最新刊期
      2008年第29卷第1期

        第八届全国发光学学术会议研究论文

      • 抛物量子点中弱耦合激子的光学声子平均数

        李志新, 王鸿雁, 辛伟, 肖景林
        2008, 29(1): 1-4.
        摘要：研究了电子-体纵光学声子弱耦合情况下,抛物量子点中激子的性质。在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中弱耦合激子的基态能量和光学声子平均数。以GaAs半导体为例进行了数值计算,结果表明:弱耦合情况下,激子的光学声子平均数基态的能量和量子点受限强度的增大而减小,随量子点半径的增大而增大。  
        关键词：量子点;激子;光学声子平均数;弱耦合   
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        更新时间：2020-08-11

      • 声子色散对抛物量子点中极化子基态能量的影响

        李伟萍, 肖景林
        2008, 29(1): 5-9.
        摘要：在声子色散影响下利用压缩态变分法计算了抛物量子点中弱耦合极化子的基态能量。采用的变分方法是基于逐次正则并且利用单模压缩态变换处理通常被我们所忽略的在第一次幺正变换中产生的声子产生湮灭算符的双线性项。计算得出了在考虑声子色散的情况下抛物量子点中弱耦合极化子的基态能量的数学表达式。讨论了抛物量子点中在电子-声子弱耦合情况下,受限长度,电子-声子耦合常数,色散系数与极化子基态能量之间的依赖关系。  
        关键词：声子色散;压缩态;量子点;极化子   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中极化子能量

        乌仁图雅, 德布乐夫, 赵凤岐
        2008, 29(1): 10-14.
        摘要：采用LLP变分方法研究了纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱材料中极化子的能级,给出极化子基态能量、第一激发态能量和第一激发态到基态的跃迁能量与量子阱宽度和量子阱深度变化的函数关系。研究结果表明,极化子基态能量、第一激发态能量和跃迁能量随着阱宽L的增大而开始急剧减小,然后缓慢下降,最后接近于体材料GaN中的相应值。基态能量和第一激发态到基态的跃迁能量随着量子阱深度的增加而逐渐增加,窄阱时这一趋势更明显。纤锌矿氮化物量子阱中电子-声子相互作用对能量的贡献比较大,这一值(约40meV)远远大于闪锌矿(GaAs/AlxGa1-xAs)量子阱中相应的值(约3meV)。因此讨论GaN/AlxGa1-xN量子阱中电子态问题时应考虑电子-声子相互作用。  
        关键词：氮化物量子阱;极化子;基态能量;跃迁能量   
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        更新时间：2020-08-11

      • 非对称量子点中弱耦合束缚极化子的性质

        肖景林, 徐秋
        2008, 29(1): 15-18.
        摘要：采用线性组合算符和幺正变换方法研究了非对称量子点中弱耦合束缚极化子的性质。导出了非对称量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率和基态能量随量子点的横向和纵向有效受限长度,库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。通过数值计算,结果表明:非对称量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率和基态能量随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大。  
        关键词：非对称量子点;束缚极化子;线性组合算符;有效受限长度   
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        更新时间：2020-08-11

      • 退火对Pb辐照Al2O3单晶发光特性的影响

        宋银, 谢二庆, 王志光, 张崇宏, 刘延霞, 姚存峰, 马艺准, 刘纯宝, 魏孔芳, 周丽宏, 臧航
        2008, 29(1): 19-22.
        摘要：研究了230MeV的208Pb27+辐照Al2O3样品及随后在600,900,1100K高温条件下退火后的光致发光特性。从辐照样品的测试结果可以清楚地看到在波长为390,450nm处出现了强的发光峰。辐照量为1×1013ions/cm2时,样品的发光峰最强。经过600K退火2h后测试结果显示,380nm发光峰剧烈增强,而其他发光峰显示不明显。在900K退火条件下,380nm的发光峰开始减弱,而在360,510nm出现了明显的发光峰,至到1100K退火完毕后380nm的发光峰完全消失,而360,510nm的发光峰相对增强。从被辐照样品的FTIR谱中看到,波数在460~510cm-1间的吸收是振动模式,经过离子辐照后,吸收带展宽,随着辐照量的增大,Al2O3振动吸收峰消失,说明Al2O3振动模式被完全破坏。1000~1300cm-1之间为Al—O—Al桥氧的伸缩振动模式,辐照后吸收带向高波数方向移动,说明其振动模式受到影响。辐照剂量较小的样品,损伤程度相对较低,经退火晶化后,振动模式基本恢复到单晶状态;辐照剂量较高的样品,损伤程度大,退火处理后表面变得较粗糙,振动模式并未出现,说明结构破坏严重。  
        关键词：Al2O3;重离子辐照;退火;PL谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种有机电致发光材料水杨醛缩乙二胺锌的光电性能表征

        房晓红, 郝玉英, 刘旭光, 许并社
        2008, 29(1): 27-31.
        摘要：合成了一种新型的有机电致发光材料水杨醛缩乙二胺锌[Zn(salen)],并对其结构与性能进行了表征。Zn(salen)具有较高的热稳定性,利用真空热蒸镀的方法很容易制备高质量、无定型薄膜。Zn(salen)的HOMO、LUMO能级及电化学带隙分别为-5.87,-3.41,2.46 eV。在365 nm紫外光的照射下,Zn(salen)粉体具有强的蓝光发射,但其薄膜具有黄光发射。在正向电压的驱动下,器件ITO/CuPc/NPD/Zn(salen)/Al的EL发光峰位于552 nm,是色坐标为x=0.504,y=0.316的黄光发射,器件的启动电压7.5 V,最大亮度301cd/m2,电流效率1.6 cd/A。无论是Zn(salen)薄膜的光致发光还是器件的电致发光,与Zn(salen)粉体相比,都发生了很大的红移现象,这归因于薄膜中Zn(salen)聚集态的形成。  
        关键词：水杨醛缩乙二胺锌;有机电致发光材料;制备;表征   
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        更新时间：2020-08-11

