يتم استخدام استراتيجية تطعيم أيونات Mn على نطاق واسع لتحسين استقرار CsPbX₃ نانوية البيروفسكايت (Nanocrystals، NCs) وتنظيم محتوى الرصاص (Pb)، ولكن سرعة تفاعل التطعيم الأيوني سريعة جدًا ولا يمكن السيطرة عليها بسهولة. في هذه الدراسة، استخدمت طريقة الحقن الحراري خطوة واحدة وخطوتين للتحكم بدقة واسعة النطاق في محتوى تطعيم Mn²⁺، وتم تحضير CsPbCl₃∶Mn²⁺ NCs بمحتويات مختلفة من Mn²⁺. من خلال دراسة بنيتها وخصائص الإضاءة الخاصة بها، تم تصنيفها إلى بنية سبيكة وبنية تطعيم، وكشف الآليات المختلفة لضبط Mn²⁺ في الطريقتين. وأكدت الدراسة أنه في حالة نسبة الإدخال Pb:Mn المتساوية، فإن نوى السبيكة المصنعة بطريقة الخطوة الواحدة لديها محتوى أعلى من Mn²⁺، مما يعزز ذروة انبعاث Mn ذات الصلة حوالي 610 نانومتر مع أقصى كفاءة كمية للإضاءة تصل إلى 77%. في حين أن نوى التطعيم ذات التركيب المصنوع بطريقة الخطوتين تظهر كفاءة كمية عالية للإضاءة حتى مع محتوى أقل من Mn²⁺. علاوة على ذلك، أدى التطعيم القابل للتحكم بـ Mn²⁺ إلى تحسين استقرار نوى البيروفسكايت، حيث احتفظت بالهيكل والخصائص الضوئية مستقرة بعد تخزينها لمدة أربعة أسابيع. من الجدير بالذكر أن بنية السبيكة مفيدة أكثر في تعزيز استقرار الإضاءة ذات الإثارة الذاتية مقارنة ببنية التطعيم. بالإضافة إلى ذلك، تم تحضير CsPb(Cl_xBr_3-x)∶Mn²⁺ نوى البيروفسكايت ذات الأداء الإضائي الممتاز مع طيف فلوئوريسنس قابل للتعديل بين 404 إلى 640 نانومتر؛ ولكن عند المحتوى العالي لعنصر البروم (Br^-), تختفي ذروة انبعاث Mn بسبب عدم تطابق نطاق الطاقة لـ CsPbBr₃ مع مستويات الطاقة ⁴T₁⁃⁶A₁ لـ Mn²⁺. تؤكد هذه الدراسة على أهمية التدفئة القابلة للتحكم في Mn²⁺ خلال تحضير CsPbCl₃∶Mn²⁺، الأمر الذي له دلالة هامة في تحقيق تخليق متحكم به بدقة لنوى البيروفسكايت.

بيروفسكايت غير عضوي كامل;CsPbCl₃∶Mn²⁺;تنظيم المكونات