Um die Vireninaktivierungseffizienz von AlGaN-basierten LED-Bauelementen mit unterschiedlichen Emissionswellenlängen, die auf hochtemperaturbehandelten AlN-Substraten hergestellt wurden, zu untersuchen, wurden 7 Gruppen von tiefen UV-LEDs auf AlGaN-Basis im Wellenlängenbereich von 257 bis 294 nm hergestellt und deren Inaktivierungseffizienz gegenüber Coxsackie-Viren untersucht. Die Versuchsergebnisse zeigen, dass die Hochtemperaturbehandlung des AlN-Substrats die Versetzungsdichte im Substrat auf 1,33×10⁷ cm^-2 reduzieren kann, was eine gute Grundlage für die Herstellung hocheffizienter AlGaN-basierter LED-Bauelemente schafft; AlGaN-basierte LED-Bauelemente, die auf hochtemperaturbehandelten AlN-Substraten hergestellt wurden, zeigen unter den experimentellen Bedingungen einer Inaktivierungsdistanz von 2 cm und einer UV-Bestrahlungszeit von 30 s bei Wellenlängen von 257 bis 278 nm eine Vireninaktivierungsrate gegenüber Coxsackie-Viren von ≥99,90 %, während LED mit zentralen Wellenlängen von 288 nm und 294 nm lediglich Inaktivierungsraten von 99,47 % bzw. 96,15 % aufweisen. Auf Basis dieser Ergebnisse sind AlGaN-basierte LED-Bauelemente mit Wellenlängen von 257 bis 278 nm für den Einsatz im Bereich der Virusdesinfektion geeignet; unter den experimentellen Bedingungen dieser Arbeit zeigen tief UV-strahlende AlGaN-LEDs mit Wellenlängen über 288 nm eine geringere Vireninaktivierungseffizienz.

Hochtemperaturbehandlung;AlN-Substrat;AlGaN;LED;Vireninaktivierung