Tiefe Fallen in langnachleuchtenden Materialien weisen hervorragende Energiespeicher- und -freisetzungseigenschaften auf, was ihnen große Vorteile beim optischen Informationsspeicher verleiht. In dieser Arbeit wurde ein neues gelbes langnachleuchtendes Material γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ mittels Hochtemperatur-Festphasensynthese hergestellt. Sein Emissionsspektrum ist ein breitbandiges Emissionsspektrum mit dem Zentrum bei 565 nm im Bereich von 400 bis 800 nm, das dem ³P₁→¹S₀-Übergang der Bi³⁺-Ionen zugeordnet ist. Nach Bestrahlung mit UV-Licht wurde eine helle gelbe Langzeitnachleuchtfluchtung der γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺-Probe beobachtet. Durch thermolumineszenzspektroskopie wurden drei Hauptfallen in γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ mit Tiefen von 0,678, 0,838 und 0,978 eV identifiziert. Die flache Falle mit einer Tiefe von 0,678 eV ist der Hauptgrund für das Langzeitnachleuchten in diesem Material, während die Intensität des Thermolumineszenzgipfels der tiefen Falle bei 0,838 eV nach 12 Stunden nur um 18,6 % abfiel, was auf eine langsame Elektronenfreisetzung aus den tiefen Fallen hinweist. Basierend auf den Tiefenfallen-Eigenschaften des Materials wurde ein Buchstabenmuster entworfen und ein optisches Informationsspeicherexperiment durchgeführt, das zeigte, dass dieses Material Potenzial für Informationsspeicheranwendungen hat.

Informationsspeicherung; γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺; gelbe Langzeitnachleuchtung; Fallen