      • 两种宽谱带蓝光发射材料的制备、表征及光学特性

        许慧侠, 陈柳青, 陈简, 王华, 刘旭光, 许并社
        2008, 29(1): 32-36.
        摘要：合成了两种以钙为中心金属离子的有机电致发光材料2-(2-羟基苯基)苯并噻唑钙Ca(BTZ)2和2-(2-羟基苯基苯并噻唑)-(1,10-邻菲罗啉)合钙Ca(BTZ)2phen。通过红外光谱、紫外-可见光吸收光谱、循环伏安曲线、原子力显微镜以及光致发光光谱表征了材料的结构、光学带隙、能带结构、成膜性以及光学性能。实验结果表明,在DMSO溶液中,Ca(BTZ)2的紫外吸收峰主要为290,330,422nm;Ca(BTZ)2phen的紫外吸收峰主要为292,330,428nm。Ca(BTZ)2的荧光发射峰为458nm和500nm,色坐标为x=0.2176,y=0.3223;Ca(BTZ)2phen的荧光发射峰主要为465nm和514nm,色坐标为x=0.2418,y=0.3817。利用真空热蒸镀法可以得到均匀致密的Ca(BTZ)2phen的薄膜,其粗糙度为1.56。Ca(BTZ)2薄膜也有望通过旋涂制备。实验发现Ca(BTZ)2与Ca(BTZ)2phen的荧光光谱几乎覆盖整个可见光区域,为宽谱带发光材料,有望设计成合理的器件结构实现白光发射。  
        关键词：2-(2-羟基苯基)苯并噻唑钙;2-(2-羟基苯基)苯并噻唑-(1;10-邻菲罗邻)合钙;光学性能;白光发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 高效率金属微腔OLEDs性能

        谢泽锋, 袁永波, 陈树明, 周翔
        2008, 29(1): 37-40.
        摘要：以半透明Ag膜为阳极出光面,利用MoO3作为空穴注入层,在普通玻璃衬底上制备了底发射微腔OLEDs器件,其中微腔由接近全反射厚度为100nm的Al阴极和反射率约为50%左右厚度为22nm的半透明Ag阳极构成,由于采用了有效的空穴和电子注入层MoO3和LiF,以Alq3作为发光材料,器件的起亮电压为2.5V,在10V外加电压下正向亮度超过了15000cd/m2,最大电流效率接近6cd/A,大约是制备于ITO玻璃衬底阳极上的常规器件的两倍(3.2cd/A),并研究了光谱窄化以及随观测角度变化的微腔效应。  
        关键词：OLEDs;高效率;微腔   
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        更新时间：2020-08-11

      • 2, 6-双(2-苯并咪唑)吡啶-乙酸锌的合成和光谱性能

        王艳丽, 陈柳青, 许慧侠, 陈简, 杜洪, 刘旭光, 许并社
        2008, 29(1): 46-50.
        摘要：合成了一种新型的蓝光发射材料2,6-双(2-苯并咪唑)吡啶-乙酸锌,并利用元素分析、红外光谱、UV-Vis吸收谱、荧光激发光谱和荧光发射光谱研究了其结构、光学特性、能级结构和发光机理。结果表明,2,6-双(2-苯并咪唑)吡啶-乙酸锌是一种三齿配体的发光材料。在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液体系中测定了材料的紫外吸收光谱,2,6-双(2-苯并咪唑)吡啶的吸收峰波长主要为330,344nm;2,6-双(2-苯并咪唑)吡啶-乙酸锌的吸收峰波长主要为346,366nm。禁带宽度为3.01eV,在紫外光激发下,在DMF溶液体系中的荧光发射峰在458nm处,固态荧光发射峰在475nm,均为蓝色荧光,色纯度高,荧光量子效率高,其荧光发射主要来源于长波吸收带,最大波长吸收带对荧光发射贡献最大。有望通过合理的设计运用到有机电致发光器件中去。  
        关键词：苯并咪唑吡啶;结构;光学性能   
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        更新时间：2020-08-11

      • 以BAlq为主体的高效高色纯度的红色有机电致磷光器件

        申霖, 徐昊, 叶丹琴, 吴晓明, 华玉林, 印寿根
        2008, 29(1): 51-55.
        摘要：以铱配合物红色磷光体Ir(piq)2(acac)为掺杂剂,制备了基于BAlq材料的红色电致磷光器件,其结构为ITO/NPB(30nm)/Ir(piq)2(acac):BAlq(25nm)/BCP(13nm)/Alq3(35nm)/LiF(1nm)/Al(1000nm),当掺杂浓度为8%的时候,器件发光的色坐标为(x=0.67,y=0.32),基本满足了全色显示对红色发光的要求。在电压为16V时,器件达到最高亮度9380cd/m2。在电流密度为5.45mA/cm2时,外量子效率达到最大5.7%。由于磷光体Ir(piq)2(acac)的磷光寿命较短,所以器件在高电流密度下,仍然保持较高的外量子效率。电流密度为100mA/cm2时,外量子效率仍然维持在4.7%。进一步研究表明在器件中短程的Dexter能量传递以及红光染料对空穴的直接捕获两种机制同时存在。  
        关键词：磷光体;三线态;能量传递;T-T湮灭   
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        更新时间：2020-08-11

