InAlGaAs/AlGaAs-Mehrfachquantentiefen (MQWs) erhalten aufgrund ihres breiten Spektralbereichs zunehmend Aufmerksamkeit im nahen Infrarot- und sichtbaren Lichtbereich und sind zu einem aufkommenden Forschungsschwerpunkt geworden. In dieser Studie wurden InAlGaAs/AlGaAs-MQW-Materialien mittels Metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) hergestellt. Basierend auf den Hauptfaktoren, die bei der Auswahl des Einschichtmaterials (ISL) berücksichtigt werden müssen, und theoretischen Berechnungen wurde der Einfluss der Einschichtstruktur auf die Leuchteigenschaften der Quantentiefe untersucht. Es wurden InAlGaAs-Quantentiefe ohne Einschicht sowie Einschichten aus AlGaAs mit unterschiedlicher Dicke und unterschiedlichem Al-Gehalt entworfen und gewachsen. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass die Einführung der Einschicht die Leuchtstärke der Quantentiefe erheblich verbessert. Obwohl im Probenmaterial lokalisierte Zustände vorhanden sind, führt die Einschicht nicht zu zusätzlichen lokalisierten Zuständen, und die Einschicht ändert nicht den Rekombinationsmechanismus der Ladungsträger in der Quantentiefe. Die Forschungsergebnisse liefern wichtige theoretische Analysen und experimentelle Daten zur Strukturoptimierung von InAlGaAs-Quantentiefen und zur Technologie der Einschichten und zeigen, dass durch eine vernünftige Gestaltung der Einschicht die optischen Eigenschaften der InAlGaAs-Quantentiefe wesentlich verbessert werden können.

InAlGaAs-Mehrfachquantentiefen;Einschicht;metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD)