Zinkoxid (ZnO) wird als hervorragendes Elektronentransportmaterial häufig in hochleistungsfähigen Quantenpunkt-Elektrolumineszenzgeräten (QLED) eingesetzt. Aufgrund der hohen Ladungstransportrate der ZnO-Schicht werden jedoch zu viele Elektronen in das Gerät injiziert, was zu einem Ungleichgewicht der Ladungsträger im Gerät führt und die Effizienz verringert. Darüber hinaus macht die hygroskopische Eigenschaft von ZnO den Kontakt zwischen ZnO und Elektrode anfällig für Umwelteinflüsse (Feuchtigkeit und Sauerstoff), was die Speicherkonstanz des Geräts beeinträchtigt, insbesondere bei umgekehrten QLED-Strukturen. Um dieses Problem zu lösen, haben wir MoO₃/ZnO als Ladungserzeugungsschicht (CGL) für die Herstellung von umgekehrten QLED-Strukturen verwendet. Diese Struktur verbesserte das Problem des Ladungsträgerungleichgewichts und steigerte die maximale Stromeffizienz des Geräts von 12,8 cd/A auf 15,7 cd/A. Darüber hinaus benötigt die CGL keine Ladungseinspritzung von der Elektrode, sondern erzeugt Ladung durch das elektrische Feld und injiziert sie in die Leuchtschicht, wodurch der Einfluss der Elektroden-Schnittstelle auf die Leistung des Geräts verringert und die Stabilität des Geräts erheblich verbessert wird.

Ladungserzeugungsschicht; Ladungsspeicherung; Überschwingen; transiente Elektrolumineszenz