Um die Lochinjektionseffizienz von GaN-basierten Mehrfachquantentopf-LEDs zu verbessern, wurde eine Mehrfachquantentopf-Epitaxiestruktur mit unterschiedlichen letzten Barrierschichtstrukturen entwickelt und zu einem grünen Mini-LED-Emissionschip verarbeitet. Mithilfe von nieder Temperatur Elektrolumineszenz-Spektren und Strom-Spannungs-Tests wurde der Ladungsträgertransportmechanismus untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass in Proben mit AlGaN- oder GaN/AlN-Endbarrierschichten mehr Ladungsträger in tiefe Quantentöpfe gelangen können, wodurch die Lochinjektionseffizienz verbessert wird. Dieser Artikel untersucht den Ladungsträgertransportmechanismus und die Rolle von V-Gruben-Defekten bei diesem Phänomen und stellt fest, dass diese Verbesserung hauptsächlich auf den erhöhten Anteil der Lochinjektion durch V-Gruben zurückzuführen ist. Experimentell wurde zudem festgestellt, dass ein zu hoher Anteil an V-Gruben-Injektionen die nicht-strahlende Rekombinationsrate erhöht, was die elektrolumineszente Umwandlungseffizienz der Proben mit AlGaN-Endbarrierschicht unterdrückt.

Leuchtdiode; letzte Barrierschicht; Lochinjektion; InGaN/GaN Mehrfachquantentöpfe; V-Gruben