最新刊期

    2013年第34卷第12期

      材料合成及性能

    • Cu掺杂天然方钠石的VUV-Vis发光特性

      阿丽屯古丽·麦麦提纳斯尔, 穆亚斯尔·凯合日曼, 艾尔肯·斯地克
      2013, 34(12): 1596-1602. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1596
      摘要:采用高温固相法制备了Cu掺杂天然方钠石光致发光粉末。使用电子探针能谱分析(EDS)和微区分析(EPMA)测出了天然方钠石所含的主要化学成分。用X射线衍射(XRD)研究了Cu掺杂对方钠石结构的影响。室温下测量了真空紫外-紫外-可见光光谱。结果表明,激发光谱中171 nm处的激发带属于基质吸收;202,255,280,290 nm左右的激发带是Cu+离子的3d103d94s跃迁引起的。Cu在方钠石晶体中以两种位置存在,分别为Cu+离子在Na+离子晶格位置上出现的Cu1位置和复合层间的Cu2位置,并形成Cu+ 离子的Cu1和Cu2发光中心。用不同波长光激发Cu1和Cu2发光中心得到的峰值分别位于420 nm和470 nm的蓝色荧光来源于Cu+离子内的3d94s3d10电子跃迁。对样品的发光机理及浓度猝灭过程进行了探讨和研究。  
      关键词:天然方钠石;Cu+ 离子;发光中心;真空紫外光致发光谱;浓度猝灭   
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      更新时间:2020-08-12
    • 掺杂香豆素6的杂化纳米颗粒的制备及荧光性能研究

      张玉巾, 彭洪尚, 黄世华, 由芳田
      2013, 34(12): 1555-1560. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1555
      摘要:采用一种再沉淀-封装法制备了掺杂香豆素6(C6)的杂化荧光纳米颗粒,并通过SEM和DLS对其进行了形貌和粒径大小表征。在450 nm光激发下,制备的C6掺杂纳米颗粒表现出绿色荧光。通过比较光致发光光谱随掺杂浓度的变化,得出C6掺杂纳米颗粒的浓度猝灭是因为分子间能量转移而非C6分子聚集所致。另外,由于所选聚合物基质材料PS和PMMA分子结构的区别,导致PS-基质和PMMA-基质的纳米颗粒的光谱形状不同。C 6分子在PS-基质的纳米颗粒中处于两种不同的微环境,所以发射峰较宽;PMMA是线性分子,PMMA-基质的纳米颗粒中只存在一种局域环境,所以发射峰较窄。高的掺杂浓度会超过纳米颗粒对C6分子的负载能力,从而导致C6分子在水溶液中聚集。  
      关键词:香豆素6;荧光;杂化纳米颗粒;浓度猝灭   
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      更新时间:2020-08-12
    • Ba10(PO4)4(SiO4)2∶Eu2+荧光体的光谱特性

      于晶杰, 肖志国, 宁桂玲
      2013, 34(12): 1561-1566. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1561
      摘要:采用高温固相法合成了荧光体Ba10(PO44(SiO42:Ce3+和Ba10(PO44(SiO42:Eu2+,研究了两种荧光体的光谱特性。结果表明,两者都呈现较强的宽带激发特征。根据同种基质中Eu2+和Ce3+两种离子光谱特征的相关性,通过测得的Ba10(PO42(SiO42基质中Ce3+的光谱数据估算了Ba10(PO42(SiO42:Eu2+中Eu2+的斯托克斯位移(ΔS)和激发能量,估算结果与Ba10(PO42(SiO42:Eu2+样品的光谱分析结果十分吻合。Ba10(PO42(SiO42:Eu2+可以同时被紫光和蓝光激发,发出偏白的绿光,可用作白光LED的荧光粉。  
      关键词:发光材料;光谱;Eu2+;Ce3+;Ba10(PO4)2(SiO4)2   
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      更新时间:2020-08-12
    • 含噻二唑聚芴类白光聚合物的合成与发光性能研究