      • 高直流电场下PET薄膜的电致发光及其可靠性

        林家齐, 杨文龙, 王玮, 雷清泉
        2008, 29(1): 56-60.
        摘要：用自制电致发光(Electrolum inescence-EL)测量装置测试了直流高电场下聚对苯二甲酸乙二酯[poly(ethylene terephthalate)-PET]薄膜EL的光强和光谱。实验表明:PET的发光光强随所加电场而增大,在4.00MV/cm附近发生预击穿。EL光谱在300~400nm、400~460nm、500~600nm和680nm附近存在发射峰,其中500~600nm峰带相对较强,预击穿信号出现后680nm附近的峰带增加很快。为了评价PET的介电性能,本文对实验数据用双参数Weibull分布解析法计算,得出了该薄膜在(24±1)℃,阶跃加压条件下的寿命和击穿电场的累积失效概率和可靠度方程,Weibull假设检验结果表明,实验结果服从Weibull分布。  
        关键词：聚对苯二甲酸乙二酯;电致发光;Weibull分布;可靠性   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种新型希夫碱硼配合物的合成及表征

        陈柳青, 许慧侠, 王艳丽, 王华, 刘旭光, 许并社
        2008, 29(1): 61-66.
        摘要：有机电致发光器件(OLED)已成为平板显示、照明等领域的研究热点。针对已报道的蓝光材料相对短缺,合成了一种新型希夫碱硼配合物蓝光发射材料,其可由N,N′-二(2-羟基-3-甲氧基苯甲醛)缩乙二胺[(HMOB)2en]与醋酸硼B(Ac)3在苯溶剂中反应制得。通过1H NMR,13C NMR和红外光谱确定了其结构,并对其紫外-可见吸收光谱和荧光光谱进行了研究。1H NMR、13C NMR和红外光谱表明该配合物是一种以[B(MOB)2en]Ac分子形式存在的配合物。[B(MOB)2en]Ac的发光与B的引入有关,B的引入增强了分子的刚性、减少了非辐射跃迁能量损失,最终得到一种较强的蓝绿光发光材料。该材料发射的峰值波长为485nm,半峰全宽为87nm,CIE坐标:x=0.2211,y=0.4172,其最佳激发峰波长为378nm。  
        关键词：希夫碱;硼配合物;荧光光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀土夹心双酞菁铽的荧光特性研究

        刘云龙, 王文军, 高学喜, 李云, 李淑红, 王惠临
        2008, 29(1): 67-70.
        摘要：利用稳态荧光光谱和时间分辨光谱方法研究了稀土夹心双酞菁铽衍生物(TbPcPc*)氯仿溶液的荧光特性,分析了激发波长、溶液浓度对荧光特性的影响。TbPcPc*氯仿溶液在707nm处有一强的荧光发射峰,它对应于电子从激发态S1向基态S0的跃迁。当使用500nm的光激发时,电子吸收能量发生向激发态S1的跃迁以及到更高能级的混合跃迁,当电子从这些能级再跃迁到基态时主要发射525,707nm的荧光。Tb-PcPc*氯仿溶液在707nm处的荧光发射峰具有两个衰减过程,短寿命的衰减为分子单体所产生,而长寿命的衰减为聚集体所产生。随着浓度的降低,单体所占比例增加,其对应的寿命组分比例也相应的增加。  
        关键词：酞菁铽;荧光光谱;荧光寿命   
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        更新时间：2020-08-11

      • MEH-PPV薄膜的放大自发发射特性

        高瑞, 侯延冰, 于丹, 滕枫
        2008, 29(1): 71-74.
        摘要：研究了MEH-PPV薄膜的放大自发发射特性。当激发强度增加时,从样品边缘发射的光谱发生增益窄化现象并具有明显的阈值特性。我们发现随着薄膜厚度的增加,MEH-PPV薄膜的阈值有所降低,而其增益系数则随之增加。在150nm厚时测得最大净增益系数为25.03cm-1,最低阈值为2.2μJ/pulse。结果表明MEH-PPV是一种优良的激光和光放大材料。  
        关键词：MEH-PPV;聚合物薄膜;放大的自发辐射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀土掺杂碱土金属硫化物晶体中的载流子俘获中心

        何志毅, 陈名松
        2008, 29(1): 75-80.
        摘要：研究了典型红外激励发光材料XS:Ra,Sm(X=Sr,Ca;Ra=Ce,Eu)的激励发光过程中电子与空穴的俘获中心及其转移过程,通过激发前后的红外吸收光谱的差异及吸收差与光激励谱的细微结构说明,电子俘获中心并不是Sm3+离子,但与Sm3+离子处于相邻的空间位置关系,Sm3+离子在载流子俘获与复合的过程中也没有发生价态或数量的变化,进一步的EPR谱研究表明Eu2+离子的价态在激发前后也没有发生变化。与共价性强的Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体不同的是,在这类离子性较强的晶体中,载流子被杂质所引起的晶格缺陷而非杂质本身俘获。在多种发光中心的情况下,不同的激发波长可以使空穴束缚在不同的发光中心附近,随后产生不同的光激励发光。  
        关键词：载流子俘获;电子陷阱;空穴陷阱;光激励发光;电子顺磁共振   
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        更新时间：2020-08-11

