最新刊期
      2007年第28卷第2期

        研究论文

      • 磁场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响

        陈伟丽, 肖景林
        2007, 28(2): 143-148.
        摘要：采用线性组合算符及幺正变换方法研究了磁场对量子阱中弱耦合束缚极化子的性质的影响。导出了量子阱中束缚极化子的基态能量与振动频率、库仑束缚势、磁场和阱宽之间的变化关系。同时也讨论了振动频率与库仑束缚势、磁场之间的变化关系。通过数值计算结果表明:量子阱中束缚极化子的基态能量因振动频率、库仑束缚势、磁场和阱宽的不同而不同,它随振动频率和磁场的增加而增大,随库仑束缚势和阱宽的增大而减小。量子阱中束缚磁极化子的基态能量与振动频率无关,随库仑束缚势和阱宽的增大而减小,随磁场的增大而增大。  
        关键词：量子阱;束缚极化子;基态能量;线性组合算符;磁场   
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        更新时间：2020-08-11

      • 抛物量子线中极化子的激发态性质

        丁朝华, 赵翠兰, 肖景林
        2007, 28(2): 149-154.
        摘要：研究抛物型量子线中极化子激发态的性质。采用线性组合算符法和Pekar变分法,导出了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的基态能量、第一内部激发能量、激发能和振动频率随量子线的约束强度的变化关系。数值计算结果表明:抛物型量子线中极化子的基态能量、第一内部激发能量、激发能和振动频率都随量子线约束强度的增强而增大,体现了量子线受限强度越大,相应的极化子的能量也越大。  
        关键词：量子线;极化子;基态能量;第一内部激发能量;激发能   
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        更新时间：2020-08-11

      • 量子点中弱耦合束缚极化子的内部激发态性质

        王春燕, 肖景林
        2007, 28(2): 155-159.
        摘要：采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑束缚势对量子点中弱耦合束缚极化子激发态性质的影响。计算了束缚极化子的振动频率、第一内部激发态能量、激发能量和共振频率随量子点的有效受限长度,电子-声子耦合强度和库仑束缚势的变化关系。结果表明:量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率、第一内部激发态能量、激发能量和共振频率随量子点的有效受限长度的减少而迅速增大,随库仑束缚势的增加而增大。  
        关键词：量子点;束缚极化子;线性组合算符;激发态   
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        更新时间：2020-08-11
      • 刘重, 付申成, 贾艳, 孔洁珺, 刘益春, 卢然, 金明
        2007, 28(2): 160-166.
        摘要：作为一种有可能作为永久信息存储的材料,合成出一种新的双偶氮材料(BA1)。当样品被波长为532nm的光激发时,几乎大部分BA1分子从反-反态转化到顺-顺态,产生了光致双折射。因此,研究了BA1分子掺杂的PMMA薄膜的光致双折射和透过信号与入射光强度的关系。实验结果表明:透过信号强度随着泵浦光的增强而增强。通过偏振态互相平行(SS)和垂直(SP)的两束偏振光用来研究偏振全息存储,结果表明SP光栅形成的衍射信号要比SS光栅的衍射信号强很多。  
        关键词：光致双折射;偏振全息;BA1;He-Ne激光   
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        更新时间：2020-08-11

      • 海洋发光细菌的发光及其应用

        张进兴, 逄爱梅, 孙修勤, 孙培光
        2007, 28(2): 167-172.
        摘要：海洋发光细菌是一类在正常的生理条件下能够发射可见光的异养细菌,其发光特性与细菌体内的物质结构、海洋环境要素、水中污染物等多种因素有关。通过对海洋发光细菌发光特性及其应用可能性的论述,如利用发光细菌的发光强度与水中毒物的浓度、毒性的关系检测污染物;利用潜艇航行时激发的生物发光勾画出潜艇涡动的光尾流可跟踪探测潜艇;海洋发光细菌的发光特性还可用以改进水下光通讯与探测、海洋水色遥感、海洋发光细菌分类、发光免疫和抗菌素浓度测定等方面。阐明海洋发光细菌发光特性的重要研究意义并为进一步开展应用研究提供借鉴。  
        关键词：海洋发光细菌;发光特性;应用研究   
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        更新时间：2020-08-11

