Au-Gabel-Elektroden wurden auf polykristallinen Diamantfilmen hergestellt, die mittels DC-Plasmainspitz-Chemischer Gasphasenabscheidung (DC-PJCVD) gewachsen sind, um ein sonnenblindes UV-Detektorgerät mit Metall-Halbleiter-Metall (MSM)-Struktur zu konstruieren. Es wurde der Einfluss verschiedener Fotolithographie-Prozesse auf die Leistung der hergestellten Diamant-Detektoren untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass Geräte, die durch Lift-off-Fotolithographie hergestellt wurden, deutlich besser abschneiden als Geräte mit nasschemischer Lithographie: Der I_light wurde um das 4,4-fache erhöht, das Licht-Dunkel-Strom-Verhältnis um das 6,8-fache verbessert und die Empfindlichkeit bei 25 V um das 9-fache gesteigert, wobei 0,15 A/W erreicht wurden. Auf dieser Grundlage wurden Au-, Ti-, Ti/Au- und Ag-Gabel-Elektroden mittels Lift-off gefertigt und die Leistungsunterschiede von Diamant-UV-Detektoren mit verschiedenen Metallelektroden verglichen. Unter den vier Elektroden zeigte die Ag-Elektrode aufgrund des Barriertunneleffekts den besten Leistungszuwachs: Bei 25 V Bias erreichte der I_light 0,21 μA, die Empfindlichkeit stieg auf 0,78 A/W und die Leistung entsprach der von bereits berichteten Geräten. Im Vergleich zu Geräten mit gewöhnlichen Au-Elektroden stieg der Photostrom um das 5,2-Fache, das Licht-Dunkel-Strom-Verhältnis um das 7-Fache und die Empfindlichkeit um das 5,2-Fache.

Diamantfilme; Lift-off-Fotolithographieprozess; Ag-Elektrode; sonnenblinder UV-Detektor