Basierend auf III-Gruppe Nitridmaterialien benötigt das Micro LED-Display eine High-Performance-InGaN-Rot-LED. Diese Arbeit verwendet Polarisationsengineering, um ein graduierteres InGaN als letzte Quantenbarriere (LQB) in der InGaN-Rot-LED zu bauen. Numerische Simulationen zeigen, dass das entgegengesetzte Polarisationsfeld in der Nitrid-basierten LED die Fähigkeit der Quantenfalle zur Begrenzung von Ladungsträgern effektiv verstärken und die Einschaltspannung des Geräts senken kann. Wichtig ist, dass in der Nitrid-basierten LED die schichtweise InGaN-LQB-Komposition und die Schnittstelle mit p-GaN gleichzeitig Elektronen- und Lochpotenzialfallen bilden, was zu effizienter Lichtemission für die InGaN-Rot-LED führt und somit deren Lichtemissionseigenschaften verbessert. Diese Arbeit bietet neue Ansätze für das Design von Strukturen von InGaN-Rot-LEDs und die Herstellung effizienter Geräte.

InGaN; Polarisationsengineering; Rot-LED