最新刊期

    2008年第29卷第6期

      纳米和无定型材料的发光

    • 稀土掺杂氧化物纳米发光材料研究

      宋宏伟
      2008, 29(6): 921-936.
      摘要:综述了稀土掺杂纳米发光材料方面的研究进展;主要介绍稀土掺杂氧化物纳米晶与体相材料相比所具有的一些特有的光谱学性质,包括光谱的移动与谱线的展宽、4fN电子的跃迁与弛豫过程、表面局域环境和格位对称性、电子-声子耦合、能量传递、浓度猝灭、温度猝灭以及光诱导发光强度变化等光谱现象,同时也探寻了其中的物理实质.主要对上转换纳米发光材料和一维纳米线/管的发光性质进行了介绍.  
      关键词:稀土;纳米晶;光致发光;表面效应;能量传递   
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      更新时间:2020-08-12
    • Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性

      申继伟, 郭亨群, 吕蓬, 徐骏, 陈坤基, 王启明
      2008, 29(6): 1045-1049.
      摘要:采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料.利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征.通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收.由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10-7,1.1×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大个数量级.对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强.  
      关键词:Si/SiNx超晶格;三阶非线性极化率;Z-扫描;射频磁控反应溅射   
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      更新时间:2020-08-12
    • 退火氧化生成的硅锗低维结构的光致发光性质

      王海旭, 冯彩玲, 金锋
      2008, 29(6): 1050-1054.
      摘要:用激光辐照辅助电化学刻蚀的方法加工硅锗薄膜样品,30min后,在样品表面形成了多孔状的结构,该结构在724nm处有很强的光致发光(PL)峰.将该多孔状结构的样品置于高温氧化炉中进行不同时间的退火氧化处理后,发现在不同的退火氧化条件下样品的PL光谱发生了明显的变化.通过分析,作者根据量子受限(QC)和量子限制-发光中心(QCLC)模型,建立了新的量子受限-晶体与氧化物界面态综合模型来解释样品PL发光的变化.  
      关键词:光致发光;低维纳米结构;多孔硅锗;界面态   
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      更新时间:2020-08-12
    • 纳米SrMoO4:Yb,Er上转换发光粉的合成及其性质

      李娜娜, 安志勇, 高艳敏, 白旭, 杨魁胜
      2008, 29(6): 1055-1058.
      摘要:以柠檬酸为络合剂,用溶胶-凝胶法制备出纳米级上转换发光粉SrMoO:Yb,Er.XRD、TEM确定了样品SrMoO:Yb,Er是四方晶系,其粒径约为70nm,属于多晶.实验表明:用980nmLD对其进行激发,在室温下观察到了526,58nm附近的绿光发射和652nm附近微弱的红光发射,分别对应于Er3+离子2H11/24I15/2,4S3/24I15/24F9/24I15/2的跃迁;当n(Yb)/n(Er)为7:1时,上转换发光强度最强.由激发功率与发光强度的关系得出绿光和红光发射均为双光子过程.  
      关键词:溶胶-凝胶;上转换发光;纳米粉末   
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      更新时间:2020-08-12
    • 不同介质里Gd2O3:Eu3+纳米晶中Eu3+的自发辐射

      刘春旭, 张继森, 吕少哲, 刘俊业
      2008, 29(6): 1059-1062.
      摘要:对不同介质包围的Gd2O3:Eu3+纳米颗粒的发光性质进行了研究.从发射光谱观察到Eu3+的f组态内跃迁峰位受周围介质的影响不大.Gd2O3纳米颗粒中Eu3+5D0的自发发射寿命受周围介质的局域场影响很大,主要与介质的有效折射率和纳米颗粒的填充率有关.有两种模型可以描述自发辐射寿命与周围介质的相互作用:Onsanger-实腔模型与Lorentz虚腔模型.本实验结果表明,实腔模型比较合理,而虚腔模型与实验数据偏差较大.  
      关键词:Gd2O3:Eu3+纳米晶;局域场;折射率;自发辐射寿命   
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      更新时间:2020-08-12
    • 稀磁ZnO纳米颗粒的生长和性能

