تحسين كفاءة حقن الثقوب في LED الأخضر القائم على GaN من خلال نقل الحاملات المحفز بحفر V
摘要
لتحسين كفاءة حقن الثقوب في LED متعدد الكمات قائم على GaN، تم تصميم بنية ترسيب متعددة الكمات GaN ذات طبقات حاجز نهائية مختلفة، وتم تصنيعها كشريحة ضوء mini-LED خضراء. باستخدام طيف الانبعاث الكهربائي منخفض الحرارة واختبار خصائص التيار والجهد، تم دراسة آلية نقل الحاملات. أظهرت النتائج أن العينات ذات الطبقة الحاجزة النهائية AlGaN أو GaN/AlN يمكن أن تنقل عددًا أكبر من الحاملات إلى الكمات العميقة، مما زاد من كفاءة حقن الثقوب. تم دراسة آلية نقل الحاملات ودور عيوب حفر V في هذه الظاهرة، وُجد أن التحسين هو أساسًا نتيجة لزيادة نسبة حقن الثقوب عبر حفر V. كما أظهرت التجارب أن زيادة نسبة حقن حفر V تؤدي إلى زيادة في معدل الإعادة غير الإشعاعية، مما يثبط كفاءة التحويل الكهروضوئي لعينات طبقة الحاجز النهائية AlGaN.
关键词
ثنائي باعث للضوء;طبقة الحاجز النهائية;حقن الثقوب;InGaN/GaN متعدد الكمات;حفر V
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website