      • Eu3+掺杂钛酸钇晶态薄膜的制备与高效红色荧光发射

        李晓娟, 陈宝玖, 林海
        2008, 29(1): 89-92.
        摘要：采用溶胶-凝胶法制备了Eu3+掺杂的钛酸钇晶态发光薄膜。通过X射线衍射(XRD)对薄膜的结构和结晶过程进行了分析,利用荧光分光光度计对薄膜的发光性质开展了测试和研究。XRD结果表明,薄膜包含立方相YxTi1-xO1-0.5x晶粒,该晶粒属立方晶系,Fm3m(225)空间群,晶胞参数a=0.530nm,晶粒尺寸约为17nm。荧光光谱表明,Eu3+掺杂的YxTi1-xO1-0.5x薄膜显示了强的红光发射,其中Eu3+的5D0→7F2超灵敏跃迁为最强一组。紫外氙灯、准分子激光器、汞灯等是这种发光薄膜的有效激发源。  
        关键词：铕;钛酸钇;晶态薄膜;红光发射   
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀土离子Ce, Tb掺杂硼磷酸锶荧光粉的发光性质

        王芳, 宋宏伟, 董彪
        2008, 29(1): 102-106.
        摘要：采用高温固相法合成了2SrO·0.25B2O3·0.75P2O5:RE3+(RE=Ce,Tb)荧光粉。研究了其中Ce3+,Tb3+的光谱性质,Ce3+和Tb3+共掺杂时的能量传递效率,以及Ce3+和Tb3+的动力学过程。发现在共掺杂的样品中,Tb3+的5D4→7F5绿色发射比Tb3+单掺杂样品中的绿色发射有显著的提高。当Tb3+的含量从1%增加到8%时,Ce3+→Tb3+的能量传递效率逐渐增加至70%。通过动力学研究,在Ce3+和Tb3+共掺杂的样品中,提高Tb3+的浓度,Ce3+的寿命减小。此外,Ce3+离子寿命的倒数与Tb3+的浓度之间很好地符合线性函数关系,经过拟合Ce3+离子的电子跃迁速率和Ce3+→Tb3+的能量传递速率分别为5.1×10-2和1.34ns-1·mol-1。Tb3+的5D4→7F5跃迁的衰减曲线很好地遵守指数式衰减,并且随着Ce3+的掺杂浓度提高,Tb3+的5D4→7F5寿命增加。结果表明在共掺杂的2SrO·0.25B2O3·0.75P2O5材料中存在Ce3+到Tb3+的有效能量传递,这种材料在541nm处有着较强的绿光发射,所以将在发光以及显示领域有潜在的应用前景。  
        关键词：Ce3+;Tb3+离子;硼磷酸锶;能量传递   
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        更新时间：2020-08-11

      • Mn4+掺杂的新型铝酸盐红色长余辉材料

        闫武钊, 林林, 陈永虎, 尹民
        2008, 29(1): 114-118.
        摘要：用高温固相法合成了红色长余辉发光材料LiAl5O8:Mn4+,Li5AlO4:Mn4+,LiAlO2:Mn4+,发现前两种材料有红色余辉,这方面并没有报道过,并对这两种材料的发光性能作了研究,指明了不同基质中发光强弱不同原因。对不同Mn4+掺杂浓度的材料做了浓度依赖关系研究,确认Mn4+的发光是2E→4A2的跃迁。Mn4+的发光是个宽带谱,材料在紫外区有强的吸收,发射谱范围可达620~770nm,峰值在675nm。对长余辉机制进行了探讨。  
        关键词：LiAl5O8;Li5AlO4;LiAlO2;Mn4+红色长余辉   
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        更新时间：2020-08-11

      • 低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响

        石增良, 刘大力, 闫小龙, 高忠民, 徐经纬, 白石英
        2008, 29(1): 124-128.
        摘要：利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。  
        关键词：氧化锌薄膜;MOCVD;低温缓冲层;XRD;SEM   
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        更新时间：2020-08-11

      • p型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与光学特性

        董鑫, 赵旺, 张宝林, 李香萍, 杜国同
        2008, 29(1): 129-132.
        摘要：通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在As。电学测试结果表明:退火对样品的电阻率和载流子浓度的影响很大。这是长时间的氧气退火使得氧空位数目明显减少,从而使Zn—O键数量显著增加造成的。在样品的X射线衍射(XRD)谱中,p型样品的(002)衍射峰明显弱于n型样品。而在二者的光致发光(PL)谱中,都存在着很强的近带边发射(NBE)峰和较弱的深能级发射(DLE)峰,p型样品的NBE峰明显较弱而DLE峰却很强。这些现象是由于As原子的扩散,使薄膜中产生了新的缺陷能级,导致能级间的激子复合更加复杂。稳定的p型MgxZn1-xO薄膜的获得为制备MgxZn1-xO同质结和发光二极管奠定了基础。  
        关键词：p型MgxZn1-xO薄膜;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 高分子网络凝胶法制备ZnO超细粉体及其光学性能

