摘要
ZnO هو مادة نصف موصلية من الجيل الثالث النموذجية، وعرض النطاق العريض 3.37 إلكترون فولت. يعتبر الZnO الوراثي مادة نصف موصلة من النوع-n، ويمكن تحسين خصائصها الكهربائية من النوع-n بشكل كبير باستخدام تقنية التشويب بعنصر المانح. تتميز الأغشية النانوية ذات الصفاء الممتازة المعتمدة على الZnO بمزايا مثل كون المواد الخام متاحة وأساليب التحضير متنوعة وقابلية النمو عند درجة حرارة الغرفة، ويمكن استخدامها في العديد من المجالات مثل الإلكترونيات، والاستشعار، والطاقة الضوئية. من بينها، يثير تقشير الزنك (AZO) اهتماما كبيرا. يتم في هذه الورقة استعراض البحوث الأخيرة المتعلقة بأغشية الصفاء النانوية الناعمة المعتمدة على الZnO، والتي تتضمن أغشية الزنك المشوبة الفردية، وأغشية الزنك المتعددة الطبقات، وأغشية الزنك المرنة وغيرها من المواد النانوية الشفافة للتوصيل. المادة التي يتم التركيز عليها هي الخصائص الفيزيائية والكيميائية لأغشية الزنك الشفافة من أنواع مختلفة، بما في ذلك حركية التراكب للزنك الشفاف، وعرض الفجوة، ونسبة الانعكاس/الامتصاص/النفاذية، وعلاقتها الداخلية. ويتم التعريف بمزيد من التفصيل عن تطبيق أغشية الزنك الشفافة في دائرة الثنائيات الضوئية، وألواح الطاقة الشمسية، والمستشعرات، والنصف موصلات الاحترار ومجالات أخرى. وأخيرا، يتم التنبؤ بالتحديات الحالية واتجاهات التطور المستقبلية لأغشية الزنك الشفافة الموجودة.
关键词
zinc oxide;transparent conductive film;Donor doping;AZO;Optoelectronic properties