最新刊期
      2008年第29卷第4期

        论文

      • Bill YEN——The Stanford Years 1962～1965

        George F Imbusch
        2008, 29(4): 613-616.
        摘要：After a boyhood spentin a number of countries,Bill Yen enrolled as an undergraduate student at theUniversity of Redlands,a private liberal arts andsciences university located in southern California.He spent the years 1952~1956 there,graduatingwith the BS degree in Physics.  
          
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        更新时间：2020-08-12
      • David Huber
        2008, 29(4): 617-621.
        摘要：This note is a brief,informal account of Bill Yen's pioneering investigations of optical dephasing in inorganic glasses.The work,carried out at the University of Wisconsin by Bill,together with his graduate students,post-docs and colleagues,had great impact on the field and led directly to our current understanding of the various mechanisms for dephasing and how they are reflected in the temperature dependence of the homogeneous linewidth.  
          
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        更新时间：2020-08-12
      • William M Dennis
        2008, 29(4): 622-626.
        摘要：The first decade at the University of Georgia(UGA)was an active and exciting time for Bill Yen,his students,post-docs and collaborators.In this paper,I highlight several papers that I hope capture this activity and provide a glimpse into this creative and productive period.  
          
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        更新时间：2020-08-12
      • K R Hoffman, D J Lockwood
        2008, 29(4): 627-632.
        摘要：William(familiarly known as Bill by all his colleagues)Yen's life-long scientific interest in the magnetic properties of rutile structured antiferromagnetic materials(AFMs)began with his involvement in the discovery in 1965 of the magnon sidebands of MnF2 in optical absorption[1].A basic outline of this discovery is given elsewhere in this special issue of the Chinese Journal of Luminescence[2].A narrative discussion of events leading to this discovery appears in a contribution written by Bill and Robert White for a special edition of Low Temperature Physics on Antiferromagnetism[3].A quote from that remembrance highlights a quality that remained with Bill throughout his career:"The identification of these sidebands by a pair of young students and two post-docs illustrates how serendipity,a touch of good luck and reckless youthful enthusiasm often plays a role in scientific discovery".Bill's forever youthful enthusiasm coupled with creative insights into current research questions led to numerous pioneering discoveries throughout his career.This paper reviews Bill's contributions to developing techniques to exploit dichroism to study the magnetic properties of AFMs.Bill's publications in this area span more than 30 years,from 1971 to 2004.  
          
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        更新时间：2020-08-12
      • H B Yuan
        2008, 29(4): 633-640.
        摘要：A wide range of luminescent materials havebeen studied by optical spectroscopy techniques.Prof.William M.Yen has made tremendous contri-bution to this research area.One of his interests inthe recent years was in delocalization processes thatstrongly affect the luminescence efficiency[1].  
          
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        更新时间：2020-08-12
      • ZHENG Hai-rong
        2008, 29(4): 641-645.
        摘要：LaF3 is an ideal low-phonon host for rare earthions due to its ability to form extensive solid solu-tions with all the RE ions.In 1964,professor Yen published his first paper on the Physical Review titled"Phonon-induced relaxation in excited opticalstates of trivalent praseodymium in LaF3"[1],whichwas Prof.Yen s very first work in the field of solidstate optical spectrosc troscopy and is widely cited.  
          
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        更新时间：2020-08-12

      • 严懋勋教授和能量传递研究

        黄世华, 楼立人
        2008, 29(4): 646-650.
        摘要：国际发光会议国际组织委员会前任主席严懋勋(William M Yen)教授于2008年1月17日不幸逝世.在本文中,我们简述他的研究组在能量传递的研究方面的两项工作,作为对他的纪念.  
          
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        更新时间：2020-08-12

      • 线状晶体的生长和单轴应力光谱的研究

        贾惟义
        2008, 29(4): 651-654.
        摘要：自威斯康星大学转到乔治亚大学之后,严懋勋教授最得意的工作之一是建立了线状晶体(Single Crystal Fibers)生长实验室.为了生长发光材料单晶,多晶制备系统也因此建立起来.在此之前,严教授研究组使用的样品多是来自其他实验室合作者.而在此之后,多数样品都是自己制备的,并向合作者提供样品.这就增强了研究效率,提高了追赶前沿研究的速度.  
          