      王引书, 林三井, 王若桢, 高有辉
      2008, 29(6): 1063-1066.
      摘要:利用Zn、Fe、Mn、Co的铜铁试剂盐为前驱体,胺为表面包裹剂,在200℃N2保护下生长了2%的过渡金属离子掺杂的ZnO稀磁纳米晶体,研究了纳米晶体的结构、形态、光学和磁学性能.所有ZnO纳米晶体均为近圆形的颗粒,晶体结构为六角纤锌矿结构,无其他氧化物相的析出,但过渡金属离子的掺入使纳米颗粒的尺寸增大.在掺杂纳米颗粒的吸收谱和发射谱中均可以观察到明显的激子吸收和发射峰,所有纳米颗粒在温度高于3K时只有顺磁性.  
      关键词:稀磁纳米颗粒;光学性能;顺磁性   
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      更新时间:2020-08-12
    • 银纳米链状材料的制备及近红外吸收性质

      刘钟馨, 宋宏伟
      2008, 29(6): 1067-1070.
      摘要:报道了利用水/油相界面反应,采用湿化学法合成银纳米链状材料的方法,并对这种材料的近红外吸收性质和光热转换性质进行了研究.TEM分析表明,银纳米材料为链状结构,直径约为50nm,长度分布范围较宽,从几十纳米至几百纳米.这种材料具有强的近红外吸收特性,随着还原剂加入量的增加,吸收带逐渐展宽(800~1300nm),而且平坦.这种材料具有优异光热转换性质,一经808nm激光照射,温度迅速提高.该材料优异的近红外吸收和光热转换性质,使其在红外断层成像和近红外热疗等领域具有广阔的应用前景.  
      关键词:银纳米链;SPR红外吸收;光热转换   
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      更新时间:2020-08-12
    • InGaN蓝光与CdTe纳米晶基白光LED

      易觉民, 李红博, 唐芳琼, 宋振阳, 杨志坚, 张国义
      2008, 29(6): 1071-1075.
      摘要:报道了倒装焊InGaN蓝光LED与黄光CdTe纳米晶的复合结构.利用蓝光作为CdTe纳米晶的激发源,通过光的下转换机制,将部分蓝光转化为黄光,复合发射出白光.室温下正向驱动电流为10mA时,发光色品坐标为x=0.29,y=0.30.实验表明,该复合结构白光LED的一大优点在于,复合光的色品坐标几乎不随正向驱动电流大小变化,颜色稳定.  
      关键词:氮化镓;白光;发光二极管;碲化镉;纳米晶;纳米荧光粉   
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      更新时间:2020-08-12
    • 带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质

      甘新慧, 廖远宝, 刘东, 戴明, 徐岭, 吴良才, 马忠元, 徐骏
      2008, 29(6): 1076-1080.
      摘要:CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料.分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响.紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大.  
      关键词:CdS纳米晶薄膜;化学浴淀积法;紫外可见光吸收谱   
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      更新时间:2020-08-12
    • Tb(Asprin)3Phen/SiO2 壳/核型纳米材料的合成和光学性质

      王艳, 秦伟平, 张继森, 曹春燕, 张继双, 金叶, 朱培芬, 尉国栋, 王丽丽, 王国凤
      2008, 29(6): 1081-1085.
      摘要:利用W/O微乳液方法合成了直径为40nm的具有类壳/核结构的Tb(Asprin)3Phen/SiO2纳米球.透射电子显微镜(TEM)证实了该纳米球具有尺寸均一,分散性好的特点.另外,通过TEOS与APS在微乳液中同时水解,在材料的表面引入了大量的氨基,为材料的生物应用提供了有利的条件.红外光谱(FT-IR)和光致发光光谱分析也显示了这种材料在生物领域中有着潜在的应用前景.  
      关键词:稀土;微乳液;壳/核结构;乙酰水杨酸   
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      更新时间:2020-08-12

      半导体发光、激光和光电性质

    • 高质量ZnO微米棒的制备及其光学性质

      李雪, 李金华, 方铉, 魏志鹏, 王晓华
      2008, 29(6): 937-940.
      摘要:利用水热法制备ZnO微米棒.醋酸镁[Mg(CH3COO)2·H2O]、醋酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]和六次甲基四胺(C6H12N)以一定比例配置成反应溶液,把反应溶液加热到90℃,反应时间为2h,能够在硅衬底上生长高质量的ZnO微米棒.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪对ZnO微米棒的晶体结构和表面形貌进行了分析,结果表明,样品为细长条棒状结构,呈现六方纤锌矿结构,长径比可达10:1,并且在[002]方向择优生长.在样品中并未发现镁离子,它有可能扮演着催化剂的角色.对ZnO微米棒的光致发光性能进行测量,由PL光谱分析可知,样品在38nm处有一个紫外发光峰,半峰全宽为13nm,紫外发光峰强度比可见发光峰强度大的多,样品的质量较好.  
      关键词:ZnO微米棒;水热法;光致发光   
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      更新时间:2020-08-12
    • 热蒸发法Zn/ZnO叶状微米结构自组装生长及其发光特性