      • 微腔有机发光器件中的电致发光光谱

        闫玲玲, 李宏建, 张剑华, 朱儒晖, 欧阳俊
        2007, 28(2): 173-178.
        摘要：设计了结构为Glass/DBR/ITO/TPD/Alq3/Ag的微腔有机发光器件。从理论上详细地研究了腔内各层结构对器件电致发光谱性能的影响。结果表明:随着腔长厚度的增加,器件的归一化电致发光谱强度不断减小;在可见光区,器件的EL谱随发光层厚度的增加出现振荡变化。空穴传输层和发光层的界面位置对器件电致发光谱的影响也很大。最后得到,在设计微腔时发光层厚度要尽量窄,并且中心发光区域应位于谐振腔中电场的峰值位置。  
        关键词：微腔有机发光器件;分布布喇格反射镜;电致发光(EL)   
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnqCl2及其衍生物的电子光谱性质的含时密度泛函理论研究

        李志锋, 吕玲玲, 袁焜, 康敬万
        2007, 28(2): 179-183.
        摘要：采用从头算法(abinitio)和密度泛函理论(DFTB3LYP)方法,对二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)及其2种衍生物的基态结构进行优化,同时用abinitioHF单激发组态相互作用(CIS)法在6-31G(d)基组上优化其最低激发单重态几何结构,用含时密度泛函理论(TD-DFT/B3LYP)及6-31G(d)基组计算吸收和发射光谱。计算表明,该类物质电子在基态与激发态间的跃迁,主要是在配体8-羟基喹啉(q)环内的电荷转移,电子从含O的苯酚环转移至含N的吡啶环上,发射光谱的计算值与实验值基本符合。该类化合物的电子亲和能较大,都是优良的电子传输材料,改变中心金属原子对配合物光谱性质影响不大。  
        关键词：8-羟基喹啉锌衍生物;电子光谱;激发态;含时密度泛函理论   
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        更新时间：2020-08-11

      • 基于NPB的蓝色有机电致发光器件的制备和表征

        李青, 于军胜, 黎威志, 李璐, 蒋亚东
        2007, 28(2): 184-188.
        摘要：在常规的双层绿色有机电致发光器件氧化铟锡(ITO)/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-biphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)/8-hydrox yquino line alum inum(Alq3)/Mg:Ag的基础上,通过选择适当的空穴阻挡层材料,制备得到以NPB为发光层的蓝色发光器件,其结构为ITO/NPB/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag,其最大亮度和最大流明效率分别达到2900cd/m2和0.55lm/W。电致发光谱峰位于445nm,CIE色坐标为(x=0.16,y=0.09),且二者都不随外加电压而变化;利用各功能层的能级结构,对不同结构的器件性能差异进行了分析。  
        关键词：有机发光二极管;NPB;BCP;蓝色   
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        更新时间：2020-08-11
      • 王广德, 王立, 姜文龙, 王立忠, 汪津, 韩强, 丁桂英
        2007, 28(2): 189-192.
        摘要：通过调整发光层DPVBi的厚度和在器件中的位置,在同一实验条件下设计了不同的器件结构,制备了有机电致发光器件,在实验中可看到DPVBi的厚度不同,器件的色度发生了改变,并且发现DPVBi在器件的不同位置,器件的发光特性也是不同的。通过实验可以得知处于器件不同位置的DPVBi,其发光机理是不同的,这是由于DPVBi和Alq3的最高未占有轨道(HOMO)能级相差不多,而它们的最低占有轨道(LUMO)能级相差0.4eV,这样DPVBi的存在有利于电子的注入,同时由于rubrene和DPVBi的HOMO相差0.5eV,这样空穴和电子就在rubrene和DPVBi的界面处形成激子复合而发光。也就是说,在rubrene之后的DPVBi对空穴有了阻挡作用,使器件中的空穴和电子达到平衡。通过改变DPVBi的厚度,制备了白光器件,这组白光器件,在7～17V变化范围内器件的色坐标从(0.35,0.37)到(0.33,0.35)变化不大,接近白光等能点(0.33,0.33),是色度比较好的器件。  
        关键词：有机电致发光器件;发光层的厚度和位置;性能   
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        更新时间：2020-08-11