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        更新时间：2020-08-12

      • 严懋勋实验室与长余辉荧光材料

        贾冬冬, 张家骅, 何志毅, 王笑军
        2008, 29(4): 655-659.
        摘要：美国乔治亚大学(University of Georgia,UGA)物理系严懋勋(W. M. Yen)教授在他的后期工作中,主要从事长余辉荧光材料的基础研究和实际应用研究.在这些工作中,他起着组织、领导和支持的作用.因为他的倡导,长余辉荧光材料的研究在美国佐治亚大学取得很多成果.尤其是在长余辉的基础研究中,对长余辉基理的阐述,为长余辉材料的开发奠定了指导思想.作者在本文中将以记述的方式仅对其中一些主要成果加以介绍,并以此文表达对严懋勋教授的怀念.  
          
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        更新时间：2020-08-12

      • 镱铥共掺杂的氟化镧纳米粒子的亮蓝色上转换发光

        张继双, 秦伟平, 张继森, 王艳, 曹春燕, 金叶, 尉国栋, 王国凤, 王丽丽, 朱培芬
        2008, 29(4): 660-664.
        摘要：采用反胶束法合成镱铥共掺杂的氟化镧纳米粒子.这种反胶束是由微乳液作为合成媒介,这些分散的纳米粒子在化学成分、尺寸分布上是可控的.产物形貌经场发射扫描电镜和透射电镜表征.固态样品分散在乙醇中,在未经超声处理时,样品表现为玉米棒样的聚集.棒的平均直径和长度分别为110,575nm.我们认为这种大量纳米粒子聚集成良好超结构是由于溶剂挥发,分子交叉链接或者表面活性剂分子附着于纳米粒子特殊晶面造成的.当样品经过超声处理后,由于超声振动破坏了上述因素,玉米棒形貌的聚集体转为大量纳米粒子.单个粒子的高分辨电镜显示出该纳米粒子的单晶结构.并且晶面间距约为0.366nm,与纯氟化镧六角相[002]晶面相一致.样品在300℃退火30min后的透射电镜照片显示纳米粒子的平均直径大约为35nm,这与XRD结果相吻合.并且,这些纳米粒子表现出了良好的单分散性,并且在978nm二极管激发下,纳米粒子呈现出亮蓝色上转换发光,这种上转换荧光粉在光电子或生物检测中有潜在的应用前景.  
        关键词：纳米粒子;形貌;发光;上转换   
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        更新时间：2020-08-12

      • Sr3SiO5:Eu2+和Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+荧光粉的黄色长余辉性质

        孙晓园, 张家骅, 张霞, 骆永石, 王笑军
        2008, 29(4): 665-669.
        摘要：用高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu2+和Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+荧光粉.在紫外光辐照后,Sr3SiO5:Eu2+和Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+荧光粉具有明亮的黄色长余辉,源于Eu2+的4f65d-4f7的跃迁.紫外光激发停止后,Sr3SiO5:Eu2+的余辉时间是4h以上.余辉衰减曲线和热释光曲线说明了引入Dy3+离子可以产生大量的深陷阱和浅陷阱.产生的深陷阱使余辉时间延长到6h以上.由热释发光曲线,根据热释光的通用级公式拟合了陷阱深度.Sr3SiO5:Eu2+和Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+荧光粉是有应用前景的黄色长余辉材料.  
        关键词：荧光粉;余辉;热释发光   
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        更新时间：2020-08-12

      • 二维声学极化子的基态能量和有效质量

        侯俊华, 梁希侠
        2008, 29(4): 670-674.
        摘要：自陷电子对了解光电材料的光学性质非常重要.近些年来,形变晶格中电子自陷的问题受到研究人员的广泛关注.电子既与声学模耦合,也与光学模相互作用,但电子由自由态向自陷态的转变缘于近程的电子-声学声子耦合.研究表明:声学极化子在大多数半导体以及Ⅲ-Ⅴ族化合物,甚至碱卤化物中都不可能自陷.另一方面,电子-声子耦合在束缚结构,如二维、一维系统中,会有所增强.换言之,电子在低维结构中更容易自陷.Farias等人指出:声学极化子在二维系统中自陷的临界电子-声子耦合常数为定值,不随声子截止波矢的变化而改变.这种结论在物理上不尽合理.通过计算二维系统中的声学极化子基态能量和有效质量,讨论了二维声学极化子自陷问题.研究发现,二维声学极化子自陷转变的临界耦合常数随声子截止波矢的增加朝电子-声子耦合较弱的方向变化.这一特征与前人关于体和表面极化子研究获得的结论定性一致.所得二维声学极化子基态能量的表达式与Farias等人一致,但自陷的结果与Farias等人的结果在定性和定量上均有不同,我们认为Farias等人关于二维声学极化子自陷转变点的确定方式有不妥之处.通过改进自陷转变点的确定方式,得到了在物理上更合理的结果.  
        关键词：声学极化子;基态能量;有效质量;自陷   
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        更新时间：2020-08-12

