يقدم هذا المقال مقدمة موجزة عن مفهوم المواد غير العضوية ذات التوهج الطويل والمواد المخزنة للضوء، وأصولها وأوضاع أبحاثها الحالية. يتم وصف ثلاث مواد كلاسيكية تجارية للتوهج الطويل وتخزين الضوء. بناءً على هذه المواد الثلاث التجارية، يتم تحليل المشكلات المرتبطة بالتصميم العقلاني لهذه المواد، ويتم تقديم استراتيجية لتصميم مواد التوهج الطويل وتخزين الضوء باستخدام مخطط مستويات الطاقة المرجعية للفراغ (مخطط طاقة الربط المرجعية للفراغ VRBE). أولاً، يتم تقديم تعريف مخطط مستويات الطاقة المرجعية للفراغ والنماذج والمعلمات التجريبية الطيفية اللازمة لبنائه. استنادًا إلى مخطط مستويات الطاقة المرجعية للفراغ للمواد غير العضوية المشوبة بأيونات الأرض النادرة، يتم توضيح مواقع مستويات طاقة أيونات البزموت ثنائية وثلاثية التكافؤ. ثانيًا، استنادًا إلى مخطط مستويات الطاقة المرجعية للفراغ لمادة النموذج YPO₄، يتم شرح تعريف الفارق بين نموذج تحرير الإلكترون ونموذج تحرير الفجوات. أخيرًا، وبالاعتماد على مخطط مستويات الطاقة المرجعية للفراغ لمركبات REPO₄ المشوبة بأيونات الأرض النادرة والبزموت (RE=La، Y، Lu) وعائلة مركبات NaYGeO₄، يتم مناقشة باختصار كيفية تصميم مراكز فخ الإلكترون والفجوة، وكيفية ضبط عمق فخ الإلكترون أو الفجوة. يكتسب مخطط مستويات الطاقة المرجعية للفراغ أهمية إرشادية لمناقشة التقاط وحر release carriers وللتصميم العقلاني والاستكشاف للمواد غير العضوية ذات التوهج الطويل وتخزين الضوء.

مخطط مستويات الطاقة المرجعية للفراغ;أيونات الأرض النادرة;Bi³⁺;Bi²⁺;توهج طويل;مواد تخزين الضوء