        李江勇, 李岚, 李海燕, 张晓松, 庄晋艳
        2008, 29(1): 133-138.
        摘要：采用高分子网络凝胶法制备球形ZnO超细粉体。通过聚乙烯醇(PVA)亚浓溶液交联网络的空间位阻作用,经过烧结,获得了具有球形形貌的粒径为1~3μm的ZnO粉体颗粒。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)分析了不同PVA浓度以及退火温度对产物形貌、结构的影响,发现在PVA溶液浓度为5%,并且经500℃热处理所形成的ZnO球形颗粒最为均匀规整。研究了球形ZnO粉体的光致发光性能,室温下经325nm波长激发,观察到两个中心波长分别位于407,468nm的微弱的荧光发射带,在合适温度下,在385nm处还出现了较强的紫外峰。PL光谱表明,退火温度对ZnO的光致发光影响较大,随着退火温度升高,由于表面缺陷和结晶性能发生变化,407nm处发射峰逐渐减弱消失,而紫外发光先增强后减弱,经500℃热处理样品的紫外发光性能达到最佳。  
        关键词：高分子网络凝胶法;聚乙烯醇;球形ZnO;PL光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 光辅助对MOCVD法制备ZnO薄膜性能的影响

        李香萍, 张宝林, 董鑫, 张源涛, 夏晓川, 赵磊, 赵旺, 马艳, 杜国同
        2008, 29(1): 139-143.
        摘要：采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到改善。分析认为,这主要是由于光辅助有助于提高锌有机源的分解效率,并且高能量的光子可为反应吸附的原子提供足够高的激活能,从而易于其迁移到合适的晶格位置所致。同时我们还发现,有光照和无光照条件下制备的ZnO薄膜均呈n型导电,但有光照条件下制备的ZnO薄膜具有更低的本底载流子浓度,这将为日后通过降低自补偿实现p型掺杂提供一个很好的解决办法。  
        关键词：氧化锌薄膜;光辅助金属有机化学气相沉积;光学特性   
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        更新时间：2020-08-11

      • Fe掺杂对CdS光学特性的影响

        武晓杰, 张吉英, 张振中, 申德振, 刘可为, 李炳辉, 吕有明, 李炳生, 赵东旭, 姚斌, 范希武
        2008, 29(1): 144-148.
        摘要：采用低压金属有机化学气相沉积技术,在固定源流量的条件下,通过调节衬底温度(270~360℃)生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小,但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分:2.5eV附近带-带跃迁的发光以及2.0~2.4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加,带-带跃迁逐渐被抑制,发光光谱被缺陷相关的发光主导,同时薄膜的电导也由n型转为p型,说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量,我们将2.0~2.4eV的发光归结为铁受主相关的D-A对发射,并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。  
        关键词：CdFeS;施主-受主对;受主能级   
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        更新时间：2020-08-11

      • 溶胶凝胶法制备Zn1-xFexO稀磁半导体

        蒋婧思, 侯延冰, 唐爱伟, 滕枫
        2008, 29(1): 149-151.
        摘要：使用溶胶-凝胶法,制备了Fe掺杂的ZnO粉末衡磁半导体材料。通过X射线衍射对样品的晶格结构进行了分析,发现衍射峰的峰位随着Fe掺杂量出现偏移。当掺杂浓度低于6.66%时,Fe较好地替代了Zn的晶格位置,当掺杂浓度达到6.66%时出现杂相峰。使用超导量子干涉仪对所制备的磁性材料进行表征,得到了材料磁化率随温度变化关系曲线,并观察到明显的低温磁滞现象。对其磁性来源进行了分析。  
        关键词：溶胶凝胶法;稀磁半导体;ZnO   
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        更新时间：2020-08-11

      • CVD法制备硅基氮化镓薄膜

        王连红, 梁建, 马淑芳, 刘旭光, 许并社
        2008, 29(1): 152-155.
        摘要：利用化学气相沉积法(CVD),分别以三氧化二镓(Ga2O3)和氨气(NH3)为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓(GaN)薄膜,实验中没有使用缓冲层。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子能量散射谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行分析,生成物为质量较好的富镓的纯氮化镓薄膜。片状氮化镓微晶表面大小约数百纳米,厚度数十纳米,薄膜表面平整、致密,没有裂纹或龟裂现象,与Si衬底结合紧密。氮化镓薄膜的带边峰位于367nm处,同时出现了黄光发射峰。并对此种氮化镓薄膜的生长机理进行了探讨。  
        关键词：氮化镓薄膜;化学气相沉淀;生长机理   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光

        郑卫民, 吕英波, 宋淑梅, 王爱芳, 陶琳
        2008, 29(1): 156-160.
        摘要：从实验和理论上,研究了量子限制效应对GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度为3~20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4,20,40,80,120K不同温度下,分别对上述样品进行了光致发光谱测量,观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现,理论计算和实验结果符合地较好。  
        关键词：量子限制效应;δ-掺杂;GaAs/AlAs多量子阱;光致发光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米Si/SiO2多层膜的结构表征及发光特性

        韦德远, 陈德媛, 韩培高, 马忠元, 徐骏, 陈坤基
        2008, 29(1): 161-165.
        摘要：采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测到了光致发光信号,其发光峰峰位在750nm附近。进而在样品上下表面蒸镀电极,构建了电致发光原型器件并观测到了室温下的电致发光谱,开启电压约为6V,有两个明显的发光带,分别位于在650nm和520nm处。初步探讨了纳米硅及纳米硅/二氧化硅界面态对发光特性的影响。  
        关键词：纳米硅;结构;光致发光(PL);电致发光(EL)   
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        更新时间：2020-08-11