      臧春雨, 贾志旭, 陈庆友, 张亮, 司振君, 宋静, 王新伟, 吕景文
      2008, 29(6): 945-949.
      摘要:采用热蒸发法在ZnO缓冲层覆盖着Si衬底上合成了2D叶状的Zn晶枝结构,Zn的晶枝长度约为几十微米,厚度约为200nm,随后Zn晶枝在O2的气氛下热处理,在晶枝表面获得纤细、均匀的ZnO纳米线.晶枝按照无催化、自组装、汽相生长模式生长,晶枝最快生长方向是沿着载气气流的方向释放凝固潜热,XRD分析结果结果显示了Zn纳米线具有六角纤锌矿结构,Zn/ZnO的发光谱显示,在380nm处有一弱的UV近带边发射和中心在0nm处的强绿光发射,绿光发射归因于施主/受主对之间的辐射跃迁.  
      关键词:热蒸发;氧化锌;微米结构;光致发光   
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      更新时间:2020-08-12
    • 双模自组织量子点光致发光的温度依赖性

      邓浩亮, 姚江宏
      2008, 29(6): 1023-1026.
      摘要:采用稳态速率方程模型,对双模自组织量子点光致发光的温度依赖性进行了研究,模拟获得了不同温度下双模自组织量子点的光致发光光谱,并进一步研究了两组量子点分布的光致发光强度比的温度依赖性.研究表明:在低温下(<75K),两组量子点分布的发光强度比基本保持不变;随着温度的升高(75K<T<150K),两组量子点分布的发光强度比将持续增大,且当温度为150K时达到峰值;当温度高于转折温度(150K)后,两组量子点分布的发光强度比显著减小.  
      关键词:双模自组织量子点;光致发光;热激发   
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      更新时间:2020-08-12
    • MSM结构ZnO紫外探测器的制备与性质

      赵春雨, 张吉英, 王晓华, 申德振, 姚斌, 赵东旭, 张振中, 李炳辉
      2008, 29(6): 1027-1030.
      摘要:采用射频磁控溅射在石英衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜,利用蚀刻技术制备了MSM结构的光导型紫外探测器.在3V偏压下,器件的暗电流小于250nA,光响应峰值在370nm,响应度是0.3A/W.其紫外(360nm)与可见光(20nm)的抑制比为个数量级.器件的光响应时间上沿仅为20ns.  
      关键词:ZnO薄膜;MSM;光导紫外探测器;射频磁控溅射   
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      更新时间:2020-08-12
    • Co和Mn共掺杂ZnO铁磁性的第一性原理

      毕艳军, 郭志友, 林竹, 董玉成
      2008, 29(6): 1031-1035.
      摘要:基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Co单独掺杂ZnO和(Co,Mn)共掺杂ZnO的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了纤锌矿结构ZnO、Co-ZnO及(Co,Mn)共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度,并对此进行了详细的分析.计算结果表明,ZnO中单独掺杂Co元素显示出铁磁性行为,Mn的引入减弱了Co-ZnO的铁磁性.  
      关键词:氧化锌;第一性原理;铁磁性   
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      更新时间:2020-08-12
    • 溶胶-凝胶法制备Zn1-xMgxO薄膜及其发光性质

      周军, 方庆清, 王保明, 李貌, 闫方亮, 王胜男
      2008, 29(6): 1036-1040.
      摘要:采用溶胶-凝胶工艺在玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.,0.6,0.7)薄膜.X射线衍射(XRD)谱测试结果发现:在0.1<x<0.3范围内,薄膜仍然保持纯ZnO六角纤锌矿结构,(002)面衍射峰位向大角度方向移动;x>0.3时出现MgO立方相.薄膜光致发光谱研究表明紫外发光峰随Mg含量的增加向短波方向移动,且随着退火温度的升高发生明显蓝移,禁带宽度增大.但是退火温度为90℃的样品较60℃样品的发光峰出现红移.  
      关键词:氧化锌薄膜;结构;禁带宽度;光致发光   
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      更新时间:2020-08-12

