Einfluss der Schalendickenregelung auf die Leuchteigenschaften von AgInxGa1-xS2/AgGaS2-Quantenpunkten

LI Zilong ,  

QIN Xuanming ,  

HUANG Yuanjin ,  

ZHAO Jialong ,  

CAO Sheng ,  

ZHENG Jinju ,  

摘要

Durch ein mehrfaches alternierendes Einspitzverfahren der Schalenvorläufer wurde erfolgreich umweltfreundliche AgInxGa1-xS2/AgGaS2 (AIGS/AGS) Quantenpunkte mit unterschiedlichen Schalendicken hergestellt. Die Morphologie und Kristallstruktur der Quantenpunkte wurden mittels Transmissionselektronenmikroskopie und Röntgendiffraktometrie detailliert charakterisiert. Die Auswirkung der AGS-Schalendicke auf die Lichteigenschaften der AIGS/AGS-Quantenpunkte wurde systematisch durch Absorptions- und Photolumineszenzspektroskopie untersucht. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass eine angemessene Erhöhung der AGS-Schalendicke die Randeinstrahlung der Quantenpunkte effektiv verstärkt, Defektemission unterdrückt und die Leuchtstabilität deutlich verbessert. Nach Optimierung zeigten die AIGS/AGS-Quantenpunkte mit der optimalen Schalendicke (5 Schichten) eine reine grüne Emission bei 532 nm und eine Halbwertsbreite (FWHM) von 33 nm mit einer Photolumineszenzquantenausbeute (PLQY) von 45 %. Bei der Anwendung in Quantum Dot Leuchtdioden (QLED) erreichte das Gerät eine maximale Helligkeit von 1.518 cd/m2 und eine externe Quanteneffizienz (EQE) von 0,26 %, was ein gutes Anwendungspotenzial zeigt.

关键词

umweltfreundliche Quantenpunkte; AIGS/AGS Quantenpunkte; Schalendicke; optische Eigenschaften; Randemission

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