Rein rote CsPb(Br/I)3-Perowskit-Leuchtdiode modifiziert mit HEDTA-Liganden

QU Mujing ,  

ZHANG Shulan ,  

DUAN Jiaxin ,  

DAI Henglong ,  

XUAN Tongtong ,  

XIE Rongjun ,  

LI Huili ,  

摘要

In den letzten Jahren haben Perowskit-Leuchtdioden (Perovskite light-emitting diodes, PeLEDs) eine Reihe herausragender Eigenschaften gezeigt, darunter extrem hohe Farbreinheit, einen sehr breiten Farbraum und hohe Leuchteffizienz. Besonders die grünen und nahinfraroten PeLEDs zeigten schnelle Verbesserungen bei der externen Quanteneffizienz (External quantum efficiency, EQE) und Leuchtdichte, während die Leistungsentwicklung (Effizienz, Leuchtdichte, Zuverlässigkeit usw.) von rein roten PeLED-Geräten mit Fluoreszenzpeaks im Bereich von 620–640 nm relativ langsam verlief. In dieser Arbeit wurden rein rote, gemischt-halogen CsPb(Br/I)3-Perowskit-Nanokristalle mit deutlich verbesserten optischen Eigenschaften und Stabilität durch die Kombination von Wärmeinjektion und einer Nachbehandlung mit dem Liganden N-Hydroxyethyl-ethylendiamin-triessigsäure (HEDTA) hergestellt. Die mehrzahnigen HEDTA-Liganden binden effektiv an Pb2+ und I- auf der Oberfläche der Nanokristalle, passivieren Defekte, die mit Pb2+ in Zusammenhang stehen, und hemmen gleichzeitig die Bildung von I--Frenkel-Defekten, die die Halogenid-Separation verursachen. Basierend auf den ligandenaustauschbehandelten CsPb(Br/I)3-Nanokristallen wurde eine PeLED mit einer Emissionsspitze im rein roten Bereich bei 636 nm hergestellt, die eine maximale EQE von 18,62 % und eine maximale Leuchtdichte von 1880 cd/m2 erreicht. Die Arbeitsstabilität des Geräts T50 (Zeit, bis die Leuchtdichte auf die Hälfte der Anfangshelligkeit absinkt) wurde von 11,4 min bei nicht modifizierten Geräten auf 74,5 min erhöht.

关键词

Rein rote Perowskit-Leuchtdiode; CsPb(Br/I)3; Liganden-Ingenieurwesen; Defektpassivierung

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