      • 温度对CdSe/ZnS量子点吸收光谱和光致发光谱的影响

        闫海珍, 程成, 张庆豪
        2008, 29(1): 166-170.
        摘要：测量了分散于正己烷溶液和甲苯溶液中的CdSe/ZnS量子点在室温到近溶液沸点温度间的吸收与光致发光光谱,比较了两种不同的CdSe/ZnS量子点的光谱特性,讨论了温度对吸收和光致发光光谱峰值波长以及相对强度的影响。结果表明:在25~100℃范围内,CdSe/ZnS量子点激子吸收峰波长有微小红移,最大约为4nm;光致发光光谱峰值波长略有红移,但最大不超过6nm。根据光致发光光谱测量的结果,确定了Varshni定律中关于CdSe/ZnS量子点禁带宽度的两个经验参数:α=(2.0±0.2)×10-4eV/K和β=(200±30)K。温度对CdSe/ZnS量子点吸收强度影响不大,荧光发射强度与温度呈线性关系增强。  
        关键词：CdSe/ZnS点;溶液温度;吸收光谱;光致发光光谱   
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        更新时间：2020-08-11

      • 不同稳定剂对水溶性CdTe纳米晶光学性质的影响

        王琰, 侯延冰, 唐爱伟, 封宾, 李妍, 滕枫
        2008, 29(1): 171-175.
        摘要：分别用巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),L-半胱氨酸(L-Cys),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)作为稳定剂,在水相中合成出CdTe纳米晶体,研究了稳定剂对所制备的纳米晶光学性质的影响,并且对所合成的球状和棒状纳米晶的稳定性进行了研究。实验结果表明,不同的稳定剂可以得到不同型貌的纳米晶,用L-半胱氨酸(L-Cys),巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)所得到的CdTe纳米晶的吸收和发射峰位不同,这是受稳定剂自身的官能团性质和空间位阻作用影响的结果。  
        关键词：CdTe;纳米晶;稳定剂;光学性质   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnO六方纳米管晶体的制备与光致发光性能

        马淑芳, 梁建, 王连红, 万正国, 刘旭光, 许并社
        2008, 29(1): 182-185.
        摘要：常压下在空气中以氧化锌和碳粉为原料,利用高温碳热还原反应法制备出了自组装ZnO纳米晶体,采用SEM、XRD、PL等手段对产物进行了表征。结果表明产物为自组装多层六方管状结构的晶体,且是单一的六角晶系纤锌矿ZnO相。分析表明其生长机理为首先形成ZnO薄片,然后薄片再卷曲为管状物,其中碳热能和静电能为卷曲驱动力。室温光致发光谱显示,ZnO六方管晶体在以545nm为中心的范围内,形成较强较宽的绿光发射峰,而红光发射的强度增幅尤其突出。  
        关键词：ZnO;管状结构;生长机理;光致发光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 应用在大尺寸LCD背照明的LED元件设计

        常军, 杨东升, 孙智慧, 翁志成, 姜会林, 任涛
        2008, 29(1): 195-199.
        摘要：传统的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)通常采用冷阴极荧光灯(cold cathode fluorescent lamps,CCFL)作为背光光源。相比较而言,由于发光二极管(LED)TFT-LCD背光源系统色彩还原性好、对比度高、亮度高,其色域是传统CCFL背光源的150%以上,最近几年,RGBLED背光源已经逐渐成为大尺寸背光源发展的主要方向。大尺寸LED背光系统结构主要采用直下式和侧式结构。直下式背光源具有结构简单、光利用率高的特点,是目前大尺寸液晶显示背光源的首选。以RGBLED作为光源,通过对LED光场分布的模拟分析,提出一种新的直下式背光源的光学设计。背光源模拟表明,该背光源亮度均匀性大于80%,色差小于0.01。  
        关键词：LED;LCD背光源;大尺寸背光源;直下式   
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        更新时间：2020-08-11

      • 一种红外光谱发射率测量装置的研制

        万志, 任建伟, 李宪圣, 刘则洵
        2008, 29(1): 200-203.
        摘要：研制了一种利用对称双光路比对法测量材料表面光谱发射率的装置,该装置采用多光谱辐射测温技术测量材料表面温度,解决了不规则材料表面温度难以精确测定的问题,实现了材料表面半球发射率和表面温度的同时测定。  
        关键词：发射率;辐射测温;多光谱测温   
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        更新时间：2020-08-11

      • 面阵CCD信号采集系统的噪声抑制

        郭伟强, 万志, 常磊, 金龙旭, 任建岳
        2008, 29(1): 204-208.
        摘要：分析了CCD输出噪声及其一般抑制方法,提出了一种基于面阵CCD信号采集系统的噪声抑制方法。设计了CCD信号采集系统的噪声抑制电路和处理电路,应用于CCD442A型面阵CCD;并使用积分球对采集系统进行辐射定标,计算得到系统的信噪比。仿真和辐射定标实验表明,该面阵CCD信号采集系统具有相关双采样和暗电平校正功能,抑制了CCD输出信号的复位噪声和暗电流噪声;在中等照度条件下,系统信噪比达到40dB。  
        关键词：面阵CCD;复位噪声;暗电流噪声;相关双采样(CDS);暗电平校正   
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        更新时间：2020-08-11

