تقتصر أداء ثنائيات باعثات الضوء (LED) من نوع بيروفسكايت الأزرق النقي بسبب الحاجز الكبير لتوصيل الثقوب بين طبقة نقل الثقوب وطبقة البيروفسكايت ذات الفجوة العريضة. لمواجهة هذه المشكلة، يقترح هذا العمل استراتيجية ضبط مستويات الطاقة تعتمد على طبقة نقل ثقوب مدمجة بجزيء عضوي صغير من كلوريد السيلينيوم الفينيل (Ph-Se-Cl) في بوليمر البيرولين (PVK) لتحسين كل من حقن الحاملات وجودة الأغشية. أظهرت النتائج أن إدخال Ph-Se-Cl يجعل مستوى الجزيء المشغول الأعلى (HOMO) لـ PVK ينخفض بشكل ملحوظ من -5.91 إلكترون فولت إلى -6.11 إلكترون فولت، مما يقلل الفارق في مستويات الطاقة مع أعلى قيمة لطرف حزمة التكافؤ في بيروفسكايت الأزرق النقي ويخفض حاجز حقن الثقوب. في الوقت ذاته، تظهر طبقة نقل الثقوب المدمجة توزيعًا موحدًا للجهد السطحي مما يسهل تكوين أغشية بيروفسكايت عالية الجودة ويقلل من عيوب الواجهة. في النهاية، حققت أجهزة PeLEDs القائمة على Ph-Se-Cl معدل كفاءة كمية خارجة أقصى قدره 11.18% بزيادة 41.5% مقارنة بالأجهزة غير المدمجة، مع استقرار أداء ممتاز للأجهزة.

ثنائي باعث ضوء;بيروفسكايت;أزرق نقي;أغشية;أجهزة