungsverfahren, ausgezeichnete Stabilität von Exzitonen bei Raumtemperatur und gute biologische Kompatibilität auf und gehören somit zu den idealen Materialien für die Entwicklung von leistungsstarken Widerstandsgeräten. In diesem Artikel werden die neuesten Entwicklungen bei den auf Zinkoxid basierenden Widerstandsgeräten, einschließlich der Merkmale der Widerstandsänderung und des Betriebs der Geräte, der Simulation der synaptischen Funktion, der verwandten neuronalen morphologischen Funktionen und der Anwendung, zusammengefasst. Zunächst werden die Merkmale der Widerstandsänderung bei den auf Zinkoxid basierenden Widerstandsgeräten und deren Betrieb, einschließlich Widerstandsänderung bei elektrischen und optischen Signalen, vorgestellt; auf dieser Basis werden die Simulation der synaptischen Plastizitätsfunktion und die Nachbildung fortgeschrittener Lerngesetze vorgestellt; anschließend werden die Anwendung der Widerstandsgeräte bei der neuromorphen Berechnung, einschließlich logischer Operationen, Mustererkennung und integrierter Funktionen zur Speicherung multipler Bildmuster, vorgestellt; schließlich werden die aktuellen Herausforderungen und Aussichten der auf Zinkoxid basierenden Widerstandsgeräte zusammengefasst und ein Ausblick auf zukünftige Entwicklungen gegeben.

Zinkoxid; Resistiver Speicher; Optischer und photonischer Widerstand; Künstliche Synapse