        材料合成及性能

      • 电子传输层PBD对Alq3：DCJTB电致发光器件的影响

        贾勇, 邓振波, 肖静, 徐登辉, 陈征, 刘翔, 吕昭月
        2008, 29(1): 23-26.
        摘要：以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了合理的解释,并运用高斯截谱的方法分析了各个发光峰的产生原因。  
        关键词：PBD;电子传输层;激基复合物;有机电致发光   
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        更新时间：2020-08-11
      • 秦丽芳, 侯延冰, 师全民, 蒋婧思, 高瑞, 王琰
        2008, 29(1): 41-45.
        摘要：实验中以PEDOT:PSS在ITO基片上旋涂作为空穴传输层,并且在旋涂PEDOT:PSS的过程中在与ITO玻璃平面垂直的方向施加一个诱导聚合物取向的高压电场,试验着重研究了所加电场强度对双层器件:ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al器件性能的影响。测试结果表明,旋涂时所加电场的大小对器件的发光强度和起亮电压都有明显的影响。随着所加电场的增大,器件发光强度明显增加,起亮电压减小。由此表明:在高电场作用下,聚合物分子链沿电场方向发生了取向,而且随着电场增强这种取向作用会表现得越明显,并且在PEDOT:PSS膜表层会形成一个梯度变化的PSS聚集,使得从ITO到MEH-PPV的功函数逐渐上升,降低空穴注入势垒,增强了空穴的注入效率。  
        关键词：分子取向;电致发光;空穴注入   
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        更新时间：2020-08-11

      • 绿色荧光粉NaCaPO4：Tb3+的制备与发光特性

        杨志平, 王少丽, 杨广伟, 田晶, 李盼来, 李旭
        2008, 29(1): 81-84.
        摘要：采用高温固相法合成了适用于UVLED芯片激发的NaCaPO4:Tb3+绿色荧光粉并对其发光性质进行了研究。该荧光粉的发射峰位于418,440,492,545,586,622nm,分别对应Tb3+的5D3→7F5、5D3→7F4、5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3能级跃迁。其中位于492,545nm的发射峰最强,样品发射很好的绿光。主要激发峰位于380~400nm之间,属于4f→4f电子跃迁吸收,与UVLED芯片的发射相匹配。考察了Tb3+掺杂浓度和Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响:Tb3+的最佳掺杂浓度为10%,以Li+的补偿效果最好。NaCaPO4:Tb3+是一种适用于白光LED的绿色荧光材料。  
        关键词：发光;荧光粉;NaCaPO4：Tb3+;白光LED   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZBLAN：Yb3+, Tm3+双频共激发的上转换发光

        窦京涛, 侯延冰
        2008, 29(1): 85-88.
        摘要：首先测量了ZBLAN:Yb3+,Tm3+分别在980nm和808nm激光激发下的400~600nm波段内的上转换发光光谱,在此基础上研究了980,808nm激光共激发下ZBLAN:Yb3+,Tm3+的上转换发光特性。在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与泵浦激光输入功率的关系,由此绘制双对数曲线图,对上转换发光机制进行了分析。研究证明980nm激发为三光子过程、808nm激发为双光子过程,而980,808nm激光共同激发为共协过程。  
        关键词：ZBLAN;Yb;Tm;上转换;双频共激发   
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        更新时间：2020-08-11

      • Eu3+激活的La2Mo2O9红色荧光粉的制备与性能

        李旭, 杨勇, 杨志平, 关丽, 刘冲
        2008, 29(1): 93-96.
        摘要：利用高温固相法制备了Eu3+掺杂的La2Mo2O9红色荧光粉,并对这种荧光粉的结构及发光性质进行了研究。XRD结果表明,实验合成了单一立方相的La2Mo2O9荧光粉体。该荧光粉的激发光谱由一宽带和一系列的锐峰组成;发射光谱由一系列锐峰组成,这些都与Eu3+的特征跃迁5DJ(J=0,1)和7FJ(J=1~4)相对应。结果表明该荧光粉可被395nm的紫外光和470nm的可见光有效激发,并发出峰值位于620nm左右的红光,亮度可达到传统红色荧光粉Y2O2S:Eu3+的1.5倍以上,这表明它可以作为蓝+黄模式白光LED的红色补光粉,也可以作为UV-LED激发三基色荧光粉体系中的红色荧光粉。研究了Eu3+的掺杂浓度以及不同助熔剂对样品发光性质的影响。Eu3+的摩尔分数为0.3时,发光强度达到最强。质量分数为3%的NH4Cl作为助熔剂时效果最好。  
        关键词：La2Mo2O9：Eu3+;固相法;白光LED   
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        更新时间：2020-08-11

      • 热退火对SiO2：Er薄膜发光特性的影响

        屠炜巍, 刘益春, 刘玉学, 徐长山, 慕日祥, 邵长路
        2008, 29(1): 97-101.
        摘要：利用离子注入法制备SiO2:Er样品,并在不同温度下进行退火处理。通过微区拉曼光谱、吸收光谱、X射线光电子能谱等手段对其进行结构表征,并进行了室温和变温的光致发光特性研究,得到了可见区和红外区的光致发光。其中,4S3/2→4I15/2的发光强度随温度的升高,先增强后减弱,呈现出反常的温度淬灭效应,此现象是由Er3+与SiO2的缺陷之间的能量传递造成的。  
        关键词：SiO2;缺陷;PL光谱;能量传递   
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        更新时间：2020-08-11