      • 含有亚胺基芴类衍生物的合成及光物理过程

        李奋强, 梁欣苗, 张鑫, 边建红, 王煜, 张昭
        2008, 29(4): 675-680.
        摘要：通过2,7-二溴芴酮与相应的苯胺衍生物反应,合成了一系列新型的含有亚胺基的芴类衍生物:2,7-二溴-9-亚苯胺基芴(NBFA),2,7-二溴-9-亚(4-氯-苯胺)基芴(CNBFA),2,7-二溴-9-亚(4-甲基-苯胺)基芴(MN-BFA),其结构经氢核磁共振谱、红外光谱和质谱表征,并且采用紫外光谱法和荧光光谱法研究了这些化合物的光物理过程.  
        关键词：亚胺;2;7-二溴芴酮;苯胺衍生物;荧光   
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        更新时间：2020-08-12

      • 利用界面激基复合物发射大致估算稀土配合物LUMO能级

        王丹, 李文连, 初蓓, 毕德锋, 陈一人
        2008, 29(4): 681-683.
        摘要：研究了一种利用无荧光稀土配合物与同一受体材料形成的界面激基复合物的发射来大致估算其最低未占据轨道(LUMO)能级简单方法.镥、钆、钪三种稀土配合物与星形爆炸物形成的激基复合物发射峰位分别在590,607和656 nm,与此相对应LUMO能级计算结果大致为3.0,3.06,3.21 eV.  
        关键词：激基复合物;稀土配合物;LUMO能级   
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        更新时间：2020-08-12

      • 表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb3+离子荧光寿命的影响

        胡翔, 李东升, 程培红, 袁志钟, 杨德仁
        2008, 29(4): 684-688.
        摘要：利用等离子增强化学气相沉积和离子注入方法,制备了铽掺杂的氮化硅薄膜,然后利用磁控溅射和热处理工艺在薄膜上沉积了不同颗粒尺寸的银薄膜来研究表面等离激元共振对铽离子荧光寿命的影响.实验结果表明氮化硅中Tb3+离子的光致荧光最强峰在547 nm,而银薄膜的存在会明显降低稀土离子Tb3+的荧光寿命,其寿命的改变是由于银薄膜的表面等离激元改变了电磁场的分布,从而影响了系统的局域光模密度(PMD),理论计算的结果也验证了这一点.  
        关键词：光致荧光;荧光寿命;铽;表面等离激元共振   
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        更新时间：2020-08-12

      • Eu2+掺杂CaSi2O2N2荧光粉发光性能

        谷鋆鑫, 王宏志, 李耀刚, 解荣军
        2008, 29(4): 689-694.
        摘要：采用固相反应法合成了组成为Ca1-xEuxSi2O2N2的Eu2+掺杂CaSi2O2N2荧光粉.通过荧光光谱对样品的发光性能进行了研究,发现Eu2+掺杂CaSi2O2N2荧光粉发射光谱为宽波段的单峰结构,主要包含绿光和黄光区,发射峰在556~568 nm.从发射光谱的宽带特征来看,CaSi2O2N2:Eu2+的发射主要对应着Eu2+离子4f65d→4f7跃迁.从激发光谱所覆盖的范围还可以看到,样品可以有效的被UV蓝-光激发,这意味着该类荧光粉在白光LED方面有可能得到广泛的应用.另外,样品的发光性能与激发离子的浓度有着很大关系.激发离子浓度增大时,发射光谱会发生明显红移.利用这一性质,可以通过改变Eu2+浓度来调节荧光粉的发光范围,从而满足不同场合的需要.同时,Eu2+浓度提高,样品发射光谱的强度也会随之增强,在x=0.06时发射强度达到最大值,之后继续增加Eu2+浓度,强度不仅没有增加反而降低,即出现浓度猝灭现象.  
        关键词：氧氮化物;发光性能;白光LED   
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        更新时间：2020-08-12

