摘要
لقد حظيت مواد In0.49Ga0.51P باهتمام واسع في أبحاث ليزر GaAs ذات الطول الموجي القصير وليزر بدون ألومنيوم نظرًا لتطابقها مع شبكة GaAs البلورية وامتلاكها فاصل نطاق طاقة واسع. تقدم التطبيقات في مجالات مختلفة متطلبات أداء مختلفة لمواد In0.49Ga0.51P مما يؤدي إلى تغير درجة انتظام المواد وبالتالي تغير خصائص الانبعاث الضوئي. في هذا البحث، استخدمنا تقنية الترسيب الكيميائي بالبخار العضوي المعدني (MOCVD) لدراسة تأثير درجة انتظام مواد In0.49Ga0.51P على خصائص الانبعاث الضوئي على ركيزة GaAs شبه العازلة. تم تعديل درجة انتظام مواد In0.49Ga0.51P عن طريق تغيير تدفق التلدين لمواد السيليان (SiH4) وثنائي إيثيل الزنك (DEZn) ونسبة V/III. أظهرت اختبارات الانبعاث الضوئي عند درجة حرارة الغرفة (PL) والاختبارات عند درجات حرارة منخفضة أن زيادة تدفق التلدين لكلا المضافين يؤدي إلى خفض درجة انتظام In0.49Ga0.51P، مما يتسبب في تحول طول موجة الانبعاث للـInGaP نحو الأزرق. علاوة على ذلك، يؤدي زيادة نسبة V/III إلى زيادة درجة انتظام In0.49Ga0.51P، مما يسبب تحول طول موجة الانبعاث للعينات نحو الأحمر.
关键词
ترسيب كيميائي بالبخار العضوي المعدني;إنديوم جاليوم فوسفيد/جاليوم أرسنيد;انبعاث ضوئي;تلدين بعمد
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website