      • 8-羟基喹啉锂及其衍生物电子光谱性质的理论

        樊文浩, 郝玉英, 房晓红, 许并社, 曾凡桂
        2007, 28(2): 193-197.
        摘要：运用密度泛函(DFT/B3LYP)方法对三种吸电子基(C6H5、CN、Cl)取代的8-羟基喹啉锂(Liq)所形成的18种衍生物进行对比,从中找出最稳定的三种衍生物,并在此基础上应用含时密度泛函(TD-DFT)方法和单激发组态相互作用(CIS)分析了取代基对Liq前线分子轨道和电子光谱的影响。结果表明:吸电子取代基主要影响所在环的前线分子轨道,其影响程度和取代基的吸电子能力有关;同时取代位置的不同和取代基的共轭效应会导致电子光谱的移动方向不同,取代基在苯酚环上时使Liq电子光谱蓝移,而在吡啶环上时使Liq电子光谱红移,取代基共轭效应大电子光谱红移。该计算结果与实验结果吻合。  
        关键词：8-羟基喹啉锂;吸电子取代基;电子光谱;前线分子轨道;含时密度泛函理论   
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        更新时间：2020-08-11

      • 图形反转工艺制作OLED器件的阴极分离器

        王军, 杨刚, 蒋亚东, 于军胜, 林慧, 成建波
        2007, 28(2): 198-202.
        摘要：应用AZ5214光刻胶的反转特性,在玻璃基板上制作OLED器件的阴极分离器。指出影响倒梯形形状的主要因素为涂胶厚度、曝光量和反转烘烤。SEM测试表明分离器的断面呈倒梯形,倾角约为45°,胶厚3μm。得到了优化的制备分离器工艺参数:匀胶转速1200r/min,烘烤温度100℃,时间90s,曝光时间0.8s,反转烘温度125℃,时间45s,泛曝光时间5.5s,显影时间40s。  
        关键词：有机发光二极管;阴极分离器;图形反转;光刻;倒梯形   
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        更新时间：2020-08-11

      • 蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管

        王伟, 石家纬, 郭树旭, 刘明大, 张宏梅, 梁昌, 全宝富, 马东阁
        2007, 28(2): 203-206.
        摘要：以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。  
        关键词：全蒸镀;全有机薄膜场效应晶体管   
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        更新时间：2020-08-11
      • 李文先, 张瑞平, 郭磊, 夏海庭, 陈丽娟, 赵永亮
        2007, 28(2): 207-213.
        摘要：采用低温固相反应合成了4种苯乙酸稀土配合物:RE(L)3·nH2O(n=0.5～1.5;RE=La,Nd,Eu,Tb;L=C6H5CH2COO-),经元素分析、稀土络合滴定、摩尔电导及热重分析确定了配合物的组成,测定了配体及配合物的IR谱、1HNMR及配体的磷光光谱和铕、铽配合物荧光激发和发射光谱。根据磷光发射光谱数据计算了配体的三重态平均能级值。铕(Ⅲ)、铽(Ⅲ)配合物的荧光光谱和配体的磷光光谱表明,配体仅对铽(Ⅲ)的荧光具有一定的敏化作用。对镧配合物进行了扫描电镜形貌分析,发现苯乙酸镧为球状空穴结构,粒径在十几微米到几十微米。  
        关键词：稀土配合物;苯乙酸;低温固相反应;发光;形貌分析   
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        更新时间：2020-08-11

