InAlGaAs/AlGaAs-Mehrfach-Quantentiefen (MQWs) gewinnen aufgrund ihres breiten Spektralbereichs im nahen Infrarot- und sichtbaren Bereich zunehmend Aufmerksamkeit und sind zu einem aufstrebenden Forschungsthema geworden. Diese Studie verwendet die MOCVD-Wachstumstechnik zur Herstellung von InAlGaAs/AlGaAs-Mehrfach-Quantentiefen-Materialien. Basierend auf den Hauptfaktoren, die bei der Auswahl von Einschubschichten (ISL) zu berücksichtigen sind, sowie theoretischen Berechnungen, wird der Einfluss der Einschubschicht-Struktur auf die lumineszenten Eigenschaften der Quantentiefen untersucht. Es wurden InAlGaAs-Quantentiefen ohne Einschubschicht sowie Einschubschichten aus AlGaAs mit unterschiedlicher Dicke und unterschiedlichem Aluminiumanteil entworfen und gewachsen. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass die Einführung der Einschubschicht die Lumineszenzintensität der Quantentiefen erheblich verbessert, obwohl in den Proben lokalisierte Zustände vorhanden sind. Die Einschubschicht führt nicht zu einer Zunahme lokalisierter Zustände und verändert nicht den Rekombinationsmechanismus der Ladungsträger in den Quantentiefen. Die Studienergebnisse liefern wichtige theoretische Analysen und experimentelle Daten zur strukturellen Optimierung der InAlGaAs-Quantentiefen und der Einschubschicht-Technologie und zeigen, dass durch eine vernünftige Gestaltung der Einschubschicht die optischen Eigenschaften der InAlGaAs-Quantentiefen erheblich verbessert werden können.

InAlGaAs-Mehrfach-Quantentiefen; Einschubschicht; Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD)