摘要
تتميز المصائد العميقة في مواد التوهج الطويل بأداء ممتاز في تخزين الطاقة وإطلاقها، مما يجعل لها ميزة كبيرة في تخزين المعلومات الضوئية. في هذه الورقة، تم تحضير مادة توهج طويل صفراء جديدة γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ بواسطة طريقة الطور الصلب عالية الحرارة، حيث كان طيف الانبعاث مركزاً عند 565 نانومتر ونطاقه من 400 إلى 800 نانومتر، وينتمي هذا الانبعاث إلى انتقال ³P₁→¹S₀ لأيون Bi³⁺. بعد تعرضها لإضاءة الأشعة فوق البنفسجية، لوحظ توهج أصفر لامع طويل الأمد لعينة γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺. من خلال تحليل طيف التحليل الحراري، تبين أن هناك ثلاث مصائد رئيسية في γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ بعمق 0.678، 0.838، و0.978 إلكترون فولت على التوالي. تعتبر المصيدة السطحية بعمق 0.678 إلكترون فولت السبب الرئيسي لظاهرة التوهج الطويل في هذه المادة، في حين أن المصيدة العميقة بعمق 0.838 إلكترون فولت تحافظ على 81.4٪ من كثافة قمة التحليل الحراري بعد 12 ساعة، مما يدل على إطلاق بطيء للإلكترونات من المصائد العميقة. بناءً على أداء هذه المصائد العميقة، تم تصميم نمط حروف وأُجريت تجارب تخزين المعلومات البصرية، وأظهرت النتائج أن هذه المادة لديها تطبيقات محتملة في تخزين المعلومات.
关键词
تخزين المعلومات; γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺; التوهج الطويل الأصفر; المصائد
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website