تأثير تقنية البلازما التحريضية بالحث وتنظيم جو H2/N2 على خصائص الإضاءة لأغشية Ga2O3 غير المتبلورة
摘要
تم تحضير أغشية رقيقة من أكسيد الجاليوم غير المتبلور (Ga2O3) غير مقصودة الاستقطاب ومتحكم بها بجو H2/N2 في درجة حرارة الغرفة باستخدام تقنية الترسيب بالمغنطرون مع مساعدة بلازما التحريض بالحث (ICP). وتمت دراسة خصائصها البصرية وسلوك الإضاءة المرتبط بالعيوب بشكل نظامي عن طريق حيود الأشعة السينية، التحليل الطيفي للاستقطاب الإهليلجي، التحليل الطيفي للامتصاص، التحليل الطيفي للتلألؤ الضوئي (PL) والتحليل الطيفي الزمني للتلألؤ الضوئي (TRPL). أظهرت النتائج أن جميع العينات تبدي سمات إضاءة عيب بعرض نطاق عريض نموذجية، حيث يمكن للتقنية المدعومة بـICP والجو H2/N2 تعديل سلوك الإضاءة بتغيير حالات ذيول النطاق وقنوات إعادة التركيب المرتبطة بالعيوب في أغشية Ga2O3 غير المتبلورة. تقوم تقنية ICP بتعديل قنوات الإضاءة الرئيسية للعيوب والتأثير على ذيول مؤشر الامتصاص، فيما يعدل جو H2 قنوات الإضاءة ذات النطاق الواسع الأزرق-الأخضر ليظهر استقرارًا حراريًا عاليًا وعمر إضمحلال ظاهري أطول؛ ويزيد جو N2 من طاقة أورباخ بشكل ملحوظ، ويضيف مكون إضاءة منخفض الطاقة بنحو 1.97 إلكترون فولط، ويعزز تعقيد توزيع مستويات العيوب. توفر هذه الدراسة أساسًا تجريبيًا لفهم سلوك الإضاءة المرتبطة بالعيوب في أغشية Ga2O3 غير المتبلورة وكيفية التحكم بها.
关键词
أكسيد الجاليوم غير المتبلور;إضاءة العيوب;تنظيم H2/N2;التلألؤ الضوئي;بلازما التحريض بالحث
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website