      • 808nm大功率半导体激光迭阵偏振耦合技术

        冯广智, 顾媛媛, 单肖楠, 王祥鹏, 尹红贺, 邓鑫李, 秦莉, 刘云, 王立军
        2008, 29(4): 695-700.
        摘要：随着半导体激光器在工业、军事、核能等领域的应用越来越多,单个迭阵输出的光功率密度已经不能满足实际的需求,这就需要将多个半导体激光迭阵的光束耦合成为一个共同的光束,以提高输出功率和亮度.所以采用怎样的光束耦合技术能实现高亮度、高质量的激光输出就成了一个关键性的问题.对于该技术的研究,国内还没有实验方面的报道.主要介绍了大功率半导体激光器偏振耦合原理、实验的技术路线,以及对808nm半导体激光迭阵进行耦合实验的结果及分析.对2个bar、功率为40W/bar的808nm连续半导体激光迭阵,实现偏振耦合的总效率超过90%,聚焦得直径为3mm光斑,输出功率达到134W,总体效率超过84%.对7个bar、峰值功率100W/ba、r占空比20%的808nm准连续半导体激光迭阵进行了偏振耦合,其效率达到67%,得到4.5mm×4.5mm的光斑.  
        关键词：808nm;大功率半导体激光;偏振耦合;光束耦合   
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        更新时间：2020-08-12
      • 周绪荣, 秦志新, 鲁麟, 沈波, 桑立雯, 岑龙斌, 张国义, 俞大鹏, 张小平
        2008, 29(4): 701-706.
        摘要：室温300K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42eV到AlN的6.2eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配.因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂.GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法.研究了GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上AlxGa1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响.通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,AlxGa1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到.AlxGa1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到.对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4nm/4nm,5nm/5nm,8nm/8nm的GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加AlxGa1-xN外延薄膜缺陷密度降低,AlxGa1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5nm/5nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层AlxGa1-xN外延薄膜的张应变最小.在保持5nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8nm,即十个周期的5nm/8nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层使AlxGa1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变.由X射线衍射结果计算了AlxGa1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果.透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5nm/8nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层导致AlxGa1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变.  
        关键词：AlxGa1-x;超晶格;应变;线位错密度   
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        更新时间：2020-08-12

      • 白光LED光斑均匀性的改进

        徐国芳, 饶海波, 余心梅, 李君飞, 侯斌
        2008, 29(4): 707-712.
        摘要：用于照明领域的白光LED,其出射光斑的色度均匀性对于产品性能有着更加重要的意义.介绍了目前工业上制作白光LED主要采用的荧光粉灌封点胶工艺.并在目前主流灌封点胶工艺的基础上通过改善荧光粉层结构形状,以提高白光LED器件的出射光斑均匀性.并通过九点法对不同工艺结构下LED出射光斑的空间色度分布进行了测量和分析.通过分析,虽然采用不同的粉层结构,能够一定程度上改善白光光斑的色度均匀性.但总体上,采用这种传统的点胶工艺制作的器件的白光光斑性能不好,现有的荧光粉层灌封点胶工艺存在很大的弊端.荧光粉层的可控性是影响色度均匀性(即光斑均匀性)的主要因素,包括单个器件内的光斑和器件之间的颜色一致性都不理想.  
        关键词：白光LED;光斑均匀性;色度空间分布   
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        更新时间：2020-08-12

      • 980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析

        程立文, 梁雪梅, 秦莉, 王祥鹏, 盛阳, 宁永强, 王立军
        2008, 29(4): 713-717.
        摘要：光抽运半导体垂直外腔面发射激光器(Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity SurfaceEmission Laser)的输出特性受到诸多参数的影响,理论分析和模拟显得尤为重要.设计了一种以808 nm二极管激光耦合模块为光抽运光源,In0.159Ga0.841As/GaAs0.94P0.06为增益介质的980 nm光抽运垂直外腔面发射激光器,并借助于PICS3D软件计算了器件各种特性参数.分析了芯片半径、量子阱的周期数以及外腔镜反射率对器件性能的影响,特别是对阈值和光-光转换效率的影响.模拟结果表明,器件的半径影响光-光转换效率.量子阱个数和外腔镜反射率对器件的输出功率和光-光转换效率都有影响,所以要根据实际需要,设计、生长结构和进行实验.  
        关键词：半导体激光器;垂直外腔面发射激光器;光抽运;量子阱;理论模拟   
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        更新时间：2020-08-12

      • 溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜的结构及光学特性

        刘莹, 阳生红, 张曰理, 包定华
        2008, 29(4): 718-722.
        摘要：用溶胶-凝胶法制备了一系列的MgxZn1-xO(0≤x≤0.3)薄膜,并用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)研究了不同的退火温度和Mg的掺杂含量对MgxZn1-xO薄膜的结构和光学性质的影响.研究表明:MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;发现了中间热处理温度为350℃的MgxZn1-xO薄膜退火温度的转折点为700℃,低于这个温度时随退火温度的升高,(002)衍射峰强度增强且掺Mg的薄膜既有紫外光又有绿光发射;800℃退火时,薄膜的(002)衍射峰强度减小,出现了(100)和(101)衍射峰,且掺Mg的薄膜只有紫外发光峰.不同的掺杂浓度对于发光也有影响,低于700℃退火时,ZnO薄膜只出现紫外发光峰,掺Mg的薄膜却出现了紫外和绿光两个发光峰.  
        关键词：MgxZn1-xO薄膜;溶胶-凝胶法;XRD;光致发光   
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        更新时间：2020-08-12

