في السنوات الأخيرة، حظيت مواد أشباه الموصلات الهجينة من البيروفسكايت بشعبية كبيرة في مجال الأجهزة الكهروضوئية بسبب ميزات عديدة مثل قابلية تعديل فجوة الطاقة، عالي معامل الامتصاص، سرعة انتقال حاملات الشحنة العالية، وتكلفة منخفضة، مثل خلايا الطاقة الشمسية، أجهزة الإضاءة الكهربائية، أجهزة الكاشف الضوئي وما إلى ذلك. من بينها، أظهرت أغشية البيروفسكايت أحادية البلورة، بسبب خلوها من حدود البلورات واحتوائها المنخفض على الشوائب والعيوب، خصائص بصرية وكهربائية متفوقة، مما يجعلها نظامًا مثاليًا لتصنيع الأجهزة الكهروضوئية عالية الأداء. ومع ذلك، عادةً ما تُزرع أغشية البيروفسكايت أحادية البلورة مباشرة على طبقة نقل الثقوب باستخدام طريقة الحصر الفراغي، مما يؤدي حتمًا إلى مشاكل عيوب الواجهة ونقل حاملات الشحنة بين الطبقات، مما يقيد للغاية أداء أجهزة كاشف الضوء من أغشية البيروفسكايت أحادية البلورة. لذلك، من خلال إدخال تقنية فصل القالب، تم ترسيب طبقات وظيفية على الجانبين لأغشية البيروفسكايت أحادية البلورة لتحضير كاشف الضوء من أغشية البيروفسكايت أحادية البلورة بهيكل Cu/BCP/C₆₀/MAPbBr₃/MoO₃/Ag. بناءً على طريقة فصل القالب، تبقى الطبقات الوظيفية المترسبة على الجانبين على اتصال وثيق مع أغشية البيروفسكايت، مما يحسن بشكل فعال حقن ونقل حاملات الشحنة؛ وفي الوقت نفسه، يمكن للهياكل المحسنة للجهاز وعوامل توافق مستويات الطاقة تحقيق كاشف ضوئي عالي الحساسية واستجابة سريعة من أغشية البيروفسكايت أحادية البلورة. الجهاز المطور لديه نسبة تشغيل/إيقاف تصل إلى 3.1 × 10³، استجابة تصل إلى 7.15 أمبير/واط، معدل كشف يبلغ 5.39 × 10¹² جونز، وكفاءة كمّية خارجية تصل إلى 1794%. تقدم هذه الدراسة حلاً تقنيًا قابلاً للتطبيق لتحسين وتطوير أداء كاشفات الضوء من أغشية البيروفسكايت أحادية البلورة.

مواد أشباه موصلات البيروفسكايت الهجينة;أغشية البيروفسكايت أحادية البلورة;طريقة فصل القالب;كاشف ضوئي