تم ترسيب أكسيد الغاليوم (β⁃Ga₂O₃) على ركيزة السيليكون Si (111) باستخدام طريقة الترسيب بالرش المغناطيسي بترددات الراديو في فراغ عالي، وتم دراسة تأثير درجة حرارة الترسيب على البنية المجهرية وخصائص الضوء لأكسيد الغاليوم Ga₂O₃. تم تحليل تركيب البلورة، الشكل السطحي، والخصائص البصرية لأكسيد الغاليوم باستخدام تقنيات مثل حيود الأشعة السينية، المجهر الإلكتروني الماسح، ومطياف الفلوريسانس. أظهرت النتائج التجريبية أنه في بيئة غاز الارجون النقي، اختلاف شكل Ga₂O₃ المترسب مرتبط بآلية نمو Ga₂O₃ عند درجات حرارة رش مختلفة. عند درجة حرارة رش تبلغ 300 درجة مئوية، يحدث التحلل الحراري لـ Ga₂O₃ ويتشكل عناقيد جاليوم معدني؛ وعند 400 درجة مئوية، تعمل عناقيد الجاليوم المعدنية كمحفز لتحفيز النمو الذاتي لأسلاك نانوية من Ga₂O₃. في أطياف التألق الضوئي (PL)، تظهر عينات Ga₂O₃ أربعة قمم انبعاثية في منطقة الضوء البنفسجي، الأزرق، والأخضر ضمن نطاق طول موجي من 300 إلى 700 نانومتر، وتزداد شدة قمة انبعاث أسلاك Ga₂O₃ النانوية المشكَّلة عند 400 درجة مئوية بشكل ملحوظ مع حدوث إزاحة زرقاء طفيفة. تؤثر المساحة السطحية النسبية الكبيرة في الهيكل النانوي وتأثيرات الحجم الكمي بشكل كبير على خصائص الانبعاث الفلورية (PL) لـ Ga₂O₃. أظهرت أطياف رامان (Raman) أن جودة بلورة Ga₂O₃ تتحسن مع زيادة درجة حرارة الترسيب؛ كما ظهرت أنماط اهتزاز رامان جديدة في الأسلاك النانوية المتشكلة عند 400 درجة مئوية مع إزاحة زرقاء بمقدار 18 سم⁻¹.

الترسيب بالرذاذ المغناطيسي بتردد الراديو;Ga₂O₃;خصائص البنية;الخصائص البصرية