      材料合成及性能

    • Sr3B2O6:Tb3+,Li+绿色荧光粉的发光特性

      杨志平, 赵方亮, 李小宁, 赵金鑫, 路亚娟
      2008, 29(6): 941-944.
      摘要:用高温固相法合成了Sr3B2O6:Tb3+,Li+绿色荧光粉,并研究粉体的发光性质.发射光谱由位于黄绿区的个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于95,58,598,625nm,对应了Tb3+5D47F6,5D47F5,5D47F45D47F3特征跃迁发射,58nm的发射最强.激发光谱表现从200~400nm的宽带,可以被近紫外光辐射二极管(near-ultraviolet light-emitting diodes,UVLED)管芯产生的350~410nm辐射有效激发.研究了Tb3+掺杂和电荷补偿剂对样品发光亮度的影响.Sr3B2O6:Tb3+,Li+是一种适用于白光LED的绿色荧光粉.  
      关键词:Sr3B2O6:Tb3+;Li+;发光   
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      更新时间:2020-08-12
    • 不同制备条件对Zn2SiO4:Mn2+粉末发光性能的影响

      谢晶, 万辉, 张俊英, 丛亮, 张巍巍
      2008, 29(6): 973-978.
      摘要:利用溶胶-凝胶法制备了Zn2SiO4:Mn2+粉末,探讨了体系pH值、热处理温度、煅烧气氛对材料结构和发光性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等分析手段对Zn2SiO4:Mn2+粉末的结构、颗粒大小、形貌、发光性能进行了表征.结果表明:溶胶的pH值影响制备的粉体的结晶性和颗粒大小,当溶胶pH值为4.34时,体系水解缩聚反应充分,所得荧光粉的光致发光强度最强;煅烧气氛显著影响荧光粉的发光强度,前驱体在N2(90%)+H2(10%)的还原气氛下煅烧得到的发光粉发光强度最强;最佳热处理温度为900℃.  
      关键词:Zn2SiO4:Mn2+;溶胶-凝胶;pH值;煅烧气氛;光致发光   
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      更新时间:2020-08-12
    • BaAl12O19基质中Eu2+的发光特性

      贺明睿, 肖林久, 田彦文, 陈永杰, 杨瑞琴, 李文泽, 张丽清
      2008, 29(6): 979-983.
      摘要:采用溶胶-凝胶法制备了Eu2+掺杂的BaAl12O19发光粉.通过X射线衍射(XRD)和荧光光谱对荧光粉的晶体结构和发光特性进行检测.结果表明:制得的荧光粉为六方BaAl12O19单相,其发射光谱为一不对称的宽带发射峰,是由三种晶格位置的Eu2+所产生的不同峰值的发射峰叠加而成的.详细考察了晶化温度、Eu2+掺杂浓度和Al3+含量的改变对Eu2+进入不同晶格位置的影响.  
      关键词:BaAl12O19:Eu2+;发光特性;晶格位置   
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      更新时间:2020-08-12
    • 白光LED用YAG:Ce3+荧光粉的温度猝灭性质

