Ein Ultraviolett-Photodetektor aus CuSCN-Nanofilmen wurde mittels in situ Wachstum hergestellt. Bei einer Vorspannung von -1 V und einfallendem Licht mit 350 nm Wellenlänge zeigte der CuSCN-UV-Photodetektor ein Schaltverhältnis von etwa 94 sowie Ansprech-/Erholzeiten von etwa 1,41 s/1,44 s. Dennoch kann dieses Gerät nicht als Hochleistungs-Photodetektor bezeichnet werden. Um die photoelektrischen Eigenschaften des CuSCN-Nanofilms weiter zu verbessern, wurde ein UV-Photodetektor auf Basis eines n-ZnS/p-CuSCN-Verbundfilms hergestellt, und die Morphologie, Zusammensetzung und Leistung der hergestellten Proben analysiert. Die Ergebnisse zeigen, dass bei -1 V Vorspannung und einer einfallenden Wellenlänge von 350 nm der ZnS/CuSCN-UV-Photodetektor einen höheren Fotostrom und einen niedrigeren Dunkelstrom als der CuSCN-Photodetektor aufweist, nämlich 1,22×10^-5 A bzw. 4,8×10^-9 A. Der UV-Photodetektor auf Basis des ZnS/CuSCN-Nanofilms hat ein Schaltverhältnis von 2542, Ansprech-/Erholzeiten von 0,47 s/0,48 s und bietet bei 350 nm Wellenlänge die beste Empfindlichkeit und Detektionsrate von 5,17 mA/W bzw. 1,32×10^11 Jones. Darüber hinaus ist der n-ZnS/p-CuSCN-Verbundfilm bei Raumtemperatur stabil und hat Potenzial als Hochleistungs-UV-Detektor.

Photodetektor;p-n-Übergang;ZnS/CuSCN;Schaltverhältnis