      逄辉, 曹建华, 隋岩, 李雅敏, 华瑞茂
      2013, 34(12): 1567-1571. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1567
      摘要:通过Suzuki偶联反应将2,7-二溴-9,9-二辛基芴(Br-DOF)、2,7-二硼酸-9,9-二辛基芴(B-DOF)和4-(8-(2,7-二溴-9-辛基芴)辛氧基)-N-4-(7-(4-(二苯胺基)苯基)苯并噻二唑)苯基-二苯胺(Br-TAF)共聚,合成了白光聚合物PDOF-TAF。以PDOF-TAF为发光层,溶液旋涂制备了非掺杂型单层白光有机电致发光二极管,色坐标为(0.23,0.18)。通过插入电子传输层TPBI和空穴传输层PVK得到的白光器件发射光谱覆盖了410~700 nm区域,色坐标从(0.23,0.18)调整到(0.24,0.32),亮度达到2 020 cd/m2,电流效率达到1.4 cd/A。实验结果表明,PDOF-TAF是一种很好的白光聚合物发光材料,在WOLED中将有很好的应用前景。  
      关键词:白光;芴;聚合物;白色有机电致发光   
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      更新时间:2020-08-12
    • 激发波长和带宽对Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃发光性质的影响

      任林娇, 雷小华, 陈伟民, 杜晓晴, 冯永安, 金雷
      2013, 34(12): 1572-1578. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1572
      摘要:采用双高斯函数拟合不同中心波长和带宽的LED芯片光谱,并根据荧光分光光度计的测量结果推算不同LED芯片激发下的Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃的发射光谱和色温。结果表明,当芯片带宽不变,中心波长从370 nm右移到378 nm时,Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃色温逐渐下降。当芯片中心波长不变,带宽从10 nm增加到25 nm时,Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃的色温变化与中心波长有关。在芯片发光稳定的前提下,带宽变化对Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃色温的影响小于中心波长改变的影响,故当Ce/Tb/Eu共掺发光玻璃应用于LED发光时,需优先选择芯片的中心波长。  
      关键词:发光玻璃;LED芯片;激发波长;带宽   
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      更新时间:2020-08-12
    • β-NaGdF4纳米球中Tb3+-Er3+下转换对局域态密度的尺寸效应

      刘春旭
      2013, 34(12): 1579-1584. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1579
      摘要:以Span 80 为模板,采用水热法合成了不同尺寸(4.7~115.5 nm)的β-NaGdF4:1%Tb3+,1%Er3+ 纳米晶(NCs)。在Rayleigh限(粒子尺寸小于跃迁波长)下,研究了纳米晶尺寸对局域态密度(Local density of states,LDOS)的影响以及镶嵌在β-NaGdF4纳米球中的Tb3+-Er3+的辐射和无辐射特性,进一步揭示下转换过程的物理机制。基于Tb3+-Er3+ 处在 β-NaGdF4纳米球中的模型,用Green函数方法计算了Tb3+-Er3+ 发射体的自发发射速率。在介电纳米球内,Tb3+-Er3+发射体的LDOS没有显著的变化。在小尺寸(R<<λ)介电纳米球外,按照Chew的理论,发现LDOS有一个类-Gauss分布。如果R>35 nm(在本实验条件下),介电纳米球外则只能观测到LDOS 的下降边,LDOS与局域场强的平方E2成正比,因而LDOS的类高斯分布出现的原因应归于小尺寸发射体与局域场相互作用的增强。通过计算纳米晶尺寸与体材料自发辐射速率的比值可直接确定纳米材料中的填充因子。  
      关键词:能量下转换;β-NaGdF4介电纳米球;自发发射速率;局域态密度   
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      更新时间:2020-08-12
    • Yb3+/Er3+共掺BaGd2O4荧光粉的制备及其上转换发光性质

      杨艳民, 张娇, 苏献园, 米超, 李晓红, 于芳, 李志强
      2013, 34(12): 1585-1590. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1585
      摘要:采用溶胶-凝胶法制备了Yb3+/Er3+共掺杂BaGd2O4上转换荧光粉。研究了退火温度对BaGd2O4晶体结构的影响,以及Yb3+/Er3+共掺杂的BaGd2O4荧光粉在971 nm LED激发下,激发密度与上转换发射光功率及效率的关系。研究结果表明,尽管BaGd2O4与目前报道效率最高的Yb3+/Er3+共掺杂BaGd2ZnO5基质的最高声子能量相同,但光-光转换效率却相差82倍,极值量子效率相差7.8倍。结论认为,在声子能量不是很高的情况下,材料结构是影响上转换效率的主要因素。  
      关键词:上转换发光;BaGd2O4;效率;Yb3+/Er3+   
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      更新时间:2020-08-12
    • 二氧化硅对稀土掺杂二氧化钛薄膜形貌与发光性能的影响

