أكسيد الزنك (ZnO) كمادة نقل إلكترونية ممتازة، يُستخدم على نطاق واسع في أجهزة التألُّق الكهروضوئي للنقاط الكمومية عالية الأداء (QLED). ومع ذلك، بسبب معدل نقل الشحنة العالي لطبقة ZnO، يحدث حقن مفرط للإلكترونات داخل الجهاز، مما يؤدي إلى عدم توازن حاملات الشحنة ويقلل من كفاءة الجهاز. بالإضافة إلى ذلك، تجعل خاصية ZnO القابلة للامتصاص الرطوبة من السهل تأثر التلامس بينه وبين الإلكترود بالظروف البيئية الخارجية (الرطوبة والأكسجين)، مما يؤثر على استقرار التخزين للجهاز، وهذا واضح بشكل خاص في أجهزة QLED ذات البنية المقلوبة. لحل هذه المشكلة، استخدمنا طبقة توليد الشحنة MoO₃/ZnO كطبقة توليد شحنة (CGL) لصنع QLED ذات البنية المقلوبة. هذا الهيكل حسّن مشكلة عدم توازن حاملات الشحنة داخل الجهاز، حيث ارتفعت أقصى كفاءة تيار للجهاز من 12.8 cd/A إلى 15.7 cd/A. بالإضافة إلى ذلك، لا تحتاج CGL إلى حقن الشحنة من الإلكترود، بل تولد الشحنة بواسطة تأثير المجال الكهربائي، وتحقنها في طبقة الإضاءة، مما يقلل من تأثير واجهة الإلكترود على أداء الجهاز ويعزز بشكل كبير استقراره.

طبقة توليد الشحنة; تخزين الشحنة; تجاوز; التألُّق الكهروضوئي العابر