للكواشف الضوئية ذات النطاق العريض أهمية كبيرة في مجالات التصوير والاتصالات والتحليل الطيفي. في هذه الورقة، تم تحضير بلورة أحادية Sb₂S₃ بحجم ميكروميتر وجودة تبلور عالية باستخدام طريقة الترسيب الكيميائي للبخار، وكان كثافة العيوب فيها تبلغ فقط 4.8×10¹⁰ سم^-3. من خلال برنامج SCAPS-1D ، تم إنشاء نموذج وصلة غير متجانسة Sb₂S₃/GaAs ، وأظهرت نتائج المحاكاة أن تقليل كثافة عيوب Sb₂S₃ يساهم في تحسين تيار الخرج واستجابة الطيفية للوصلة غير المتجانسة، خاصة في نطاق الأشعة فوق البنفسجية والمرئية. بناءً على ذلك، تم بناء كاشف ضوئي ذي نطاق عريض يعمل ذاتيًا يعتمد على وصلة غير متجانسة Sb₂S₃ أحادي البلورة /n-GaAs، حيث أظهر الجهاز أداء استجابة ضوئية ممتازة في نطاق طيفي واسع من 300 إلى 1000 نانومتر. عند كثافة طاقة ضوئية تبلغ 0.4 مللي واط/سم²، كان الاستجابة عند 830 نانومتر هي الأعلى، حيث وصلت إلى 200 مللي أمبير/واط، بينما تجاوز معامل الكشف 3×10¹⁰ جونز، وعرض النطاق -3 ديسيبل كان أكبر من 1 كيلو هرتز، وأوقات الاستجابة الصاعدة/الهابطة كانت 134 ميكروثانية و223 ميكروثانية على التوالي. يوفر هذا البحث مسارًا عمليًا لتصميم وتحضير كواشف ضوئية عالية الأداء، واسعة الطيف ومنخفضة الطاقة، ويظهر إمكانات تطبيقية جيدة في مجال الإلكترونيات الضوئية المتكاملة والاستشعار.

بلورة أحادية Sb₂S₃;كاشف ضوئي;SCAPS-1D;نطاق عريض