تم اقتراح ليزر تعديل Q سلبي قائم على مادة امتصاص مُشبعة من أكسيد القصدير مع ضخ جانبي بطول موجي 978 نانومتر. تم نقل Sb₂O₃ بنجاح إلى ركيزة Al₂O₃ باستخدام طريقة التسامي العمودي المصحوب بتفاعل كيميائي (chemical reaction assisted vertical micro sublimation method، CVMS)، وتمت دراسة خصائصه من حيث الشكل والتركيب والأداء. باستخدام ضخ جانبي بطول موجي 978 نانومتر، تم تحقيق تعديل Q سلبي لمادة Er-doped المستندة إلى Sb₂O₃-SA مع طاقة نبضة مفردة قصوى تبلغ 6.84 ميكرو جول وأقصى قدرة ذروة تبلغ 1.12 واط. مع زيادة قدرة الضخ، تقل مدة النبضة من 19.64 ميكرو ثانية إلى 6.09 ميكرو ثانية، وترتفع تردد التكرار من 19.10 كيلو هرتز إلى 62.13 كيلو هرتز. يقع الطول الموجي المركزي للليزر الناتج عند 2793 نانومتر، وعرض الطيف الكامل لنصف العرض عند 2793 نانومتر هو 9.10 نانومتر. تظهر النتائج التجريبية أن ليزر تعديل Q السلبي القائم على مادة امتصاص مشبعة من أكسيد القصدير ومادة Er-doped يوفر أساسًا جديدًا لاستخدام مواد امتصاص مشبعة جديدة لتحقيق ليزر الأشعة تحت الحمراء الوسطى بحدود 3 ميكرومتر بتكلفة أقل واستقرار أعلى وتصميم تجويف بسيط.

Er³⁺; ليزر ~3 ميكرومتر; تعديل Q سلبي; مادة امتصاص مشبعة من أكسيد القصدير