      李慧娟, 邵起越, 董岩, 蒋建清, 梁超, 何锦华
      2008, 29(6): 984-988.
      摘要:荧光粉的温度猝灭性质是影响白光LED的光效、光色参数和可靠性的关键因素之一.研究了不同激活剂浓度,不同元素掺杂的Y3-xCexAlO12(YAG:Ce3+)荧光粉在460nm光激发下的变温亮度和发射光谱.结果表明温度显著影响YAG:Ce3+荧光粉的发光性能,随着温度的升高,发光强度下降,同时发射光谱红移.Ce含量为0.07(原子数分数)的YAG:Ce3+荧光粉,10℃下亮度值约为室温时的89%,200℃时的发射光谱相对室温的红移了约10nm.Ce含量的改变对YAG:Ce3+荧光粉的热猝灭性质影响较小.Lu的掺杂使YAG:Ce3+荧光粉的发射波长蓝移,同时会显著改善荧光粉的热猝灭性能.Gd的掺杂使荧光粉的发射波长红移,同时也会导致热猝灭性能的劣化.  
      关键词:白光LED;YAG:Ce3+荧光粉;温度猝灭   
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      更新时间:2020-08-12
    • 李雪征, 王达健, 顾铁成, 毛智勇, 刘艳花
      2008, 29(6): 989-995.
      摘要:分别采用溶胶雾化-微波烧成工艺和高温固相法制备了用于白光发光二极管的Ba3MgSi2O8:Eu,Mn,Al荧光粉.溶胶雾化-微波烧成两步法制备的样品物相纯度和结晶度都比较高,具有中心位置43,500,608nm的三色发射带.在35nm紫外光激发下,发光的色坐标为x=0.3253,y=0.2134,相关色温391K,可得到预期的白光发射.其中蓝、绿两个发射带分别来自于Ba3MgSi2O8和Ba2SiO4晶格中Ba2+格位的替位原子Eu2+的5d-4f跃迁,红光发射带源于Ba3MgSi2O8中Mn2+的4T-6A跃迁发射.红光的激发谱与蓝光的激发谱几乎重合,可以确定在Ba3MgSi2O8:Eu,Mn,Al发光过程中存在着从蓝光发射中心到红光发射中心的能量传递.但是,与通常的共振能量传递模型不同,蓝光发射谱与红光激发谱之间并没有明显的光谱重叠.相比之下,高温固相法样品没有观察到红光发射,这一方面是由于生成的Ba2SiO4中杂相较多,激发光很大一部分被Ba2SiO4晶格中的Eu2+绿光发光中心吸收,传递到Mn2+红光发光中心的能量减少;另一方面与固相法中Mn2+在Ba3MgSi2O8晶格中掺杂困难有关.  
      关键词:Ba3MgSi2O8:Eu;Mn;Al发光粉;微波烧成;喷雾干燥;能量传递;白光二极管   
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      更新时间:2020-08-12
    • 水热合成六方相NaYbF4:Er3+/Tm3+的上转换白光性质

      梁利芳, 庄健乐, 吴昊, 王静, 吴明娒, 苏锵
      2008, 29(6): 996-1002.
      摘要:在反应温度为220℃,反应时间为48h的温和条件下,利用水热法合成单掺杂或共掺杂Tm3+、Er3+的六方相NaYbF4体系,利用X射线粉末衍射、紫外-可见-近红外漫反射吸收光谱以及荧光光谱等测试手段,分析体系的物相结构和荧光性能.在980nm红外激光的激发下,NaYbF4:Er3+体系能发出强的绿光和红光,两者分别对应于Er3+离子的(2H11/2,4S3/2)→4I15/24F9/24I15/2能级跃迁;NaYbF4:Tm3+体系能发出对应于Tm3+离子1D23F41G43H6能级跃迁的强蓝光;而NaYbF4:Er3+/Tm3+体系能同时发出红蓝绿三种颜色的光;各发射的归属与单掺杂相同,但由于Er3+和Tm3+离子之间存在能量交叉弛豫,致使各发光强度发生变化.通过控制Er3+和Tm3+离子的浓度及其比例,可以调整NaYbF4:Er3+/Tm3+体系的上转换蓝光、绿光和红光强度的比例,结果表明,在980nm红外激光的激发下,NaYbF4:Er3+/Tm3+(0.4%/0.4%)能发出近似白光的上转换发射.因此,NaYbF4:Er3+/Tm3+有望成为单一基质的上转换白光材料.  
      关键词:上转换;白光;水热合成;发光;复合氟化物   
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      更新时间:2020-08-12
    • 高掺杂Nd:KGW激光晶体的上转换发光

      陶少宏, 江海河, 李林峰, 罗建乔, 殷绍唐
      2008, 29(6): 1003-1007.
      摘要:在808nm光纤耦合输出的LD激励下,Nd:KGW辐射出很强的橙黄光,测量了上转换荧光谱,其峰值出现在67,631,610,96,40nm处.分析了其产生的可能跃迁过程,讨论了上转换过程对Nd离子红外激光振荡的影响和上转换激光应用的可行性,并与Nd:YLF的上转换光谱进行对比研究.研究表明,对高掺杂Nd:KGW晶体在高功率抽运下会发生光子雪崩过程,Nd离子在两种材料中均出现黄绿波段的上转换荧光,其上转换激光较难实现.  
      关键词:上转换发光;Nd:KGW;橙黄色发光;能量转移   
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      更新时间:2020-08-12
    • β-Zn3(PO4)2:Mn2+,B3+长余辉发光材料的性能