      李连强, 刘俊成, 邹开顺, 孟小琪
      2013, 34(12): 1591-1595. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1591
      摘要:为提高稀土掺杂TiO2薄膜的上转换效率,采用溶胶-凝胶法和旋涂镀膜工艺制备了Yb3+-Er3+共掺杂SiO2/TiO2上转换光致发光薄膜,研究了SiO2对TiO2薄膜形貌以及发光性能的影响。利用FE-SEM观察了薄膜的表面形貌,利用分光光度计测试了薄膜在近红外光区域的透射率的变化,并用荧光光谱仪测试了薄膜的上转换发光光谱。结果表明:SiO2的掺杂导致TiO2颗粒尺寸显著减小,TiO2薄膜在近红外的透射率也有所下降。在980 nm红外光激发下,SiO2/TiO2薄膜在630~670 nm处获得了明显的上转换红光发射,在516~537 nm和537~570 nm处获得了较弱的上转换绿光发射。由上转换发光强度与激光泵浦功率的关系推知,绿色和红色上转换发光均为双光子吸收发射过程。  
      关键词:溶胶-凝胶;SiO2/TiO2;薄膜;稀土;上转换   
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      更新时间:2020-08-12

      器件制备及器件物理

    • 荧光染料掺杂的高效率、高亮度白色有机电致发光器件

      张刚, 田晓萃, 高永慧, 常喜, 汪津, 姜文龙, 张希艳
      2013, 34(12): 1603-1606. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1603
      摘要:制备了结构为 ITO/NPB(30 nm)/Rubrene(0.2 nm)/CBP:Bczvbi(8 nm,x%)/Bphen(30 nm)/Cs2CO3:Ag2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件。研究了Bczvbi掺杂浓度(x=5,10,15)对白光器件性能的影响。综合利用发光层中主客体之间的能量转移和空穴阻挡层的空穴阻挡特性,得到了高效率、高亮度的白色有机电致发光器件。当Bczvbi的掺杂质量分数为10%时,器件的效率和亮度都为最大。驱动电压为7 V时,最大电流效率为4.61 cd/A;驱动电压为9 V时,最大亮度为21 240 cd/m2。当驱动电压从4 V增加到9 V时,色坐标从(0.36,0.38)变化为(0.27,0.29),均处于白光区域。  
      关键词:掺杂浓度;能量转移;效率;亮度   
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      更新时间:2020-08-12
    • 位错形态与GaN外延薄膜电阻率之间的关系

      甄慧慧, 鲁麟, 刘子超, 尚林, 许并社
      2013, 34(12): 1607-1612. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1607
      摘要:利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),通过改变生长过程中成核层退火阶段的反应室压力,在蓝宝石衬底上制得了不同阻值的GaN外延薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对所生长的GaN薄膜的表面形貌、位错密度和位错形态进行了研究。结果表明,GaN的电阻率与位错形态之间存在密切联系,由此建立了模型来解释两者之间的关系。由于刃型位错附近存在负电荷,因此可为电子提供传导通道。在低阻GaN中,绝大多数位错发生弯曲和相互作用,在平行于基底方向上形成负电荷的导通通道,GaN薄膜的电导率较高。在高阻GaN中,位错生长方向垂直于基底,负电荷很难在平行于基片方向上传导,GaN薄膜的电导率很低,由此得到高阻GaN。  
      关键词:氮化镓;位错形态;高阻;金属有机物化学气相沉积   
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      更新时间:2020-08-12
    • 利用PC2D优化高方阻均匀发射极电池的栅线电极

      尹岚, 李达, 沈辉, 黄岳文
      2013, 34(12): 1613-1617. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1613
      摘要:利用新型二维PC2D软件研究高方阻均匀发射极太阳能电池的栅线电极对电池性能的影响,通过对细栅线的宽度和排布方式的优化,增大填充因子,找到常规电池的效率极限。结果表明,在不采用复杂电池结构的情况下,以现有大规模生产工艺条件为基础,细栅线优化后(正面细栅线109根,线宽为40 μm),在常规电池中能实现19.09%以上的效率。  
      关键词:PC2D;栅线电极优化;转换效率   
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      更新时间:2020-08-12
    • 磷酸酯聚芴阴极界面修饰层对聚合物电致发光性能的影响