      • 侧墙倾斜的水平半导体/空气分布布喇格反射器的设计

        王海龙, 秦文华
        2007, 28(2): 225-230.
        摘要：时域有限差分(FDTD)法计算表明,在常规的水平半导体/空气分布布喇格反射器(DBR)设计中为了得到高反射率,DBR中侧墙与衬底垂直非常重要。对于GaN基材料DBR侧墙如果有3°的倾斜,反射率将下降到30%左右,然而在实验上很难得到侧墙与衬底垂直的GaN基DBR结构。考虑到侧墙倾斜问题我们提出了新的DBR设计方法,采用这种方法即使DBR侧墙有较大的倾斜也可以得到高的反射率。设计的关键是在侧墙倾斜的情况下保持每个DBR周期光程差与垂直情况下一致,根据光的干涉原理我们给出了详细的解释。  
        关键词：时域有限差分;分布布喇格反射器;反射率;倾斜;干涉   
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        更新时间：2020-08-11

      • GaN发光二极管表观电容极值分析

        谭延亮, 游开明, 陈列尊, 袁红志
        2007, 28(2): 237-240.
        摘要：利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容。分析可变电容对正向交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2,使得在测量中表现为负电容。发现表观电容-正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。  
        关键词：GaN发光二极管;负电容;正向交流(ac)小信号方法;可变电容;极值   
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        更新时间：2020-08-11

      • LED感应局部加热封装试验研究

        陈明祥, 马泽涛, 刘胜
        2007, 28(2): 241-245.
        摘要：采用感应局部加热技术,对大功率发光二极管(LED)封装进行了试验研究。结果表明,由于感应加热对材料和结构具有选择性,封装过程中仅Cu-Sn合金焊料层加热,实现了芯片和覆铜陶瓷基板间的热键合。封装后的LED性能测试表明,该封装技术不仅降低了热阻,使LED在高电流下(4倍电流)仍能保持较低的工作温度,而且降低了热应力和整体高温对芯片结构的损坏,提高了器件性能和可靠性。  
        关键词：发光二极管;封装;感应加热;局部加热   
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        更新时间：2020-08-11

      • LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs

        谢建春, 缪国庆, 金亿鑫, 张铁民, 宋航, 蒋红, 刘乃康, 李志明
        2007, 28(2): 246-250.
        摘要：利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017cm-3和迁移率为6214cm2/V·s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233cm-1和InSb(LO)的187cm-1两种光学声子行为。  
        关键词：金属有机化学气相沉积;InAsSb;两步生长法;GaAs   
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        更新时间：2020-08-11

      • 全固态塑料电致变色器件

        任豪
        2007, 28(2): 251-255.
        摘要：电致变色器件是一种典型的光学薄膜和电子学薄膜相结合的光电子薄膜器件,能够在外加低压驱动的作用下实现可逆的色彩变化。将电致变色材料制备在塑料衬底上,将极大地推动电致变色器件的应用。讨论了全固态塑料电致变色器件的制备工艺和电致变色特性,通过采用低压反应离子镀工艺分别在ITO塑料衬底上制备了WO3和NiO电致变色薄膜。采用高分子聚合物MPEO-LiClO4作电解质,制备plastic/ITO/WO3/MPEO-LiClO4/NiO/ITO/plastic透射型全固态塑料电致变色器件。在二电极电池石英盒中采用恒电位方式测试全固态塑料电致变色器件的电致变色特性,驱动电压为±3V。采用分光光度计直接测试透射光谱的变化,测试范围为300～900nm,经过十几次循环后达到稳定的变色,变色调制范围达到30%左右,器件样品显示出均匀深蓝色的电致变色效果。实验结果证明了所提出的全固态塑料电致变色器件的制备工艺的可行性。  
        关键词：电致变色;全固态;塑料   
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        更新时间：2020-08-11

      • 半导体薄膜场发射中的膜厚影响

        段志强, 王如志, 袁瑞玚, 王波, 严辉
        2007, 28(2): 256-262.
        摘要：考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减。  
        关键词：场发射膜厚影响;有效隧穿势垒面积;散射衰减   
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        更新时间：2020-08-11