      周亮, 周永慧, 郑佑轩, 游效曾
      2008, 29(6): 1008-1012.
      摘要:采用高温固相法分别合成了β-Zn3(PO4)2:Mn2+和不同HBO3含量的β-Zn3(PO4)2:Mn2+,B3+红色长余辉材料.XRD结果表明,HBO3的加入对于β-Zn3(PO4)2物相的形成和结晶温度并没有显著影响.从不同样品的激发和发射光谱可以看出,HBO3的加入并没有改变其激发和发射光谱位置,而对其强度有一定影响.对于Zn2.8(P1-x/2O4)2:Mn0.152+,Bx3+来说,当B3+加入量为x=0.0时发光强度最强;而对其余辉衰减光谱来说,HBO3的加入明显提高了材料的余辉性能,并且当B3+加入量为x=0.1时余辉性能最强,这是由于B3+的不等价取代增加了材料中的陷阱而导致的结果.  
      关键词:锰掺杂;硼磷酸盐;红色长余辉   
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      更新时间:2020-08-12
    • Tb3Al5O12:Ce3+发光粉的微波辅助合成和性能表征

      李明利, 李艳辉, 陈毅彬, 曾人杰
      2008, 29(6): 1013-1017.
      摘要:采用微波辅助合成-高温热处理制备了铈掺杂铽铝石榴石(Tb3AlO12:Ce3+,简称TAG:Ce)发光粉.用XRD、SEM、激发和发射光谱等对粉末的晶型、形貌以及发光性能进行了表征.结果表明,发光粉晶粒清晰、表面光滑,粒径在2μm以下.TAG:Ce的激发光谱主激发峰在467nm,330nm左右存在次激发峰,37nm附近存在两个强度较弱的峰;发射光谱峰值波长为0nm,与传统固相法制备的TAG:Ce基本一致.与传统高温固相反应法相比,此方法具有高效、节能、环保等优点.通过分析反应历程,证明了Tb2O3-Al2O3系统中Al离子的分扩散系数大于Tb离子的.  
      关键词:稀土;TAG:Ce;发光粉   
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      更新时间:2020-08-12
    • 制备水溶性CdS量子点的一种物理方法:飞秒激光烧蚀法

      公维炜, 郑著宏, 郑金桔, 赵海峰, 任新光
      2008, 29(6): 1041-1044.
      摘要:用Ti/sapphire飞秒激光系统产生的100fs、800nm激光对置于水中的CdS体相材料进行烧蚀,得到了水溶性CdS纳米粒子.这种纯物理过程保证了无污染的制备环境,从而保证了所合成材料的纯洁性.通过透射电子显微镜、紫外/可见/近红外吸收光谱、室温光致发光谱的方法对CdS量子点的形貌及其光学性质进行了表征.结果表明:利用飞秒激光烧蚀法所制备的CdS量子点可直接分散在水中而且具有粒径小、分布均匀的特点;同时具有较好的胶体稳定性,可在空气中稳定存放6个月以上.飞秒激光烧蚀法所制备的CdS量子点所具有的这些性质使其在生物标记领域引起极大的兴趣,而且也为纳米材料的制备提供了新的思路.  
      关键词:飞秒激光;烧蚀;CdS;量子点;水溶性   
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      更新时间:2020-08-12

      无机、有机电致发光

    • 聚苯撑苯并双噁唑的电致发光

      唐蓉, 何志群, 穆林平, 王俊玲, 王永生, 梁春军, 庄启昕, 吴平平, 韩哲文
      2008, 29(6): 950-956.
      摘要:通过光谱技术、电化学特性等对聚苯撑苯并双噁唑(PBO)的性能进行了系统研究.通过电化学分析获得该聚合物最高占有分子轨道能级(HOMO)大约为EHOMO=5.69eV,通过光谱分析计算得到最低空轨道能级(LUMO)大约为ELUMO=2.99eV.PBO的溶液光致发光在430~500nm范围,呈现明显的浓度效应;其薄膜的光致发光峰大约位于500nm.研究制作了以PBO为发光层的单层电致发光器件ITO/PBO(60nm)/Al和双层电致发光器件ITO/CuPc(25nm)/PBO(60nm)/Al,其电致发光峰位具有聚集态发光的特征.器件的发光亮度和稳定性在双层器件中获得提高,器件的发光峰位随驱动电压大小在520~555nm范围变化.  
      关键词:聚对苯撑苯并双噁唑(PBO);共轭聚合物;电致发光器件   
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      更新时间:2020-08-12
    • 掺杂DCJTB聚乙烯咔唑的发光性质

