Tageslichtblinde Ultraviolettdetektoren haben breite Anwendungsperspektiven sowohl im Verteidigungs- als auch im zivilen Bereich. Tageslichtblinde UV-Detektoren auf Basis von Halbleitermaterialien mit breiter Bandlücke zeichnen sich durch den Verzicht auf teure Filter, niedrige Betriebsspannung, vollelektronische Bauweise, kleines Volumen, geringes Gewicht, hohe Störfestigkeit und einen weiten Betriebstemperaturbereich aus und gelten als anerkannte neue Generation von UV-Detektoren. Unter den zahlreichen Halbleitermaterialien mit breiter Bandlücke sind galliumbasierte Oxide, typischerweise Ga₂O₃, aufgrund ihrer hervorragenden elektrischen und photoelektrischen Eigenschaften in den letzten Jahren ein Forschungsschwerpunkt in der Mikroelektronik und Optoelektronik geworden. Insbesondere ihre intrinsische Tageslichtblindheit, hohe Temperatur- und Druckbeständigkeit sowie gute chemische Stabilität verleihen diesen Materialien ein großes Entwicklungspotenzial im Bereich der tageslichtblinden UV-Photodetektoren. Vor diesem Hintergrund bietet dieser Artikel einen Überblick über die Forschungsfortschritte bei galliumbasierten Oxidfilmen mit unterschiedlichen Kristallstrukturen, Gallat-Oxiden, Gallium-Zinn-Oxiden, Gallium-Aluminium-Oxiden und deren tageslichtblinden UV-Detektoren.

tageslichtblind; ultraviolettdetektor; Ga₂O₃; galliumoxide; gallate; ternäre galliumlegierungsoxide