يعتبر فوسفيد الإنديوم كمادة شبه موصلة هامة من مجموعة III-V، وبفضل خصائصه الضوئية والكهربائية الفريدة، حظي باهتمام كبير في السنوات الأخيرة. أظهرت العديد من الدراسات أنه يمتلك آفاق تطبيقية محتملة في مجالات الفوتوالإلكترونيات، التحفيز، والطب. ولكن حالياً لا تزال هناك بعض المشاكل التي يجب حلها في الدراسات المتعلقة بالتحكم في تحضير المواد النانوية منخفضة الأبعاد من InP والتصنيع على نطاق واسع. لمعالجة هذه المشاكل، تم استخدام طريقة التبخير الكيميائي (CVD) لتحضير كمية كبيرة من أسلاك InP النانوية عالية الجودة على ركيزة Si/SiO₂، كما تم زراعة أعمدة InP النانوية على ركيزة InP متعددة البلورات باستخدام طريقة النمو في الموقع. تم استخدام المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) لمراقبة مورفولوجيا المواد النانوية المُحضرة، حيث كانت أسطح الأسلاك النانوية ناعمة، وقطرها يتراوح بين 30~65 نانومتر، وسمك الفيلم المكون من الأسلاك النانوية حوالي 35 ميكرومتر؛ أما توزيع أقطار الأعمدة النانوية فكان بين 550~850 نانومتر، وسمك الفيلم المكون من الأعمدة النانوية حوالي 12 ميكرومتر. كما تم تحليل مكونات المواد النانوية المُحضرة باستخدام مطياف تشتت الطاقة (EDS) وتحليل طيف إلكترون الأشعة السينية (XPS)، ووجدت أنها من InP. تم استخدام مطياف رامان لتحديد البنية الكيميائية للمواد النانوية وعمل تحليلات إضافية. كما استخدم المجهر الإلكتروني النافذ (TEM) لمراقبة البنية المجهرية للمواد النانوية. أظهرت الدراسة أن الأسلاك النانوية المُحضرة تتميز بدرجة عالية من التبلور وتنمو على طول اتجاه［111］. عند تحليل خصائص البلورة باستخدام حيود الإلكترون الانتقائي (SAED)، وُجدت نقاط حيود واضحة تشير إلى أن التركيب بلوري أحادي. تم تحليل الخصائص الضوئية للإنبعاث باستخدام مطياف الفوتولومينيسينس (PL) وتم القيام بمزيد من التحليلات. وأخيراً، تم مناقشة آليات تكوين الأسلاك النانوية والأعمدة النانوية، حيث يتبع نمو الأسلاك النانوية آلية الغاز-السائل-الصلب (VLS)، ونمو الأعمدة النانوية آلية الصلب-السائل-الصلب (SLS). توفر هذه الدراسات إمكانية أكبر للتحكم في تحضير مواد InP النانوية وتصنيعها على نطاق واسع.

فوسفيد الإنديوم;أسلاك نانوية;أعمدة نانوية;خصائص المواد;آلية النمو