في الوقت الحالي، تواجه مصابيح النقاط الكمومية عالية الدقة المُعدة عبر تقنيات نقش النقاط الكمومية المختلفة (Quantum dot light-emitting diode، QLED) مشكلة الكفاءة المنخفضة بشكل شائع، ويرجع السبب الرئيسي إلى وجود تيار تسرب كبير بين البكسلات. لحل هذه المشكلة، تم استخدام تقنية النقش النانوي لإعداد فيلم من مادة بولي ميثيل ميثاكريلات (Poly(methyl methacrylate)، PMMA) على شكل خلايا النحل، وتم تطبيقه كطبقة حاجزة للشحنة في طبقة الإضاءة لـ QLED، مما أسفر عن إنتاج جهاز QLED أحمر بدقة 8467 بكسل لكل إنش (Pixel per inch، PPI). وبفضل الخصائص العازلة الممتازة لـ PMMA، نجحت طبقة الحاجز الشحني في عزل الاتصال المباشر بين طبقة نقل الإلكترون وطبقة نقل الثقب، مما أدى إلى خفض كبير في تيار التسرب مقارنة بالأجهزة المنقوشة بدون طبقة حاجز، وبهذا تحسنت الكفاءة الكمومية الخارجية (External quantum efficiency، EQE) بشكل ملحوظ، حيث بلغت أقصى قيمة للكفاءة الكمومية 15.31% وبلغت أقصى سطوع 100274 cd/m².

مصابيح النقاط الكمومية (QLED); النقش النانوي; عالية الدقة; طبقة حاجز الشحنة