      侯建华, 罗劲松, 李颜涛, 范翊, 刘星元
      2013, 34(12): 1618-1623. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1618
      摘要:发展了基于稳定金属电极的阴极界面材料,对促进聚合物电致发光器件的产业化进程具有重要意义。侧链含磷酸酯功能基团的聚芴衍生物(PF-EP)是一种极性聚合物中性材料,能溶于乙醇等醇类溶剂,非常适合制备多层溶液加工型发光器件。除此之外,它结合稳定的金属Al电极能实现有效电子注入。本文以PF-EP在绿光聚芴发光器件中的应用为例,详细对比分析了两种基于PF-EP的阴极电极结构(PF-EP/LiF/Al和PF-EP/Al)的器件EL性能。结果显示,PF-EP/LiF/Al阴极结构具有更优异的电子注入能力。基于单电子器件和X射线光电子能谱,本文对这一高效电子注入结构的注入能力和注入机理进行了探讨。  
      关键词:磷酸酯聚芴;界面修饰;聚合物电致发光   
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      更新时间:2020-08-12
    • 王志斌, 张骞, 张健, 刘丽君
      2013, 34(12): 1624-1630. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1624
      摘要:为了提高GaN基LED的光提取效率,构建了一种在金属银膜上下表面分别刻蚀光栅结构的双光栅LED模型。利用时域有限差分法(FDTD)进行数值模拟,比较了无银膜、无光栅、单光栅、双光栅模型下LED的光提取效率。结果表明:在光栅周期为300 nm,占空比为0.23,银膜厚度为30 nm,光源深度为150 nm时,光提取效率较单光栅结构提高了6倍,较无光栅结构提高了16倍。  
      关键词:发光二极管;时域有限差分法;光提取效率;表面等离子激元   
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      更新时间:2020-08-12
    • 基于金纳米棒可饱和吸收体的被动调Q掺铒光纤激光器

      许阳, 康喆, 贾志旭, 刘来, 赵丹, 秦冠仕, 秦伟平
      2013, 34(12): 1631-1635. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1631
      摘要:利用种子诱导生长法制备了长径比为5的金纳米棒,测量了它的吸收谱,结果表明该纳米棒具有较宽的吸收带(800~1 600 nm)。进一步测量了它的非线性吸收性质,结果表明它在1.56 μm波长处具有可饱和吸收特性,有望被用于实现被动调Q脉冲激光的输出。将该可饱和吸收体置于掺铒光纤激光器腔内,当泵浦功率增至30 mW时开始有稳定的调Q脉冲激光输出,输出激光的工作波长为1.56 μm。当泵浦功率为205 mW时,可获得的最大输出功率约6.9 mW,脉冲能量达219 nJ。研究结果表明,这种新型可饱和吸收体在脉冲激光领域具有广阔的应用前景。  
      关键词:金纳米棒;非线性光学;光纤激光器;被动调Q   
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      更新时间:2020-08-12
    • 808 nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析

