InAlGaAs/AlGaAs-Quantenbrunnen (QWs) haben aufgrund ihrer breiten spektralen Reichweite im nahen Infrarot- und sichtbaren Lichtbereich zunehmendes Interesse gefunden und sind zu einem neuen Forschungsschwerpunkt geworden. In dieser Studie wurden InAlGaAs/AlGaAs-QWs unter Verwendung der MOCVD (Metallo-Organische Chemische Gasphasenabscheidung)-Wachstumstechnik unter Berücksichtigung der Hauptfaktoren für die Auswahl des Insertionsschicht (ISL)-Materials und der theoretischen Berechnung hergestellt, um den Einfluss der Insertionsschichtstruktur auf die Emissionseigenschaften der Quantenbrunnen zu untersuchen. Es wurden InAlGaAs-QWs ohne Insertionsschicht und mit unterschiedlichen Dicken und Al-Gehalten in den AlGaAs-Insertionsschichten entworfen und hergestellt. Die experimentellen Ergebnisse zeigten, dass die Einführung einer Insertionsschicht die Emissionsintensität der QWs signifikant erhöhte, obwohl in der Probe selbst lokale Zustände vorhanden waren, führte die Anwesenheit einer Insertionsschicht nicht zu weiteren lokalen Zuständen, und gleichzeitig veränderte die Anwesenheit einer Insertionsschicht nicht den Trägerrekombinationsmechanismus in den QWs. Die Forschungsergebnisse lieferten eine wichtige theoretische Analyse und experimentelle Daten zur Optimierung der Struktur der InAlGaAs-QWs und der Insertionsschichttechnologie, was darauf hindeutet, dass durch eine vernünftige Gestaltung der Insertionsschicht die optischen Leistungseigenschaften der InAlGaAs-QWs signifikant verbessert werden können.

InAlGaAs-Quantenbrunnen; Einschicht; Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD)