تعد الموصلية الكهربائية والحرارية الضعيفة للركيزة مشكلة مزعجة في نمو مصابيح LED القائمة على GaN على ركيزة الياقوت، ويُعد استخدام تقنية تقشير الليزر لنقل مصابيح LED القائمة على GaN من ركيزة الياقوت إلى ركيزة أخرى من الطرق الفعالة لحل هذه المشكلة. في هذا البحث، استخدمنا ليزر بيكوسانية فائق السرعة لتقشير ركيزة مصابيح LED القائمة على GaN بنمط نصف قطبي المزروعة على ركيزة الياقوت المنقوشة، وتم نقلها بنجاح إلى ركيزة السيليكون لتشكيل جهاز LED هيكلي عمودي. كشفت اختبارات SEM أنه عند كثافة طاقة الليزر الفائق السرعة حوالي 1.3 جول/سم² يمكن تحلل طبقة الالتقاء بين الياقوت و GaN بفعالية وبأقل ضرر سلبي للجهاز. أظهرت نتائج طيف رامان أن الضغط المتبقي في طبقة GaN داخل جهاز LED المقشور تم تخفيفه بشكل فعال من 1.42 جيجا باسكال إلى 0.29 جيجا باسكال. أُجريت اختبارات أداء I⁃V على جهاز LED الهيكلي العمودي المُعد، حيث زاد التيار الأمامي عند 5 فولت من 0.164 ملي أمبير إلى 0.759 ملي أمبير، مع تعزيز في خاصيتي الإشعاع الضوئي المستحث كهربائيًا والضوء المستحث ضوئيًا. أكمل هذا البحث الدراسة التجريبية لتقشير الليزر فائق السرعة لمصابيح LED القائمة على GaN نصف القطبية على ركيزة الياقوت، مما يوفر دعمًا نظريًا لتطوير تقنيات النقل منخفضة الضرر وعالية الكفاءة، ومن المتوقع أن يسرع من تطوير وتطبيق مصابيح LED القائمة على GaN نصف القطبية.

LED;ليزر فائق السرعة;ياقوت منقوش;نصف قطبية;نترات الغاليوم