      滕枫, 唐爱伟
      2008, 29(6): 957-961.
      摘要:研究了PVK:DCJTB体系的发光特性.实验结果表明,PVK:DCJTB薄膜光激发时,PVK和DCJTB之间存在能量传递,DCJTB的浓度从1%增加到2%,能量传递效率明显增强,但仍然不充分.引入Alq3层后的PVK:DCJTB/Alq3双层薄膜,PVK的发光被有效地抑制了,Alq3明显促进了PVK向DCJTB的能量传递效率,说明Alq3起到了能量传递的"桥梁"作用.而结构为ITO/PVK:DCJTB/Alq3/LiF(1nm)/Al的器件的电致发光光谱与光致发光光谱明显不同.电致发光时,Alq3层的发光的相对强度比光致发光时大许多,而且发光强度随着驱动电压的增加而增强,说明随电压的增加,有更多的空穴注入到Alq3层,致使载流子在Alq3层的复合几率随电场的增强而增大.  
      关键词:能量传递;有机电致发光;光致发光;掺杂   
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      更新时间:2020-08-12
    • 迁移率对单层有机发光器件中电场与载流子分布的影响

      袁建挺, 彭应全, 杨青森, 邢宏伟, 李训栓
      2008, 29(6): 962-966.
      摘要:有机发光器件的宏观特性与有机层中的电场和载流子浓度分布密切相关.建立的有机电致发光器件模型是由两个金属电极中间夹一层有机发光薄膜材料组成的单层器件,金属与有机发光层之间为欧姆接触.模型以载流子运动的扩散-漂移理论为基础,利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合密度分布.分析结果表明:当两种载流子的迁移率相同时,电场强度、载流子浓度、复合密度的分布呈对称形式.而当电子和空穴的迁移率μn和μp相差比较大时,高迁移率的载流子不仅仅分布在注入端附近而且还有一小部分能够传输到另一端,而低迁移率的载流子只分布在其注入端附近;当μn、μp的大小相差不大时,载流子传输情况就介于两者之间.当μnp的比值变化时,电场强度的极大值向载流子迁移率小的注入端偏移.  
      关键词:有机电致发光;迁移率;载流子分布;数值计算   
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      更新时间:2020-08-12
    • 柔性有机电致发光器件导电基板的工艺性能

      王娜娜, 于军胜, 林慧, 黄春华, 蒋亚东
      2008, 29(6): 967-972.
      摘要:在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响,并利用原子力显微镜(AFM)表征了衬底及ITO薄膜的表面形貌.结果表明,在PET衬底温度50℃、溅射功率100W和溅射压强2.66×10-1Pa的条件下,可以得到低方阻(50Ω/□)和高透过率(>90%)的透明导电薄膜.以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg:Ag的柔性有机电致发光器件,在驱动电压为13V时,器件的发光亮度达到了2834cd/m2.  
      关键词:有机电致发光器件;柔性基板;氧化铟锡薄膜;直流磁控溅射   
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      更新时间:2020-08-12

      稀土和过度离子的发光

    • 全光纤声光调Q铒镱共掺双包层光纤激光器

      王蓟, 王国政, 刘洋, 秦丽, 王立军
      2008, 29(6): 1018-1022.
      摘要:对LD抽运全光纤声光调Q铒镱共掺杂双包层光纤激光器进行了实验研究.采用两个半导体激光器作为抽运源,利用带尾纤声光调制器作为Q开关,以铒镱共掺杂双包层光纤作为增益介质,以光纤布拉格光栅作为反馈器件,在线形腔结构中,获得了波长149.47nm,谱线半峰全宽0.499nm的稳定激光脉冲序列.脉冲重复频率1~1kHz可调,在重复频率1kHz时,得到最大单脉冲能量209μJ,平均输出功率209mW,脉冲宽度约100ns,脉冲峰值功率2kW.在不同重复频率下,测量了单脉冲能量和平均功率随入纤功率的变化.  
      关键词:光纤激光器;声光调Q;铒镱共掺杂光纤   
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      更新时间:2020-08-12