      • Eu3+或Tb3+掺杂Y2O3纳米材料紫外激发光谱

        孟庆裕, 陈宝玖, 赵晓霞, 王晓君, 许武
        2008, 29(1): 107-113.
        摘要：采用燃烧法制备了不同Ln3+(Ln=Eu或Tb)掺杂浓度和不同平均粒径的Y2O3:Ln纳米晶体粉末和体材料样品。研究发现随着粒径的减小,Y2O3:Eu电荷迁移带的位置发生红移;并且,由于存在于近表面低结晶度环境中的Eu3+数量的增加,小粒径样品(5nm)的电荷迁移带还向长波方向发生了明显的展宽。实验中还观察到Y2O3:Tb纳米晶激发谱中4f5d(4f8→4f75d1)跃迁吸收对应激发峰(带)的谱线形状随样品粒径变化存在较大的差异,这是由于Tb3+存在于近表面的低结晶度和颗粒内部的高结晶度两种不同环境中,Tb3+的4f5d跃迁在两种环境中对应的吸收峰位置不同,当样品粒径发生变化时Tb3+处于两种环境中的比例随之变化,造成相应吸收跃迁对应的激发峰(带)强度发生变化,并改变了激发谱的谱线形状。实验中还发现,随着Tb3+(或Eu3+)浓度的减小,Y2O3基质激子跃迁吸收的激发峰对比4f5d跃迁(或电荷迁移带)激发峰的相对强度随之增强。  
        关键词：Y2O3：Ln(Ln=Eu或Tb)纳米材料;紫外激发;表面;激子吸收   
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        更新时间：2020-08-11

      • 白色长余辉材料CaxMgSi2O5+x：Dy3+系列的发光性能

        陈永虎, 程学瑞, 戚泽明, 刘淼, 施朝淑
        2008, 29(1): 119-123.
        摘要：制备并研究了一系列具有白色长余辉的钙镁硅酸盐材料,CaxMgSi2O5+x:Dy3+(x=1,2,3)。在紫外激发的发射谱中观察到来自Dy3+的4f组态内发射:对应4F9/2→6H15/2跃迁的蓝色发射(480nm)以及对应4F9/2→6H13/2跃迁的黄色发射(575nm)。低压汞灯(254nm)辐照后产生的长余辉光谱成分与发射谱相同,蓝光与黄光的混合组成白色光。对所研究的大部分样品,白色长余辉发射持续时间超过1h。研究了发射光强度对Dy3+浓度的依赖以及黄光与蓝光强度比与Dy3+掺杂浓度之间的关系,发现不同的基质有不同Dy3+浓度的依赖关系。室温以上的热释光谱表明所研究材料在室温以上具有丰富的热释光峰,因此有潜力进一步改善其长余辉性能。结合实验结果和以往研究,简要讨论了这一类材料的陷阱来源和长余辉发射机理。  
        关键词：白光;长余辉材料;发光;CaMgSi2O6：Dy3+;Ca2MgSi2O7：Dy3+;Ca3MgSi2O8：Dy3+   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米晶ZrO2：Dy3+的光致发光和能量传递性质

        周巍, 吕树臣
        2008, 29(1): 176-181.
        摘要：研究了Dy3+离子掺杂的ZrO2纳米粉体的光致发光性质。观测到Dy3+离子的室温强特征发射和浓度猝灭现象以及基质ZrO2与Dy3+离子之间的能量传递过程。发现了煅烧温度对样品的晶相有明显的影响,随着煅烧温度的变化,晶相也随之改变。晶相的改变使样品的荧光发射产生较大的差异,并观测到两个发射中心。通过对荧光强度与激活离子Dy3+离子浓度的关系研究发现,Dy3+离子在纳米ZrO2基质中存在浓度猝灭现象,最佳掺杂浓度取决于ZrO2基质的晶相,不同晶相导致不同的猝灭浓度,当基质晶相表现为四方相时,猝灭浓度为0.5%,而基质晶相为混合相时,猝灭浓度为1%。能量传递也依赖于样品的晶相。当煅烧温度为950℃时能量传递效果最好,并且从微观结构上给出了解释基质与Dy3+离子之间的能量传递的模型。  
        关键词：纳米晶ZrO2：Dy3+;光致发光;能量传递;浓度猝灭   
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        更新时间：2020-08-11
      • 秦瑞飞, 宋宏伟, 潘国徽, 白雪, 范丽波, 戴其林, 任新光, 赵海峰
        2008, 29(1): 186-191.
        摘要：通过多元醇法(polyol method)合成出NaGdF4:Eu3+和NaGdF4:Yb3+,Er3+纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对合成的样品进行了表征。研究了Eu3+掺杂样品的下转换发光和Yb3+/Er3+共掺杂样品的上转换发光。对未经退火和经过退火的样品进行了比较。  
        关键词：NaGdF4;多元醇法;上转换   
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        更新时间：2020-08-11

      • 纳米NaY1-x-yF4：Yby3+, Tmx3+材料的上转换光学特性

        黄敏文, 孟繁谊, 苑星海, 李勇, 刘茹
        2008, 29(1): 192-194.
        摘要：用水热法合成了NaY1-x-yF4:Yby3+,Tmx3+上转换纳米粒子材料。实验发现,样品的粒径多数在100nm以内;当加热温度180℃、反应时间120min、稀土离子Tm3+的摩尔分数为0.04%时,所制备的纳米材料在980nm半导体激光激发下,其主要上转换发光的辐射峰值位于476.54nm处。  
        关键词：水热法;上转换发光;NaYF4：Yb;Tm   
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        更新时间：2020-08-11
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