تعد مصابيح الإضاءة النقطية الكمومية العضوية (QLED) كاتجاه مهم لتقنيات العرض من الجيل الجديد، حيث يتم عادة استخدام أكسيد الزنك (ZnO) كمادة لطبقة نقل الإلكترون (ETL). ومع ذلك، فإن معدل حركة الإلكترون العالي جدًا في ZnO يؤدي إلى اختلال في إدخال الشحنات في طبقة الإضاءة (EML)، كما أن العيوب مثل فراغات الأكسجين السطحية تسبب إعادة ارتباط غير مشع. قدمت هذه الدراسة بشكل مبتكر مادة ثنائية الأبعاد النموذجية سداسية الزركونيوم النيتروجيني (h-BN) كطبقة حاجبة للإلكترونات بين واجهة EML وZnO. أظهرت النتائج التجريبية أن إدخال h-BN حسّن بشكل فعال توازن الشحنات داخل الجهاز، وقام بقمع تلف الإضاءة الناتج عن عيوب ZnO بشكل ملحوظ. بعد تعديل الواجهة بـ h-BN، وصلت الكفاءة الكمومية الخارجية (EQE) وكفاءة التيار (CE) لأجهزة QLED إلى 17.31٪ و18.80 cd/A على التوالي، مما يمثل تحسينات بنسبة 12.4٪ و7.43٪ مقارنة بالأجهزة المرجعية. لا تكشف هذه الدراسة فقط عن قيمة التطبيق المبتكر للمواد الثنائية الأبعاد في أجهزة QLED، ولكنها توفر أيضًا أفكارًا بحثية جديدة لتطويرها بعمق في مجال تقنيات العرض.