      有机和生物发光

    • (EuxRE1-x)(FTFA)3Phen配合物的合成、表征及荧光性能

      王连蒙, 赵永亮, 周永生, 魏晓燕
      2008, 29(6): 1086-1090.
      摘要:在无水乙醇溶液中用氯化稀土与4,4,4-三氟-1-(2-呋喃基)-1,3-丁二酮(FTFA)和邻菲啰啉(Phen)反应,合成了标题配合物;对其进行了元素分析、摩尔电导、红外光谱分析及荧光性能的研究.结果表明其化学组成分别为Eu(FTFA)3Phen、Sm(FTFA)3Phen;(Eu0.5RE0.5)(FTFA)3Phen(RE=Y,La和Gd)及(EuxGd1-x)(FTFA)3Phen(x=0.1,0.3,0.4,0.7,0.9).配体FTFA通过烯醇式氧负离子与稀土离子双齿螯合配位,Phen的两个氮原子与稀土离子呈环状配位;所有配合物均为非电解质.光谱实验结果表明,铕配合物的荧光发射强度要远大于钐配合物的荧光强度;对于铕系列掺杂配合物来讲,所有激发光谱都为一宽带峰,表明配体能很好的吸收能量;在荧光惰性Gd3+离子的含量0.1<x<0.6时,可以使Eu3+的特征荧光发射得到增强,在实验所设定的条件下当Gd3+离子的含量为0.3时,铕土配合物的荧光发射强度最强.  
      关键词:β-二酮;邻菲啰啉;铕配合物;掺杂   
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      更新时间:2020-08-12
    • 基于喹啉功能团的Zn2+荧光探针

      吴红梅, 周硼, 赵亮, 何成
      2008, 29(6): 1091-1095.
      摘要:合成了含有喹啉功能团的锌离子荧光探针,N'-(喹啉-2-亚甲基)-3-(-喹啉-2-亚甲基胺)苯甲酰肼(QQB),该探针与Zn2+结合后荧光发射光谱由40nm红移至10nm,且荧光强度增强,具有较高的检测灵敏度.生物体内含量较高的金属阳离子K+、Na+、Mg2+、Ca2+以及微量金属离子Mn2+、Co2+、Ni2+等对QQB-Zn2+的荧光强度无显著影响,表明QQB对锌离子具有较高的选择性.光谱滴定和ESI-MS谱表明QQB与Zn2+以1:1的化学计量比形成配合物.  
      关键词:荧光探针;Zn2+;喹啉;化学传感器   
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      更新时间:2020-08-12

      其他

    • SiO2防离子反馈膜的制备及其性能

      姜德龙, 向嵘, 吴奎, 王新, 王国政, 付申成
      2008, 29(6): 1096-1100.
      摘要:防离子反馈膜是一种覆盖在微通道板输入端的Al2O3或SiO2连续超薄膜,该膜对延长微光像管的使用寿命具有重要的作用.首先采用射频磁控溅射方法在0.5~1μm的有机载膜上制备Si薄膜,然后在4~6Pa氧气下放电使其贴敷到微通道板上,同时使Si膜氧化和有机载膜分解,最后在微通道板输入面上形成满足设计要求的SiO2防离子反馈膜.该制膜方法工艺稳定,重复性好,成品率超过90%.给出了有、无薄膜时微通道板的电子透过特性曲线和膜层厚度与死电压间关系曲线.对相同厚度为nm的SiO2和Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性进行了分析和比较,得出了SiO2比Al2O3薄膜对电子透过稍好,相应的死电压分别为220V和255V的结论.结合对膜层电子透过和离子阻止特性的综合分析可以看出,SiO2也是制作微通道板防离子反馈膜较为理想的材料之一.为了定量表征微通道板防离子反馈膜的离子阻止能力,最后指出了防离子反馈膜离子透过率的测量是今后该项研究工作的当务之急.  
      关键词:微通道板;SiO2;防离子反馈膜;电子透过特性   
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      更新时间:2020-08-12
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