مع التركيز على تحدي صعوبة التشويه النوعي الم حول شبه موصل أكسيد الزنك الخالص (P- ZnO)، نقترح استخدام تعويض مزدوج للأيونات سالبة (S 2-) وإيجابية (Mg 2 +)، على التوالي، في تحسين بنية الفجوات الإلكترونية لسبائك مواد الأكسيد الزنك وتنظيمها بشكل متكامل، لعرض مقاربة جديدة للشاغل زرنيك الذي تم ايجاده في قاعدة المواد الموصلة المنحوتة. وهذا المقاربة الجديدة مقترح استخدام تغيير الشاغل مع الوصول إلى شاقل المانحين الكموني ذي المراكز الرئيسية، وتم تحضير ذلك بنجاح يستخدم الطريقة المناسبة لترسيب الليزر. بالاضاف مة الي المتممة، ف الكاشف عن الوصليمة MMgZnOS النموذجي يكون ببنية سداسية السطوح الاختيا رية مستقلة في الستروكورستال، و تحاكي (c) المحور الرئيسي في النمو. القدرة الضوئية لهذه الكاشف تتجاوز 80% في ا تلك الفيضاء. إضافة ا إلى ذلك، فإن الشائبة ( Mg 2 +) توسع بشكل واضح فجوة أشرطة الزنك الزرنيكية. كاشف الوصليمة الموصلية MMgZnOS ت له محتوى أملاح م النية (2%[Mg] or 25%[S]) و كثافة الفراغات الهولية ت قدر بمقدار 2.02 × 10^19 سم^-3、 و سرعة تبديل الهو ل 0.25 سم^2/(V・s) و الكثافة الكهربية 1.24 Ω∙cm. استناداً إلى السياق السابق، فإننا نشرح الكاشف الشبه الصحيح (MMgZnOS ー N/n ー ZnO . ويظهر الجهاز سمة تقريبية لتقريب الدائرة الثنائية (الفلكي) (الفا حموي الم ت اخه 1.21 فولت) و يثق في الفلك المستقر للكاشف في ظروف الضوء الفوق بنفسجي. الاستجابة الضوئية الذاتية الحقيقية هو 2.26 ملللي أمبير/واط (في فو ق الاختباء الم اغني”. الأساسية (350 نانومتر) . تشير النتائج إلى أن الاستجابة الضوئية الذاتية السابقة مأخوذة من اي نار ال حقلية الذاتية -أرو الحاملة للفوتي وي كفي )n （P- n）. يمكن أن يساهم هذا البحث في العلوم الأولية المتجانسة للعناصر النموذجية في (زنك الوكسيد P) و إظهار ااهمية الفح ل لاظهار الاستاتيكتية ذات القيمة الص n ٥فية للأجهزة الك هرو الضوئية النموذجية للعناصر الزنكية.

ترسيب الليزر ؛ تشويل P - ؛ MgZnOS ؛ الدائرة الصنفية من خلع السنج