Die Exzitonen-Bindungsenergie in ZnO von bis zu 60 meV ermöglicht die Stabilität der Exzitonenergie bei Raumtemperatur oder sogar höheren Temperaturen, wodurch auf starker Kopplung basierende Exziton-Polaritonen-Geräte in ZnO-Mikrokavitäten die Einschränkungen der niedertemperatur-experimentellen Bedingungen herkömmlicher Halbleiter überwinden können. Dies macht ZnO zum bevorzugten Material für die Erforschung von Exziton-Polaritonen in den letzten zehn Jahren. Dieser Artikel stellt die Hauptstrukturen der ZnO-Halbleitermikrokavitäten vor und konzentriert sich auf in den letzten Jahren berichtete Phänomene im Zusammenhang mit stark gekoppelten ZnO-Mikrokavitäten und Exziton-Polaritonen, einschließlich Polaritonen-Lasern, parametrischer Streuung und Quantenzustandssteuerung, und gibt schließlich einen Ausblick auf zukünftige Forschungsrichtungen.

Zinkoxid; Exziton-Polaritonen; optische Mikrokavitäten; Bose-Einstein-Kondensation