      • 非对称量子点中弱耦合极化子的相互作用能

        肖玮
        2008, 29(4): 723-726.
        摘要：采用改进的线性组合算符和幺正变换方法,研究非对称量子点中弱耦合极化子的性质.导出了非对称量子点中弱耦合极化子的振动频率和相互作用能随量子点的横向和纵向有效受限长度和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:非对称量子点中弱耦合极化子的振动频率和相互作用能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应.  
        关键词：非对称量子点;极化子;改进的线性组合算符;相互作用能   
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        更新时间：2020-08-12
      • 何为, 程传辉, 于书坤, 杜锡光, 杜国同
        2008, 29(4): 727-731.
        摘要：通过分步合成的方法,在钛氧酞菁的外围引入了四个苯氧基团,合成了一种2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)钛氧酞菁.通过质谱、核磁、元素分析、紫外可见吸收光谱、近红外光荧光谱和循环伏安法对其结构和性质进行了表征,并利用旋涂加真空热蒸发的方法制得了该材料的电致发光器件(ITO/PVK:TiOPc/BCP/LiF/Al).结果表明,四取代的钛氧酞菁固态的近红外光荧光峰值在1080nm左右;其近红外电致发光的峰值波长落在1050nm左右.在PVK掺杂的器件中,钛氧酞菁的质量分数为30%时有较强的发光强度.  
        关键词：钛氧酞菁;近红外;有机发光器件   
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        更新时间：2020-08-12
      • 沈涵, 余汉城, 应翊, 张伟, 王惠, 黄锦汪, 计亮年
        2008, 29(4): 732-736.
        摘要：采用荧光光谱技术,测量了一种卟啉侧链聚合物:卟啉丙烯酸酯-苯乙烯共聚物(P[(por)A-S])的稳态和瞬态的发光性能.通过将聚合物P[(por)A-S]掺杂到有机玻璃(PMMA)中,研究了链间距离对于P[(por)A-S]发光性能的影响.结果表明:随着聚合物分子浓度增大,即链间距离减小,导致卟啉侧链基团之间的相互间作用增加,使其激发态无辐射跃迁几率增加,聚合物荧光强度减弱,激发态寿命缩短.讨论了上述过程产生的原因.  
        关键词：卟啉侧链聚合物;发光性能;分子间相互作用   
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        更新时间：2020-08-12

      • 基于光纤中SBS相位共轭的自调Q光纤激光器

        黄琳, 刘永智, 代志勇, 张谦述
        2008, 29(4): 737-742.
        摘要：分析了利用光纤中的受激布里渊散射(stimulated Brillouin scattering,SBS)相位共轭效应进行激光腔内调Q,产生ns量级脉冲激光的原理,并对利用该效应产生的激光脉冲波形和脉冲形成过程进行了数值模拟,得到的脉冲波形与SBS相位共轭反射率随时间变化曲线基本一致,表明利用光纤中的SBS相位共轭作用调Q具有可行性.据此,对采用单模光纤(single-mode fiber,SMF)作为SBS池的Er3+掺杂调Q光纤激光器进行实验研究.当单模光纤长度为1.5 m时,在45 mW的光抽运功率下得到脉宽约2.6ns,脉冲周期58.23ns,平均功率7.35mW的激光脉冲.进一步的研究表明:激光器中相位共轭镜的形成与SBS介质长度有关,SBS介质过长,斯托克斯线之间无固定的相位关系,不能形成相干叠加,SBS相位共轭腔不能形成;SBS介质过短,腔内正交偏振模光子寿命的改变使脉冲出现双峰现象.脉冲形成后其属性只与SBS动态属性有关.  
        关键词：激光技术;光纤激光器;调Q光纤激光器;受激布里渊散射;相位共轭   
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        更新时间：2020-08-12

      • 太阳盲MgZnO光电探测器

        蒋大勇, 张吉英, 单崇新, 吕有明, 赵延民, 韩舜, 姚斌, 张振中, 赵东旭, 申德振, 范希武
        2008, 29(4): 743-746.
        摘要：利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构.在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225nm,截止边为230nm.  
        关键词：MgZnO合金薄膜;太阳盲光电探测器;射频磁控溅射   
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        更新时间：2020-08-12
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