تعديل متعدد المستويات لوضع الجدار الصوتي في كبسولة ميكروية مركبة من Ge2Sb2Te5 على أساس السيليكون

BO Fusen ,  

YE Junjie ,  

WANG Jianwei ,  

PAN Deng ,  

SUN Jiapeng ,  

LIU Lu ,  

LI Hanyang ,  

LIU Zhihai ,  

摘要

يركز البحث على دراسة توسعية للتحكم متعدد المستويات في طيف وضع الجدار الصوتي (WGM) لكبسولة مجهرية مركبة من مادة تغيير الطور Ge2Sb2Te5 (GST). الهدف هو تحقيق تنظيم فعال وقابل للتكرار لطيف WGM باستخدام خاصية التحول العكسي لطور مادة GST. للتغلب على مشكلة عمق التعديل المحدود وعدم استقرار الحالة الوسطى في تعديل WGM متعدد المستويات التقليدي، تم إعداد كبسولة مجهرية مركبة من GST واختبار خصائصها البصرية أولاً، ثم مقارنة الفروقات بين هذه الكبسولة المركبة وكبسولة السيليكون الأصلية من حيث الخصائص البصرية الأساسية. وأخيراً، أجريت اختبارات نسبة الانطفاء وتجارب التعديل المتعدد المستويات. أظهرت النتائج أن قمم الرنين لـ WGM في الكبسولة المجهرية المركبة من GST تحافظ بفعالية على خصائص الرنين لكبسولة السيليكون الأساسية وتتمتع بعامل جودة عالي. بالإضافة إلى ذلك، تمكنت الكبسولة المركبة من GST من تحقيق تعديل في الشدة بحوالي 15 ديسيبل بثبات وقابلية تكرار تحت تعديل الطور الساكن، مع تحقيق 7 مستويات تعديل مستقرة. يوفر هذا البحث حلاً عملياً وجهازاً تجريبياً لتطبيقات التخزين الضوئي متعدد المستويات والتعديل الضوئي القابل للبرمجة والاستشعار المتكامل، ويظهر إمكانيات واسعة في مجال البصريات المتكاملة.

关键词

كبسولة ميكروية مركبة;Ge2Sb2Te5;وضع الجدار الصوتي;عامل جودة عالي;تعديل طيفي متعدد المستويات

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成,翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果,本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website