摘要
على الرغم من وجود عدة تقنيات طيفية يمكن استخدامها لاستخراج عرض الفجوة أو الفجوة في الشبه موصلات، إلا أن معظمها ينتمي إلى أحد الطرق الثلاثة التالية: (1) امتصاص الإلكترونات، (2) الطيف التحكمي، (3) الرسم البياني تاوك الأكثر استخداما. يستند امتصاص الإلكترونات إلى نظرية الجزيئات المتعددة، وبمعنى فعلي هو الأوضح، ولكن لديه متطلبات أعلى لجودة البلورة وإعداد العينة وتنفيذ التجربة. يعتمد الرسم البياني تاوك على نظرية الجسيم الواحد، ويتجاهل تأثيرات الإلكترونات المتعددة. يحلل الطيف التحكمي خصائص الطيف التفاضلي للانعكاس والانتقال تحت التشويش الخارجي. تجربيا، يتبعت الطاقة الفجوة المستمدة من هذه الطرق الثلاثة الترتيب E ex > E MS > E TP، حيث تأتي ثلاث طاقات انتقالية من امتصاص الإلكترونات، الطيف التحكمي والرسم البياني تاوك على التوالي. في المبدأ، إذا تعريف E g كان الفجوة الإلكترونية...
关键词
Semiconductor material;bandgap;excitonic absorption;modulation spectroscopy;Tauc plot