Das Material In_0.49Ga_0.51P hat aufgrund seiner Gitteranpassung an GaAs und seines breiten Energiebandabstands großes Interesse in der Forschung an GaAs-basierten Kurzwelllasern und aluminumfreien Lasern geweckt. Verschiedene Anwendungen in unterschiedlichen Bereichen stellen unterschiedliche Anforderungen an die Eigenschaften des Materials In_0.49Ga_0.51P, was zu Veränderungen im Ordnungsgrad des Materials und damit zu Veränderungen seiner Lumineszenzeigenschaften führt. In dieser Arbeit wurde die Metallorganische Gasphasenabscheidung (MOCVD) verwendet, um den Einfluss des Ordnungsgrades des Materials In_0.49Ga_0.51P auf seine Lumineszenzeigenschaften auf einer halbisolierenden GaAs-Substrat zu untersuchen. Der Ordnungsgrad des Materials In_0.49Ga_0.51P wurde durch Änderung des Dotierflusses der Dotierstoffe Silan (SiH₄) und Diethylzink (DEZn) sowie des V/III-Verhältnisses variiert. Die Ergebnisse der Photolumineszenztests (PL) bei Raumtemperatur und niedriger Temperatur zeigen, dass eine Erhöhung des Dotierflusses beider Dotierstoffe zu einer Verringerung des Ordnungsgrades von In_0.49Ga_0.51P führt, was eine Blauverschiebung der Emissionswellenlänge von InGaP bewirkt. Darüber hinaus führt eine Erhöhung des V/III-Verhältnisses zu einer Erhöhung des Ordnungsgrades von In_0.49Ga_0.51P, was eine Rotverschiebung der Emissionswellenlänge der Proben bewirkt.

metallorganische Gasphasenabscheidung;Indiumgalliumnitrid/Galliumarsenid;Photolumineszenz;gezieltes Dotieren