تحضير نانوية NiOx بطريقة الحقن الحراري وتطبيقها في طبقة حقن الثقوب لصمام ثنائي باعث للضوء بنقاط الكم الحمراء
摘要
NiOx كمادة طبقة حقن الثقوب غير العضوية (HIL) المتميزة في صمام ثنائي باعث للضوء بنقاط الكم (QLED)، لا تزال طرق تحضيره الحالية تواجه تحديات مثل التكلفة العالية وتعقيد العملية. في هذا البحث، تم تحضير نانوية NiOx متجانسة ومتبلورة عالية باستخدام طريقة الحقن الحراري (بمتوسط حجم جزيئي ~ 5.5 نانومتر)، حيث تجمع هذه الطريقة بين تكلفة منخفضة وطريقة المحلول بدون الحاجة إلى التلدين بدرجة حرارة عالية. علاوة على ذلك، تم إدخال طبقة جزيئية من (2-(9H-كاربازول-9-يل) إيثيل) حمض الفسفونيك 2PACz عند واجهة طبقة الحقن الثقوبي NiOx وطبقة انتقال الثقوب، مما ساعد على كبح تآكل المذيب وتقليل تركيز عيوب الهيدروكسيل السطحية بنسبة 6.3%. بناءً على HIL المركب هذا، تم تحضير QLED أحمر يعمل عند جهد بدء تشغيل منخفض من 6.1 فولت إلى 5.8 فولت، مع ارتفاع في كفاءة الكم الخارجية من 5.24% إلى 7.34%، وزيادة في العمر بنسبة 73%. تقدم هذه الدراسة حلاً بسيطًا ومنخفض التكلفة لتحضير طبقة حقن الثقوب القائمة على NiOx لـ QLEDات غير عضوية بالكامل.
关键词
صمام ثنائي باعث للضوء بنقاط الكم;طريقة الحقن الحراري;أكسيد النيكل;طبقة حقن الثقوب غير العضوية
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website