      张金胜, 宁永强, 张金龙, 张建伟, 张建, 王立军
      2013, 34(12): 1636-1640. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1636
      摘要:为了研究温度对808 nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵输出特性的影响,通过变温塞耳迈耶尔方程计算了InGaAlAs量子阱VCSEL的温度漂移系数。采用非闭合环结构,制备了2×2 的808 nm垂直腔面发射激光器列阵,每个单元的出光口径为60 μm。通过热沉温度调节,对不同温度下的列阵激射波长、光功率以及阈值电流进行了测量。在温度为20 ℃、脉宽为50 μs、重复频率为100 Hz的脉冲条件下,列阵的最大输出功率达到56 mW,中心光谱值为808.38 nm,光谱半宽为2.5 nm,连续输出功率达到22 mW。通过变温测试,发现输出功率在50 ℃以上衰减剧烈,列阵的温漂系数为0.055 nm/℃。实验测得的温漂系数与理论值保持一致。  
      关键词:808 nm;垂直腔面发射激光器;列阵;温漂特性   
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      更新时间:2020-08-12
    • 胡雪花, 李福山, 吴朝兴, 郭太良
      2013, 34(12): 1641-1645. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1641
      摘要:以聚3-己基噻吩(P3HT)和富勒烯衍生物(PCBM)体系的有机太阳能电池器件为基础,采用喷涂法制备了有机太阳能电池的空穴传输层和有机功能层,研究了基底温度对薄膜的形貌和器件性能的影响,并采用喷涂技术制备了一面积为11.2 cm2的大面积有机太阳能电池器件。研究发现,随着基底温度的升高,薄膜的粗糙度下降,吸收率提高,当基底温度为130 ℃时器件的性能最优,面积为25 mm2的器件的能量转换效率为2.09%。将多个独立的小面积电池进行串联和并联,制备了有效面积为11.2 cm2的大面积有机太阳能电池组件,其能量转换效率为1.83%,在面积增大44.8倍的情况下,效率仅损失不到13%。  
      关键词:喷涂;有机太阳能电池;P3HT:PCBM;大面积;串并联   
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      更新时间:2020-08-12
    • 陈翔, 邢艳辉, 韩军, 霍文娟, 钟林健, 崔明, 范亚明, 朱建军, 张宝顺
      2013, 34(12): 1646-1650. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1646
      摘要:采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的AlxGa1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlxGa1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分(25%)范围内,获得的 HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×1013 cm-2和1 680 cm2/(V·s),方块电阻低至310 Ω/□。  
      关键词:Al组分;AlGaN;高电子迁移率晶体管;电学性质;MOCVD   
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      更新时间:2020-08-12

      发光学应用及交叉前沿

    • 连续氙灯发光光谱的设计与应用研究

      陈文志, 张然, 钟楚巍, 张凤燕
      2013, 34(12): 1651-1656. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1651
      摘要:对太阳实际光谱与连续氙灯的光谱进行了测试,结果显示氙灯发光光谱的红外部分占全部光谱的55.6%,与实际太阳光谱的28.4%有较大差别。依据这种差别进行光谱曲线拟合,得到925 nm最低点的透过率曲线。采用滤光片对氙灯发光光谱的红外部分光强进行适当过滤,测得过滤后的光谱达到标准匹配度。通过测试滤光后6个不同位置点的光谱发现,光谱最大偏差仅为12.5%,表明过滤后的氙灯光谱均匀性较好。利用电致发光检测有缺陷的硅电池进行电池的电性能测试,发现经过采用滤光片和未采用滤光片的连续氙灯光照测试的Ⅰ-Ⅴ电性能值不同,功率相差0.22 W,表明氙灯光谱匹配度直接影响电池电性能测试的准确度。  
      关键词:连续氙灯;光谱匹配度;透过率;电性能   
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      更新时间:2020-08-12
    • 亚波长之字形MIM等离子波导宽带滤波器

      李伟军, 向东
      2013, 34(12): 1657-1661. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1657
      摘要:运用时域有限差分(FDTD)方法数值研究了一种亚波长之字形金属-绝缘体-金属(MIM)等离子波导结构的传输属性。之字形波导在连续两个拐角可向外延伸出1~4个短切口。每个切口独立构成一个谐振腔,谐振波长近似与切口深度成线性正比,而与切口方向无关。当任意一个切口满足谐振条件时,该波导结构在对应波长的透射率均趋近于0。随着同深度切口数目的增加,禁带波长区域逐渐展宽,形成一个良好的宽带滤波器。  
      关键词:亚波长;表面等离子激元;等离子波导;滤波器   
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      更新时间:2020-08-12
    • 李小芳, 冯小强, 杨声, 王霞
      2013, 34(12): 1662-1666. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1662
      摘要:采用紫外光谱和循环伏安法,研究了丁二酰化壳寡糖稀土配合物(BCS-La、BCS-Nd)与鲱鱼精DNA之间的作用方式。BCS-La、BCS-Nd的存在导致Fe(CN)63-/4-探针分子峰电流下降,式量电位正移,表明BCS-La、BCS-Nd和探针分子与DNA之间存在竞争性作用;BCS-La和BCS-Nd分子都是通过插入方式与DNA相互作用。在一定的扫描速率范围内(0.01~0.2 V/s),在BCS-La或BCS-Nd参与的条件下,Fe(CN)63-/4-在Au/DNA电极上的反应受吸附控制。BCS-La和BCS-Nd分别使得鲱鱼精DNA的特征峰产生明显的减色效应,最大吸收峰峰位红移,进一步表明BCS-La和BCS-Nd分别以插入方式与鲱鱼精DNA发生相互作用,导 致DNA分子的构象变化。BCS-La与DNA的结合比为:n(BCS-La):n(DNA)=2:1;n(BCS-Nd):n(DNA)=6:1。  
      关键词:丁二酰化壳寡糖;稀土;配合物;鲱鱼精DNA   
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      更新时间:2020-08-12
    • 基于密度泛函理论的多环芳烃硝基衍生物的生物毒性预测