      • 图像处理技术在低逸出功印刷型FED中的应用

        林志贤, 郭太良, 林韵英, 徐胜, 胡建民, 刘经场
        2007, 28(2): 263-268.
        摘要：采用低成本、大面积、低逸出功FED阴极材料及其阴极浆料,研制了大面积印刷式FED(样机),具有自主知识产权,在国内外属首创。介绍了低逸出功可印刷型场致发射显示系统的工作原理、数字视频图像的转换和处理、视频数据的传输、列灰度驱动和行驱动集成电路以及FPGA控制技术等。为了改善场致发射显示器的显示效果,通过理论分析和实际验证提出了亮度非均匀性校正、γ校正、自动功率控制等相应的解决方案。将图像处理技术应用到驱动电路中,改善了图像的亮度均匀性和灰度再现质量,降低了整机的功耗。首次将本技术应用于大屏幕低逸出功印刷型63.5cm(25英寸)VGA级彩色FED驱动系统中,研制出了能显示彩色视频图像的彩色FED显示器样机。亮度达400cd/m2、对比度为1000:1,电路灰度等级为256级。  
        关键词：场致发射显示器;亮度非均匀性;γ校正;自动功率控制;FPGA   
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        更新时间：2020-08-11

      • p-n结在复合光阴极中的应用

        刘礼飞, 李国强, 李朝升, 于涛, 邹志刚
        2007, 28(2): 269-272.
        摘要：作为光电化学系统的重要组成部分之一,光电极应该具有较好的光电流响应,以及在水溶液中稳定的特性。分别以醋酸镍、钛酸四丁酯作为NiO、TiO2溶胶的前驱体,利用溶胶-凝胶法制备了单质p型NiO及p-n结型复合光阴极NiO-TiO2。复合光阴极的SEM截面形貌显示NiO层和TiO2层的厚度分别为200,130nm。光电化学表征结果表明,NiO-TiO2复合光阴极的阴极光电流优于单质NiO电极的阴极光电流,并且其平带电势与单质NiO电极相比发生正向移动,这些现象都是由p-n结的内建电场引起的。  
        关键词：p-n结;光阴极;光电化学;光电流   
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        更新时间：2020-08-11

      • 铜铁矿基p-TCO材料的制备与物性研究

        邓赞红, 李达, 朱雪斌, 陶汝华, 董伟伟, 方晓东
        2007, 28(2): 273-276.
        摘要：采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2(B=Al,Cr,La)多晶陶瓷的制备,并采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)制备了CuCrO2薄膜。结果表明:溶胶-凝胶法可以成功制备高纯CuAlO2和CuCrO2多晶材料。该方法还可以显著降低烧结温度且使烧结时间显著缩短;所制备的名义组分CuAlO2和CuCrO2样品均呈p型半导体导电行为,CuBO2的电导率随着B位离子半径的增大而明显减小;PLD法制备的CuCrO2薄膜呈高度c轴取向,厚度～200nm的薄膜在可见光区的平均透射率～80%。  
        关键词：溶胶-凝胶;铜铁矿;透明导电氧化物;脉冲激光沉积;薄膜   
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        更新时间：2020-08-11

      • SrTiO3/α-Fe2O3异质结光阳极光电转换性能

        王耀明, 罗文俊, 欧阳述昕, 李朝升, 于涛, 邹志刚
        2007, 28(2): 277-281.
        摘要：作为一类重要的光电极材料,α-Fe2O3在太阳能转化方面有着潜在的应用前景。但是,光生电子空穴对的再复合导致α-Fe2O3的光电量子产率很低。为了抑制光生电子空穴对的再复合,提高α-Fe2O3的光电量子产率,采用Spin-coating方法在透明导电玻璃FTO(SnO2:F)衬底上制备了SrTiO3/α-Fe2O3异质结薄膜光电极,并对该光电极进行了XRD、SEM、紫外-可见透射光谱的表征。在三电极光电化学测试系统中对薄膜的光电流-电压特性、入射光子电流转化效率(Incident photon to current efficiency,IPCE)对波长的依赖性进行了表征。在相同的Xe灯照射条件下,SrTiO3/α-Fe2O3异质结光电极的光电流及IPCE值大于单一的SrTiO3、α-Fe2O3各自的光电流及IPCE值,这与理论预测的结论一致。  
        关键词：异质结;光电极;光电化学电池;光电流;入射光子电流转化效率   
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        更新时间：2020-08-11