      蔡啸宇, 姜龙, 曾娅玲, 李鱼
      2013, 34(12): 1667-1671. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1667
      摘要:采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-311++G(d,p)基组水平下对16种多环芳烃(PAHs)及6种多环芳烃硝基衍生物进行了拉曼光谱、极化率、偶极矩、热力学、结构优化及能量等40种参数进行计算。以13种PAHs对发光菌的-lgEC50值做因变量,以另外3种多环芳烃数据作为验证,构建了基于量子化学参数的PAHs毒性定量结构-活性相关(QSAR)模型,预测PAHs硝基衍生物的毒性。经验证,所建立的QSAR模型的模拟系数为0.816,模型预测的PAHs硝基衍生物毒性排序与文献报道的PAHs硝基衍生物对鼠伤寒沙门氏菌的毒性排序一致,表明所建模型可用于PAHs及其硝基衍生物的生物毒性预测,从而为控制和预测PAHs及硝基衍生物毒性提供理论依据。  
      关键词:密度泛函理论;定量结构-活性相关模型;多环芳烃;硝基衍生物;生物毒性   
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      更新时间:2020-08-12
    • 含复合缺陷层的光子晶体的光学特性

      陈磊, 温廷敦, 许丽萍, 王志斌
      2013, 34(12): 1672-1676. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1672
      摘要:运用传输矩阵法研究了在一维光子晶体中插入缺陷层的透光特性。在无缺陷层的一维光子晶体中能产生467~510 nm、1 279~1 715 nm两处明显的光子带隙。重点研究了插入缺陷层后,在1 279~1 715 nm的光子带隙中缺陷层厚度和入射角度大小分别与透射光谱变化的关系。研究发现:缺陷模的位置对入射角变化很敏感;出现缺陷模的数量和插入缺陷层的数量相同;一维光子晶体厚度的增大不会改变缺陷模的数量和位置,只改变透射峰的宽度和透射率。  
      关键词:光子晶体;光子带隙;一维光子晶体缺陷模;滤波器   
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      更新时间:2020-08-12
    • 基于PSO粒子群算法的LED照明系统光照均匀性研究

      赵芝璞, 季凌燕, 沈艳霞, 苏宙平
      2013, 34(12): 1677-1682. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1677
      摘要:实现大功率LED阵列在目标平面上的照度均匀分布对于照明系统具有十分重要的意义。不同于传统解析计算方法,本文采用粒子群(PSO)算法来优化平面随机分布的LED阵列结构,使其在目标光照平面上光照分布均匀。首先推导了LED阵列的照度分布函数,并在此基础上以光照函数的标准差构建一个评价函数,衡量光照分布均匀度。在Matlab中编程获得光照分布最优时候的LED阵列结构数据,并将几何模型导入光学仿真软件Tracepro中进行优化模拟,仿真结果表明该算法有效可行。  
      关键词:LED阵列;粒子群算法;光照度;均匀化   
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      更新时间:2020-08-12
    • 具有表面波完全极化禁带的平面特异材料的定向辐射效应

      曹扬, 刘元云, 余兴, 吴秉横, 顾昊, 冯红全, 李宏强
      2013, 34(12): 1683-1686. DOI: 10.3788/fgxb20133412.1683
      摘要:从理论和实验上研究了镂有三角晶格小孔阵列的金属薄板表面波禁带行为,通过改变小孔直径以及其他几何参数,发现三角晶格是表面波完全极化禁带产生的原因。利用该表面波完全禁带实现了点源的定向辐射。通过测量放在该平板表面的偶极子天线辐射源的远场方向图,观测到在表面波完全禁带里面,远场方向图的E面和H面半高宽分别只有5.6°和6.2°。  
      关键词:特异材料;表面波完全极化禁带;定向辐射   
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      更新时间:2020-08-12
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