        材料合成及性能

      • 铕(Ⅲ)掺杂含氧磷酸镧纳米晶的燃烧法合成及其发光性质

        金叶, 秦伟平, 张继森, 王艳, 曹春燕, 张继双, 任新光, 朱培芬, 尉国栋, 王丽丽, 王国凤
        2007, 28(2): 214-218.
        摘要：采用燃烧法合成了新型红色纳米发光材料La3PO7:Eu3+,并用X射线粉末衍射对其结构进行了表征。XRD分析证实样品La3PO7为单斜相。测定了其激发光谱和发射光谱,光谱数据表明:对应于Eu3+的5D0→7F2跃迁的发射强度远大于5D0→7F1跃迁的发射强度,La3PO7:Eu3+形成红色发光材料。推测是由于基质结构的不对称性,Eu3+在基质La3PO7中占据非对称中心的格位所致。在不同温度下退火后,发现退火温度越高,Eu3+的5D0→7F2跃迁辐射越强,表明样品结晶越好。  
        关键词：La3PO7：Eu3+纳米晶;燃烧法;发光性质   
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        更新时间：2020-08-11

      • Cr4+,Nd3+：YAG自调Q激光透明陶瓷的光谱性质

        李江, 吴玉松, 潘裕柏, 朱勇, 郭景坤
        2007, 28(2): 219-224.
        摘要：以高纯α-Al2O3、Y2O3、Nd2O3和Cr2O3粉体为原料,CaO为电荷补偿剂,正硅酸乙酯(TEOS)为烧结助剂,采用固相反应法和真空烧结技术成功制备了高质量的Cr4+,Nd3+:YAG透明陶瓷。研究了其在室温下的吸收光谱和发射光谱性质,0.1%Cr,1.0%Nd:YAG(Cr,Nd为摩尔分数,下同)透明陶瓷在808nm处的吸收截面为4.27×10-20cm2,1064nm处的发射截面和荧光寿命分别为1.52×10-20cm2和206μSo。由Cr4+,Nd3+:YAG透明陶瓷的吸收和发射光谱计算出的吸收和发射截面,进一步估算了材料的激光性能参数,并对其激光性能进行理论预测。Cr,Nd:YAG透明陶瓷很可能是一种具有潜力的自调Q激光材料。  
        关键词：Cr;Nd：YAG透明陶瓷;光谱性质;激光性能参数;自调Q激光   
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        更新时间：2020-08-11
      • 张立
        2007, 28(2): 231-236.
        摘要：考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应,基于密度矩阵与久期处理方法,理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光整流特性。根据已经成功建立的耦合量子阱的内建电场模型,精确求解了体系的电子本征态。以典型的GaN/InxGa1-xN纤锌矿氮化物耦合量子阱为例进行了数值计算,结果发现共振光整流系数达到了10-6m/V的量级(体系的偶极矩阵元大小超过了2nm),这比同样尺寸的单氮化物量子阱的相应值高一个数量级。而且,计算还发现光整流系数对耦合量子阱的结构与掺杂组分呈现非单调的依赖关系,这一特性被归结为体系的强内建电场与量子尺寸效应对载流子受限特性的强烈竞争。计算结果还表明,通过选择小尺寸阱宽与垒宽的耦合量子阱,适当降低掺杂组分,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的光整流效应。  
        关键词：氮化物半导体;耦合量子阱;内建电场;光整流效应   
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        更新时间：2020-08-11
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